ST BCD制程技術(shù)獲頒IEEE里程碑獎 長(cháng)跑35年第十代即將量產(chǎn)
意法半導體(ST)宣布,電機電子工程師學(xué)會(huì )(Institute of Electrical and Electronics Engineering,IEEE)授予意法半導體IEEE里程碑獎,表彰ST在超級整合硅閘半導體制程技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng )新研發(fā)成果。ST的BCD技術(shù)可以單芯片整合雙極制程高精密模擬晶體管、CMOS制程高性能數字開(kāi)關(guān)晶體管和高功率DMOS晶體管,滿(mǎn)足高復雜度、大功率應用的需求。多年來(lái),BCD制程技術(shù)已賦能硬盤(pán)驅動(dòng)器、打印機和汽車(chē)系統等終端應用獲得重大技術(shù)發(fā)展。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202105/425841.htm在意法半導體Agrate工廠(chǎng)的實(shí)時(shí)/在線(xiàn)揭牌儀式中,IEEE意大利分部人道主義活動(dòng)委員會(huì )協(xié)調人暨前秘書(shū)Giambattista Gruosso,以及意法半導體總裁暨執行長(cháng)Jean-Marc Chery共同揭開(kāi)了IEEE里程碑牌匾。
ST率先采用單芯片整合雙極型晶體管、CMOS晶體管和DMOS晶體管(BCD)的超級整合硅閘極制程,解決復雜、具大功率需求的應用設計挑戰。首個(gè)BCD超級集成電路L6202可控制最高60V-5A的功率,開(kāi)關(guān)頻率300kHz。隨后汽車(chē)、計算機和工業(yè)自動(dòng)化也逐漸采用這項制程技術(shù),讓芯片設計人員能靈活、可靠地以單芯片整合功率、模擬和數字訊號處理電路。
IEEE于1983年建立了里程碑計劃,表彰獨特的產(chǎn)品、服務(wù)或具影響力的論文和專(zhuān)利所帶來(lái)的技術(shù)創(chuàng )新和卓越成就。每個(gè)里程碑獎都認可一項重要的技術(shù)成就,必須在IEEE提出的技術(shù)領(lǐng)域具備至少25年的發(fā)展,而且至少具備地區性的影響力。目前IEEE在全球審核并頒發(fā)了約220個(gè)IEEE里程碑獎。
80年代初期,意法半導體工程師開(kāi)始尋找可靠的方法來(lái)解決各種電子應用問(wèn)題,首先在一顆單芯片上整合了異質(zhì)晶體管和異質(zhì)二極管,隨后更著(zhù)眼于多個(gè)細分市場(chǎng)的客戶(hù)需求,成功在數字邏輯的控制下提供數百瓦的電力,讓控制邏輯技術(shù)得以順利遵循摩爾定律。目標組件還將支持精密模擬功能,并最大程度地降低功耗,無(wú)需使用散熱器。
這些研發(fā)的最終成果就是新的整合硅閘技術(shù)BCD(雙極、CMOS、DMOS),它利用復雜的聯(lián)機方法在單個(gè)芯片上整合二極管、雙極線(xiàn)性晶體管、復雜CMOS邏輯和多個(gè)DMOS功率晶體管。BCD首個(gè)芯片是L6202馬達全橋驅動(dòng)器,電壓為60V,電流1.5A,開(kāi)關(guān)頻率300kHz,達到所有設計目標。
自推出BCD制程至今,ST已售出多達400億顆硅閘多功率BCD組件/芯片,第十代BCD技術(shù)也即將開(kāi)始量產(chǎn)。在歐洲和亞洲,這項BCD技術(shù)被廣泛用于車(chē)子用系統、智能型手機、家電、音頻放大器、硬盤(pán)、電源、打印機、微型投影機、照明、醫療設備、馬達、調制解調器、顯示器等。
意法半導體總裁暨執行長(cháng)Jean-Marc Chery表示:「到現在,已經(jīng)過(guò)去35年并經(jīng)歷了九次技術(shù)迭代,我們產(chǎn)出500萬(wàn)片晶圓,并售出400億顆芯片—僅去年一年就銷(xiāo)售近30億顆芯片。能夠得到此一IEEE里程碑獎就意味著(zhù)ST的BCD技術(shù)將被寫(xiě)進(jìn)推動(dòng)人類(lèi)發(fā)展的科技史冊,對此,我們的自豪無(wú)以言表?!?/p>
意法半導體IEEE里程碑獎的牌匾將放置于ST在意大利米蘭市近郊之兩個(gè)工廠(chǎng)的大門(mén)口,包含Brianza的Agrate工廠(chǎng)和米蘭的Castelletto,兩間都曾經(jīng)承擔多硅閘多功率BCD開(kāi)發(fā)運作。
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