日本電子信息領(lǐng)域技術(shù)戰略地圖（二）存儲記憶體子領(lǐng)域
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一、日本存儲記憶體技術(shù)戰略地圖制定背景
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/117890.htm日本推出存儲記憶體技術(shù)戰略是基于這樣一種背景之下：一方面隨著(zhù)INTERNET逐步向高速化發(fā)展，大容量視頻圖像傳輸的需求也在增加，相應的大容量存儲器成為必要設備。另一方面消費電子設備，如數碼相機、媒體播放器、手機等的多功能化、小型化的發(fā)展趨勢，使得這些設備所需的存儲記憶體也朝著(zhù)大容量、低耗電的方向發(fā)展，已出現了能存儲幾十倍容量的服務(wù)器和移動(dòng)設備。此外電子設備的瞬時(shí)啟動(dòng)和更長(cháng)的工作時(shí)間也是未來(lái)的熱點(diǎn)需求。因此存儲記憶體技術(shù)是高效的信息處理不可欠缺的技術(shù)之一。
日本在存儲體記憶技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)是圍繞大容量、高速化、節能三方面展開(kāi)的。這也是這次存儲記憶體技術(shù)戰略的重要思考。目前已有的研究項目如下：
在存儲領(lǐng)域內，磁性存儲與光學(xué)存儲是重點(diǎn)，兩者都已提高存儲密度為目的。在“促進(jìn)高先進(jìn)電子技術(shù)開(kāi)發(fā)項目”(1996~2001年)中，研發(fā)垂直磁性記錄方式，以提高硬盤(pán)存儲密度。“納米光控的開(kāi)發(fā)”(1998~2002年)中部分研究成果，已經(jīng)應用在藍光光盤(pán)系統的開(kāi)發(fā)中。
在內存方面，過(guò)去重點(diǎn)是磁阻內存(MRAM)研究，而現在重點(diǎn)是“自旋內存”，在“自旋電子學(xué)非易失性性能項目”中，利用電子的自轉，將全新的原理應用到內存技術(shù)當中，推進(jìn)著(zhù)自旋內存的研發(fā)。
在未來(lái)內存技術(shù)方面，重點(diǎn)是納米槽內存，對應的項目是從2007年開(kāi)始的納米電子學(xué)的研發(fā)項目。
在綠色節能方面，從2008年開(kāi)始了“綠色IT計劃”，著(zhù)手低耗電硬盤(pán)等技術(shù)研發(fā)。
二、日本存儲記憶體技術(shù)戰略地圖研究領(lǐng)域
1、存儲記憶體設備
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項目
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研發(fā)技術(shù)
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主要的性能目的
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磁性存儲
（HDD）
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媒介技術(shù)（模式媒介、熱輔助對應媒介）
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大容量、節能
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記錄頭技術(shù)（熱輔助技術(shù)、微型加工技術(shù)）
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大容量、節能
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再生頭技術(shù)（TMR、CPP-GMR、自旋電子學(xué)應用）
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大容量、節能
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光學(xué)存儲
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高數據運送加速技術(shù)（并行處理）
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節能
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比特微型化技術(shù)（超級鏡片、SIL）
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大容量、節能
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三維記錄技術(shù)（全息圖、2光子吸收）
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大容量、節能
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FLASH
（NAND型、NOR型）
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低縱橫比單元（納米點(diǎn)、TANOS）
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大容量
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多值化技術(shù)（低單元間干擾、鐵電體門(mén)絕緣膜）
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大容量
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多層化技術(shù)（3D、BiCS）
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大容量
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FeRAM
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新存儲單元構成技術(shù)（鏈型、1T型、三維電容）
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大容量
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材料技術(shù)（新鐵電材料）
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大容量
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MRAM
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大容量化技術(shù)（磁感應型、自旋注入型、垂直磁化型）
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大容量
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高速讀取技術(shù)（高功率、材料）
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高速化
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寫(xiě)入技術(shù)（倒自旋注入、磁壁移動(dòng)）
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高速化、節能
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存儲單元構成技術(shù)（高速、多層次、多值、交叉點(diǎn)、邏輯回路）
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大容量、高速化
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PRAM
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材料技術(shù)（新型相變材料 ）
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大容量、高速化
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多值技術(shù)
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大容量
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3維（3D ）
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大容量
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項目
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研發(fā)技術(shù)
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主要的性能目的
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ReRAM
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大容量化技術(shù)
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大容量
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材料技術(shù)
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大容量
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機構解明
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大容量
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PMC-RAM
（原子開(kāi)關(guān)、納米橋內存等）
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重寫(xiě)數增加技術(shù)
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節能
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低耗電技術(shù)
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節能
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卡片型全息圖內存
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波導型（材料、構造、記錄方式）
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大容量
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體積記錄型（材料、構造、記錄方式）
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大容量
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MEMS探針內存
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拓撲記錄法
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大容量
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鐵電/鐵磁系統
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大容量
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磁壁移動(dòng)固體內存
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自旋電子學(xué)技術(shù)
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大容量
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高集成化技術(shù)
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大容量
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有機內存
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材料技術(shù)
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節能
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分子內存
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大容量技術(shù)、低耗電技術(shù)
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大容量、節能
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納米管內存
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微型處理器技術(shù)
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大容量、高速化
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