物理所合作研究基于I II V族半導體的新型稀磁體

　　半導體科學(xué)和技術(shù)構成現代信息社會(huì )的基礎，隨著(zhù)信息存儲密度迅猛增長(cháng)，為突破摩爾定律瓶頸需要發(fā)展新的信息存儲載體。在制作和研發(fā)工藝成熟的半導體中注入自旋，形成兼具電荷屬性和自旋特性的稀磁半導體，成為解決這個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題最可能的突破口。

　　中科院物理研究所/北京凝聚態(tài)物理國家實(shí)驗室(籌)極端條件實(shí)驗室靳常青研究組近期在自旋極化的稀磁半導體研究中取得重要進(jìn)展。他們通過(guò)實(shí)驗發(fā)現了一類(lèi)新的基于I～II~V半導體的稀磁體Li(Zn,Mn)As，在稀磁材料上成功實(shí)現了自旋和電荷分別注入和調控。

　　在半導體中實(shí)現磁有序需要具備兩個(gè)基本物理條件，既要有局域磁矩，又要有引發(fā)局域磁矩長(cháng)程量子序的低濃度載流子。在幾類(lèi)已知的稀磁半導體中，磁矩和載流子均由同一種摻雜元素提供，即自旋和電荷天然一體。比如廣為研究的基于III~V族的(Ga,Mn)As稀磁半導體，由于Mn2+和Ga3+具有不同價(jià)態(tài)，Mn對Ga的替代引入自旋的同時(shí)也提供了P型載流子。這種自旋和電荷的捆綁效應嚴重制約了對材料電性和磁性的調控維度，實(shí)現自旋和電荷注入機制的分離成為稀磁半導體材料設計和研制的重大挑戰。LiZnAs具有和GaAs同樣的晶體結構，電子能帶計算表明二者帶隙接近，具有可類(lèi)比的半導體屬性。和GaAs不同之處在于，對LiZnAs在Zn2+位注入Mn2+只引入自旋，載流子則通過(guò)改變Li的含量來(lái)進(jìn)行調控。這樣，LiZnAs半導體就可以實(shí)現自旋和電荷注入機制的分離，為稀磁半導體的磁性和電性的調控分別提供了前提。

　　靳常青研究組通過(guò)大量系統的實(shí)驗工作發(fā)現，Li(ZnMn)As在3%Mn摻雜量既可具有接近3個(gè)Bohr磁子的飽和磁矩(Mn2+高自旋態(tài)的最大飽和磁矩為5個(gè)Bohr磁子)，鐵磁居里溫度(Tc)可達50K。進(jìn)一步研究發(fā)現，Li(ZnMn)As具有低的矯頑力(～30Oe)，這為瞄準應用的低場(chǎng)調控自旋和電荷提供了可能。

　　(Ga,Mn)As稀磁半導體研制工藝苛刻，自旋注入只能在處于低溫的薄膜材料實(shí)現，嚴重限制了對材料宏觀(guān)物性的表征。比如，由于沒(méi)有可供進(jìn)行中子實(shí)驗塊的體材料，(Ga,Mn)As稀磁半導體的磁性起源和機制依然存有很大爭議。由于具有和(Ga,Mn)As同樣的半導體結構，Li(ZnMn)As稀磁體的研制成功，為精細表征(Ga,Mn)As類(lèi)稀磁體的磁性起源提供了重要條件。本工作的合作者，美國哥倫比亞大學(xué)物理系的Uemura教授運用μSR技術(shù)研究了Li(ZnMn)As的磁性，的確在低Mn摻雜觀(guān)察到體態(tài)的長(cháng)程磁有序。

　　靳常青研究組在2008年的鐵基超導熱中發(fā)現了以L(fǎng)iFeAs為代表的“111”型鐵基超導體【Solid State Communications 148, 538 (2008)】，本次發(fā)現Li(ZnMn)As稀磁體，為他們以上工作的擴展。更為有趣之處在于，LiZnAs、LiFeAs、LiMnAs具有可匹配的晶格參數，這為設計基于磁性、半導體和超導體的異質(zhì)結，探索新的物理效應和新的應用特性提供了重要可能。

　　以上工作是與美國哥倫比亞大學(xué)物理系Uemura教授研究組共同開(kāi)展，其他合作者包括日本原子能研發(fā)集團先端科學(xué)研究中心的Maekawa教授、清華大學(xué)物理系王亞愚教授、日本東京大學(xué)Uchida教授的研究團隊。相關(guān)發(fā)表在近期Nature Communications 2:422 (2011)上，研究工作得到基金委重大國際合作項目、重大研究計劃培育項目、科技部量子調控項目的資助。