力晶將繼續擴大NAND Flash產(chǎn)能

　　力晶在2012年起將會(huì )大幅降低標準型DRAM投片量，以最低的產(chǎn)能維持DRAM的技術(shù)發(fā)展，并于明年起全數轉入30nm 4Gb生產(chǎn)，而空出的產(chǎn)能將會(huì )以NAND FLASH填補，后續技術(shù)發(fā)展的重點(diǎn)也轉移到NAND 2Xnm的制程微縮。放遠未來(lái)，力晶仍會(huì )保留DRAM技術(shù)，待3D-IC以及TSV的技術(shù)成熟時(shí)，將會(huì )以記憶體為中心做芯片組的整合，力圖成為大中華地區各技術(shù)領(lǐng)域最完整之晶圓廠(chǎng)。

　　隨著(zhù)力晶正式宣布將產(chǎn)能逐步擴大至Flash產(chǎn)品上，加上原先代工如LCD Driver及非標準型DRAM產(chǎn)品，希望明年標準型DRAM的投片僅占總投片量的20%，力晶將成為代工與Flash為主要業(yè)務(wù)的公司，也算是宣告退出標準型DRAM市場(chǎng)，與國際大廠(chǎng)相比，臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)由于制程轉進(jìn)速度緩慢及過(guò)多比例放在標準型DRAM上，導致今年至今虧損達臺幣586億元，由于DRAM產(chǎn)業(yè)仍處于供過(guò)于求的狀況，加上國際大廠(chǎng)在第四季積極轉入30nm制程，集邦科技(TrendForce)預估明年上半年供過(guò)于求依然超過(guò)15%，故部份臺系DRAM廠(chǎng)早已展開(kāi)轉型之路，除了前述力晶之外，南科也將逐步轉入利基型與服務(wù)器記憶體為主，華亞科在美光的服務(wù)器記憶體的訂單下，也希望將服務(wù)器記憶體比重拉到30-50%，華邦則是早已轉型成功，專(zhuān)攻行動(dòng)式記憶體與NOR Flash為主要市場(chǎng)。

　　放眼2012年，將是臺系DRAM廠(chǎng)轉型的關(guān)鍵年，只要能降低標準型記憶體的生產(chǎn)量，將有機會(huì )在嚴峻的市場(chǎng)中生存下來(lái)。