爾必達全面量產(chǎn)30nmDRAM

　　日本爾必達存儲器(Elpida Memory)宣布，將從2011年5月開(kāi)始全面量產(chǎn)采用30nm工藝的DRAM。生產(chǎn)基地是該公司的廣島工廠(chǎng)和臺灣瑞晶電子(Rexchip Electronics)的工廠(chǎng)。廣島工廠(chǎng)已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)30nmDRAM，2011年4～6月將把比例擴大至20%、2011年7～9月擴大至30%。而瑞晶工廠(chǎng)則計劃在2011年7～9月導入30nmDRAM技術(shù)，2011年7～9月將比例提高至50%、2011年10～12月迅速提高至100%。

　　爾必達從2010年9月開(kāi)始開(kāi)發(fā)30nmDRAM，2010年底開(kāi)始向處理器廠(chǎng)商等大型客戶(hù)樣品供貨2Gbit產(chǎn)品。在市場(chǎng)行情惡化導致DRAM被迫整體減產(chǎn)的情況下，爾必達于2011年1月在廣島工廠(chǎng)開(kāi)始量產(chǎn)30nmDRAM，量產(chǎn)規模在2011年1～3月為數千萬(wàn)枚/月。之后，隨著(zhù)DRAM市場(chǎng)行情的復蘇而取消了減產(chǎn)計劃，廣島工廠(chǎng)恢復了12萬(wàn)枚/月的滿(mǎn)負荷運轉狀態(tài)，其中預定在2011年4～6月使30nmDRAM比例達到20%(其余80%基本上都是40nm工藝產(chǎn)品)。也就是說(shuō)，2011年4～6月的30nmDRAM產(chǎn)量為2萬(wàn)4000枚/月(=12萬(wàn)枚/月×20%)。

　　隨后，爾必達將在2011年7～9月把廣島工廠(chǎng)的30nmDRAM比例提高至30%。此外，還計劃向瑞晶工廠(chǎng)移植30nmDRAM技術(shù)，將2011年 7～9月的30nmDRAM比例提高至50%。因此，把廣島工廠(chǎng)3萬(wàn)6000枚/月(=12萬(wàn)枚/月×30%)和瑞晶工廠(chǎng)4萬(wàn)2500枚/月(=8萬(wàn) 5000枚/月×50%)的產(chǎn)能加起來(lái)，爾必達的30nmDRAM總產(chǎn)量將達到7萬(wàn)8500枚/月。之后，將在2011年10～12月把瑞晶工廠(chǎng)的 30nmDRAM比例提高至100%。另外，廣島工廠(chǎng)還要兼顧其他產(chǎn)品的生產(chǎn)，2011年10～12月的30nmDRAM比例以及該比例達到100%的時(shí)間等“未定”(爾必達)。

　　關(guān)于30nmDRAM的具體生產(chǎn)計劃方面，2011年5月將首先面向個(gè)人電腦(PC)量產(chǎn)2Gbit DDR3-SDRAM，之后在廣島工廠(chǎng)量產(chǎn)4Gbit DDR2標準的“Mobile RAM”和4Gbit DDR3-SDRAM。瑞晶工廠(chǎng)將以量產(chǎn)PC用DRAM為核心。另外，據爾必達介紹，與該公司的40nmDRAM相比，30nmDRAM在每枚晶圓上的芯片獲取量將增加45%左右、耗電量將減少20%以上。