存儲器思謀發(fā)展

　　熱NAND將遇“post”?

　　“2011 is likely to be the year of the NAND.”2011年或是NAND年，這么熱的產(chǎn)品將遭遇“post NAND”? 變革是必然的， 答復是肯定的。NAND告別了勁增38%“最偉大”的2010年，在智能手機和平板電腦兩大紅火產(chǎn)品的拉抬下，2011年仍將保持兩位數增長(cháng)，市場(chǎng)調研公司iSuppli最近報告指出，今年NAND將續增18%，達220億美元，從bit使用量講，更將竄升72%，達到193億GB。但到2011年末，由于過(guò)度樂(lè )觀(guān)而將帶來(lái)供過(guò)于求和價(jià)格走低，使2012年的增長(cháng)率由正轉負，等到2013年才可望反彈，再增11%，2014年又將是停滯的平淡之年(圖2)。

　　市場(chǎng)調研公司Gartner展望，2014年NAND存儲數據的需求，將從現在的10E(E=1018)B增長(cháng)到100EB，其中包括智能手機在內的手機約占33%，平板電腦約18%，兩者合計過(guò)半，達51%。又據市場(chǎng)調研公司DMeXchange日前報告顯示，2011年世界NAND的出貨量如果換算成每個(gè)16 GB計算的話(huà)，合共93.3億個(gè)，比上年勁增78%。該公司稱(chēng)，生產(chǎn)工藝技術(shù)將迅速發(fā)展，2010年以4Xnm和3Xnm為主，2011年即將轉向3Xnm和2Xnm工藝。

　　由于平板電腦特別是蘋(píng)果公司的iPad對消費者極具誘惑力，消量大增，牽引NAND順勢上揚，被稱(chēng)為“蘋(píng)果效應”。iSuppli公司預測，2011年平板電腦用NAND的存儲容量將陡增到23億GB，比上年爆增382%，如按每個(gè)1GB容量計算，那出貨量更將有近5倍之增，超過(guò)20億TB。且未來(lái)幾年不見(jiàn)消沉之勢，預計到2014年將連年增長(cháng)到123億GB(圖3)。平板電腦用NAND在全部NAND供貨量中的比重，2011年將從上年的4.3%提升到11.8%，2014將進(jìn)一步擴大到16%。

　　Post NAND 發(fā)跡

　　最近幾年，半導體業(yè)中NAND工藝的微細化是發(fā)展最快的，大約是每1年3個(gè)月～l年半間前進(jìn)一代，使相同面積上的存儲容量翻番。當下最先進(jìn)的NAND是用25nm工藝制造的64GB產(chǎn)品。但是，這種強勁發(fā)展在3～4年內或將碰壁，預計2011年將跨進(jìn)20nm代，2012年16～17nm代，2013年進(jìn)入15nm代，業(yè)界認為，15nm可能是微細化的極限，到了NAND王朝陷落之時(shí)。

　　怎么辦?業(yè)界提出了兩條道路：一是沿襲NAND的工作原理，變更它的單元結構;二是引進(jìn)全新的工作原理，例如釆用阻抗變化材料的ReRAM(Resistive RAM――電阻M)等，3D結構則是兩者的共同發(fā)展方向。

　　原先的制造微細化都是在平面上縮小尺寸，以增加單位面積的存儲容量，而今改為在硅基板上釆取存儲單元垂直立體堆疊方式，如果堆疊4個(gè)單元，面積縮小到1/4，效果十分顯著(zhù)，容量增大，成本縮減。這項研發(fā)始自本世紀之交，至今若干廠(chǎng)商已然計劃產(chǎn)品化，走在最前面幾家的目標，是于2014年左右釆用17nm工藝，2bit/單元，4單元堆積方式，量產(chǎn)1T(1012)B的3D NAND，承接15nm以下的256GB平面NAND，使產(chǎn)品容量一舉擴大4倍。

　　除了3D結構NAND以外，新的非揮發(fā)存儲器的開(kāi)發(fā)也在加速，它們變革了工作原理，提高了性能，主要產(chǎn)品有ReRAM、PRAM(Phase RAM――相變RAM)和MRAM(Magnetic RAM――磁性RAM)3類(lèi)。業(yè)界估計，2014年1TB的ReRAM有可能量產(chǎn)化，早已量產(chǎn)的MB級PRAM和MRAM也勢必要走大容量化的道路，上述幾類(lèi)產(chǎn)品的特性約如表2所示。

　　展望NAND市場(chǎng)發(fā)展，今后將有兩個(gè)階段：第一階段(2011～2015年)，以智能手機、平板電腦以及配置SSD的PC終端需求均可望繼續擴大;第二階段(2015年～ )，由從事云計算的服務(wù)器和數據中心等各類(lèi)基礎設施牽引需求。