下季DRAM和NAND Flash報價(jià)看跌

　　美系內存大廠(chǎng)美光(Micron)預測2011會(huì )計年度第2季(2010年12月~2011年2月)DRAM和NANDFlash報價(jià)將持續走跌，其中DRAM價(jià)格會(huì )下跌約25%，而NANDFlash價(jià)格會(huì )下跌約10%，美光表示，將致力于制程技術(shù)微縮，以期能持續降低生產(chǎn)成本，因應需求不如預期的市況。

　　受到個(gè)人計算機(PC)市場(chǎng)的終端需求不如預期，導致DRAM市場(chǎng)陷入嚴重供過(guò)于求，報價(jià)也持續下滑，加上NANDFlash報價(jià)也是持續有跌，美光2011會(huì )計年度第1季獲利腰斬，但連續5個(gè)季度都交出連續獲利成績(jì)單，財報結果算是沒(méi)有偏離市場(chǎng)預期太遠。

　　美光2011年第1季營(yíng)收為23億美元，凈利1.55億美元，每股盈余0.15美元;與2010年第4季營(yíng)收25億美元相當，但與上季凈利為3.42億美元，第1季獲利明顯大幅度縮水，而上季每股盈余高達0.32美元，第1季每股盈余也是腰斬。

　　若與前1年同期2010年第1季相較，當年度營(yíng)收為17億美元，但凈利達2.04億美元，每股盈余達0.23美元，相形之下，2011年第1季的獲利能力也同樣降低。

　　2011年第1季內存產(chǎn)品線(xiàn)毛利率為26%，相較于2010年第4季37%大幅減少，主要是因為報價(jià)下跌的影響，但制造成本下降也抵銷(xiāo)部分報價(jià)下跌的沖擊。

　　美光表示，2011!年第1季DRAM和NANDFlash平均售價(jià)(ASP)分別下跌23%和15%~20%，展望第2季售價(jià)走勢，預計DRAM和NANDFlash報價(jià)都會(huì )持續下跌，其中DRAM價(jià)格會(huì )下跌約25%，而NANDFlash價(jià)格會(huì )下跌約10%。

　　以2011年第1季美光的出貨量和位成長(cháng)率來(lái)看，DRAM出貨量成長(cháng)5%，位成長(cháng)率下降3%;NAND Flash出貨量成長(cháng)20%，而位成長(cháng)率則成長(cháng)8%;展望第2季，美光表示，預計DRAM為位成長(cháng)率將接近兩位數，而NANDFlash位成長(cháng)率約15%。

　　雖然預計DRAM和NAND Flash價(jià)格會(huì )持續往下，但美光在制程微縮腳步上也絲毫不懈怠，在轉進(jìn)50奈米制程后，也將盡快轉進(jìn)42奈米制程;美光表示，2011年第1季DRAM和NANDFlash成本分別下降10%和12%，預計第2季DRAM成本可再降近10%，NANDFlash將再降個(gè)位數。