華虹NEC先進(jìn)BCD180工藝平臺進(jìn)入量產(chǎn)

　　世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠(chǎng)之一，上海華虹NEC電子有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“華虹NEC”)今日宣布其最新研發(fā)成功、處于業(yè)界領(lǐng)先地位的0.18微米BCD(Bipolar CMOS DMOS)--BCD180工藝技術(shù)進(jìn)入量產(chǎn)。該新型BCD180工藝平臺是華虹NEC針對數字電源、電機驅動(dòng)、音頻功放、LED驅動(dòng)、電池保護和高端電源管理等新興應用而開(kāi)發(fā)的，具有高集成度、低功耗、低開(kāi)啟電阻、多樣工藝選項和可編程等優(yōu)點(diǎn)，極大地方便客戶(hù)選擇，為客戶(hù)提供更多的價(jià)值。

　　作為國內首家提供0.35微米BCD和CDMOS量產(chǎn)工藝平臺的代工廠(chǎng)，華虹NEC積累了豐富的BCD工藝技術(shù)的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗?；诹慨a(chǎn)五年以上的成熟的0.18微米邏輯CMOS工藝，結合自身積累的BCD技術(shù)，華虹NEC進(jìn)一步開(kāi)發(fā)了具有國際先進(jìn)水平的0.18微米BCD量產(chǎn)平臺，性能指標達到國際先進(jìn)水平，由此成為國內首家、全球少數幾家可以提供0.18微米BCD量產(chǎn)工藝的代工廠(chǎng)之一。

　　該工藝平臺配備了業(yè)界標準的1.8V/5V的數?；旌螩MOS技術(shù)，有助于減少設計人員開(kāi)發(fā)和驗證邏輯電路的時(shí)間，從而減少開(kāi)發(fā)周期。精心設計的高功率LDMOS具有世界先進(jìn)水平的低導通電阻和柵寄生電容，其最大工作電壓可達40V，主要面向模擬和高速開(kāi)關(guān)應用，提高了產(chǎn)品的穩定性和可靠度，開(kāi)關(guān)速度更快，能量轉化效率更高，安全工作區更廣。

　　“BCD 180提供了垂直的NPN，水平的PNP和襯底PNP三種雙極型器件，來(lái)簡(jiǎn)化客戶(hù)的設計并且更具有靈活性，獨特設計的LDMOS提高了客戶(hù)的競爭力，同時(shí)配備了一系列可選器件如高精度的電阻、高密度的電容及一次與多次可編程存儲器(OTP/MTP)等供客戶(hù)選用。”華虹NEC副總裁兼首席技術(shù)官梅紹寧博士表示，“為滿(mǎn)足日益增長(cháng)的電源管理芯片市場(chǎng)需求，華虹NEC成功開(kāi)發(fā)了0.18微米BCD技術(shù)平臺，以期為高端電源管理SOC芯片提供最佳代工解決方案。公司將繼續深耕模擬領(lǐng)域，不斷提高技術(shù)水平，致力成為BCD領(lǐng)域的領(lǐng)航者。”