IR推出雙PQFN2x2和雙PQFN3.3x3.3功率MOSFETs

        全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 擴展其PQFN封裝系列，推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封裝。新型封裝集成了兩個(gè)采用IR最新硅技術(shù)的HEXFET® MOSFET，為低功率應用提供高密度、低成本的解決方案，這些應用包括智能手機、平板電腦、攝像機、數碼相機、直流電動(dòng)機、無(wú)線(xiàn)感應充電器、筆記本電腦、服務(wù)器、網(wǎng)通設備等。

        新款PQFN2x2和PQFN3.3x3.3雙器件在每一個(gè)封裝上都配備了一對功率MOSFET， 提供共汲極和半橋拓撲的靈活性。這些器件利用IR最新的低壓硅技術(shù) (N和P) 來(lái)實(shí)現超低損耗。例如，IRLHS6276在只有4 mm2 的范圍內，配備了兩個(gè)典型導通電阻 (RDS(on)) 均為33m?的MOSFET。

        IR亞太區銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示：“新型PQFN雙器件適用于開(kāi)關(guān)和直流應用，為客戶(hù)提供高密度、低成本的解決方案。如今，IR新增了這些封裝，能夠提供一系列低壓PQFN產(chǎn)品，包括N通道和P通道器件，20V和30V器件，最小驅動(dòng)能力達到4.5V或2.5V的器件，以及單器件或雙器件，它們都擁有極低的導通電阻。”

        這個(gè)雙PQFN系列包括專(zhuān)為高側負荷開(kāi)關(guān)優(yōu)化的P通道器件，可提供更為簡(jiǎn)便的驅動(dòng)解決方案。這些器件的封裝厚度不到1 mm，與現有的表面貼裝技術(shù)相兼容，并且擁有符合行業(yè)標準的占位空間，也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規定  (RoHS) 。

產(chǎn)品規格