DRAM合約價(jià)成功調漲
在硅晶圓缺貨陰霾未能完全消退下,個(gè)人計算機(PC)大廠(chǎng)補貨需求提前啟動(dòng),4月DRAM合約價(jià)漲聲響起,讓DRAM業(yè)者吃下定心丸,估計4月上旬平均漲幅約6%,而南亞科依據不同客戶(hù)區分,單月漲幅落在5~10%區間,目前2GB容量DDR3模塊價(jià)格調漲至18美元,換算2Gb芯片報價(jià)回升至2美元,預計2GB模塊報價(jià)回升至20美元指日可待,如果硅晶圓吃緊問(wèn)題持續,預計5、6月可順利回升至此價(jià)位。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/118627.htm近期DRAM產(chǎn)業(yè)陷入2種情緒中,一方面是4月合約價(jià)成功調漲,且幅度超過(guò)5%,顯示PC廠(chǎng)對于提高價(jià)格拉貨的趨勢意愿大增,為DRAM產(chǎn)業(yè)確立觸底反彈訊號;但另一方面,4月底前各廠(chǎng)要公布第1季財報,多數臺廠(chǎng)仍無(wú)法擺脫虧損的陰霾,因此DRAM廠(chǎng)雖然有漲價(jià)的利多在,但仍要面對財報利空的考驗。
DRAM廠(chǎng)認為,3月合約價(jià)已陸續調漲,但4月合約價(jià)漲價(jià)成功,進(jìn)一步確立產(chǎn)業(yè)已從谷底復蘇,目前PC客戶(hù)愿意提前拉貨,主要是擔心硅晶圓缺貨陰霾尚未解除,未來(lái)DRAM市場(chǎng)恐有供給吃緊的疑慮,因此愿意漲價(jià)拉貨。
DRAM業(yè)者進(jìn)一步表示,其實(shí)第2季本來(lái)是傳統淡季,原本要面臨「五窮六絕」的考驗,但日本強震后讓市場(chǎng)供需開(kāi)始逆轉,DRAM廠(chǎng)有了調漲價(jià)格的借口,且后市不確定因素太多,PC客戶(hù)很難不買(mǎi)單,刺激很多原本要在第2季末才會(huì )看到的補貨潮出籠,間接把DRAM產(chǎn)業(yè)從谷底拉出。
再者,部分DRAM廠(chǎng)目前也采取限量供應的策略,只供給正常訂單需求,超額訂單的需求暫時(shí)無(wú)法滿(mǎn)足,然以長(cháng)遠來(lái)看,等到硅晶圓缺貨問(wèn)題紓解后,DRAM市場(chǎng)供需將回歸PC市場(chǎng)買(mǎi)氣來(lái)觀(guān)察。
由于全球兩大硅晶圓供貨商信越半導體和SUMCO仍然無(wú)法回復正常生產(chǎn),使得目前半導體業(yè)者的庫存雖然可以支撐未來(lái)1~2個(gè)月的需求,但5月之后的產(chǎn)出仍要看硅晶圓供貨狀況而定。
內存業(yè)者透露,日本311強震之后,有臺系DRAM廠(chǎng)因擔心硅晶圓短缺問(wèn)題持續,而一度考慮4月進(jìn)行小規模減產(chǎn),但在衡量庫存情況,以及緊急調度硅晶圓之后,目前仍維持正常運作,但之后硅晶圓供貨情況的確攸關(guān)DRAM廠(chǎng)仍否順利運作的命脈。此外,南亞科4月上旬利基型內存(SDRAM)和DDR2合約價(jià)調漲8~10%,主要也是受到日本強震效應的刺激。
在硅晶圓供貨吃緊的情況下,如三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)等內存大廠(chǎng)在12吋晶圓廠(chǎng)的產(chǎn)能調配上,受到每片晶圓產(chǎn)值和應用面的考慮,將會(huì )以NAND Flash芯片為優(yōu)先,其次才是標準型DRAM和利基型內存。
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