華虹半導體拓展電源管理技術(shù)平臺 BCD工藝“8+12”齊發(fā)力

全球領(lǐng)先的特色工藝純晶圓代工企業(yè)——華虹半導體有限公司（“華虹半導體”或“公司”）近日宣布，其高性能90納米BCD工藝平臺在華虹無(wú)錫12英寸生產(chǎn)線(xiàn)順利實(shí)現產(chǎn)品投片。該工藝可極大提高電源效率、顯著(zhù)縮減芯片面積，將在數字電源、數字電機驅動(dòng)、數字音頻功放等芯片領(lǐng)域獲得廣泛應用。

緊貼電源管理技術(shù)高集成度和智能化的發(fā)展趨勢，華虹半導體最新推出了90納米BCD工藝平臺，其LDMOS涵蓋5V至24V電壓段，其中Switch LDMOS具有耐高擊穿電壓下的較低導通電阻，達到業(yè)界先進(jìn)水平。為了滿(mǎn)足高集成度發(fā)展趨勢，該工藝平臺亦提供1.5V CMOS選項，具有更高的邏輯門(mén)密度，可有效縮減芯片面積。結合較少的生產(chǎn)掩模數，能為客戶(hù)提供性?xún)r(jià)比更優(yōu)的芯片代工方案。同時(shí)，該平臺可提供多種器件集成，并配套豐富的數字單元庫和OTP及MTP嵌入式存儲器選項，增強了設計的集成度和靈活度。在該平臺上，華虹半導體還將繼續投入研發(fā)資源，提供更豐富的器件類(lèi)型，并將LDMOS擴展至40V及以上電壓段，覆蓋更廣泛的應用需求。

此外，華虹半導體持續8英寸生產(chǎn)線(xiàn)的研發(fā)創(chuàng )新，優(yōu)化升級現有滿(mǎn)足車(chē)規要求的180納米 BCD技術(shù)，在相同的擊穿電壓下，導通電阻平均降低約25%，技術(shù)性能顯著(zhù)提升，達到業(yè)界先進(jìn)水平。公司將進(jìn)一步將180納米BCD技術(shù)中的LDMOS的最高電壓由40V擴展至100V，并提供更多電壓段的設計選項，滿(mǎn)足工業(yè)控制及汽車(chē)電子領(lǐng)域需求。同時(shí)，集成嵌入式閃存模塊的110納米BCD工藝平臺，可達到車(chē)規級應用要求，實(shí)現了高智能化控制與電源管理集成的單芯片解決方案。

華虹半導體擁有先進(jìn)的模擬及電源管理IC工藝平臺，涵蓋0.5微米到90納米工藝節點(diǎn)，可廣泛應用于電源管理、工業(yè)控制、音頻功放、室內外照明、汽車(chē)電子等領(lǐng)域，是DC-DC轉換器、AC-DC轉換器、LED照明和電池管理等產(chǎn)品的極佳工藝選擇。

華虹半導體執行副總裁范恒 表示，“5G、物聯(lián)網(wǎng)、新能源汽車(chē)等多個(gè)新興應用市場(chǎng)的持續成長(cháng)帶動(dòng)了全球電源管理IC需求的快速增長(cháng)。華虹半導體深耕電源管理IC領(lǐng)域多年，憑借對產(chǎn)品技術(shù)創(chuàng )新的專(zhuān)注以及行業(yè)市場(chǎng)和客戶(hù)需求的深刻洞察，為國內外客戶(hù)提供高效能、極具競爭力的綠色芯制造平臺?！?/p>