日本半導體大廠(chǎng)Elpida、Toshiba提高新款內存產(chǎn)量

　　日本半導體大廠(chǎng)爾必達(Elpida)與東芝(Toshiba)決定自2011年7月起，增加新款儲存內存產(chǎn)量。其中爾必達決定加強日本廣島工廠(chǎng)和臺灣工廠(chǎng)的產(chǎn)能, 將產(chǎn)能提升至75%，確保搶先開(kāi)發(fā)出25納米DRAM的先機。東芝則決定于2011年9月將產(chǎn)能提升至60%，穩定技術(shù)領(lǐng)先地位。

　　爾必達在2011年6月底的新款DRAM生產(chǎn)比例為15%，而產(chǎn)業(yè)龍頭南韓面板大廠(chǎng)三星電子(Samsung Electronics)的比例估計為50%。爾必達預估三星最快將于2011年12月推出25納米DRAM，因此刻意猛沖產(chǎn)量，鞏固率先開(kāi)發(fā)25納米DRAM所帶來(lái)的先機。

　　爾必達于2011年5月創(chuàng )下世界首例，成功開(kāi)發(fā)25納米DRAM，同時(shí)該公司重新檢討DRAM設計電路，創(chuàng )立能用較低成本生產(chǎn)DRAM的方法，使設備投資成本控制在以往的3分之1到4分之1，能以較南韓、臺灣、美國等同業(yè)更低的成本，生產(chǎn)新款DRAM。

　　世界第2大閃存廠(chǎng)東芝，決定讓設置于日本三重縣四日市的新工廠(chǎng)，成為專(zhuān)門(mén)制造新款24納米、19納米內存的中央工廠(chǎng)。該公司以往新產(chǎn)品都采少量生產(chǎn)政策，本次趁著(zhù)新工廠(chǎng)成立，決定在2011年9月一口氣將生產(chǎn)比例提高至60%。

　　東芝在閃存的微細化技術(shù)，一直是世界指標，與三星約有半年的技術(shù)差距，但和英特爾(Intel)及美光(Micron)競爭激烈。該公司計劃設立新工廠(chǎng)，并大量生產(chǎn)新款產(chǎn)品，確保對海外大廠(chǎng)的優(yōu)勢。

　　半導體業(yè)界中，日本企業(yè)的稅務(wù)與人事費用、水電等雜項支出，都比南韓、臺灣來(lái)得吃重。如今又適逢日圓升值、美元下跌，使收益變相減少。因此為增加利潤，大廠(chǎng)決定加強生產(chǎn)新款產(chǎn)品，讓收益穩定。