爾必達宣布開(kāi)始銷(xiāo)售DDR3 DRAM樣品芯片

　　日本爾必達公司27日宣布已經(jīng)開(kāi)始銷(xiāo)售采用穿硅互連技術(shù)(TSV)制作的DDR3 SDRAM三維堆疊芯片的樣品。這款樣品的內部由四塊2Gb密度DDR3 SDRAM芯片通過(guò)TSV三維堆疊技術(shù)封裝為一塊8Gb密度DDR3 SDRAM芯片(相當1GB容量)，該三維芯片中還集成了接口功能芯片。

　　爾必達公司自2004年起便開(kāi)始研發(fā)TSV技術(shù)，當時(shí)他們是在獲得日本政府主導的新能源及工業(yè)技術(shù)發(fā)展協(xié)會(huì )(New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO))資金支援的條件下開(kāi)始有關(guān)技術(shù)的研發(fā)的。爾必達公司隨后便一直在繼續進(jìn)行有關(guān)的技術(shù)開(kāi)發(fā)工作。公司還宣稱(chēng)早在09年，爾必達便已經(jīng)成功研發(fā)出了業(yè)內首款基于TSV技術(shù)以及1Gb DDR3 SGRAM的產(chǎn)品。

　　至于筆記本產(chǎn)品上的應用方面，爾必達則認為這次宣布銷(xiāo)售的樣品芯片相比傳統筆記本用SODIMM內存更加省電，產(chǎn)品的工作電壓下降了20%，待機能耗降低了50%，而且芯片封裝后的面積也下降了70%。