英飛凌向中國通信市場(chǎng)推出新一代LDMOS晶體管

　　英飛凌科技(Infineon TEchnologies)公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領(lǐng)先的半導體公司之一，其前身是西門(mén)子集團的半導體部門(mén)。在中國，英飛凌先進(jìn)的半導體解決方案已廣泛應用于各個(gè)領(lǐng)域，該公司憑借其雄厚的技術(shù)實(shí)力和全球領(lǐng)先的經(jīng)驗，與包括中興、華為、方正、握奇等國內領(lǐng)先廠(chǎng)商展開(kāi)深入合作，為中國電子行業(yè)的騰飛做出應有的貢獻。

　　在LDMOS (橫向擴散金屬氧化物半導體)晶體管方面，英飛凌立足于最先進(jìn)的LDMOS工藝技術(shù)和改善散熱性能的封裝，這家公司可制造門(mén)類(lèi)齊全的RF功率晶體管和芯片產(chǎn)品，全面支持所有主要的無(wú)線(xiàn)通信和廣播頻段。先進(jìn)的LDMOS工藝以及全自動(dòng)RF組裝和測試生產(chǎn)線(xiàn)，確保其產(chǎn)品具有業(yè)內領(lǐng)先的性能和質(zhì)量。目前，包括愛(ài)立信、華為和中興在內的不少知名的無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )設備商都在大批采用英飛凌的LDMOS管。

　　PTFB系列LDMOS晶體管是英飛凌全新推出的可供設計寬頻無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )基站的高功率LDMOS晶體管系列產(chǎn)品，新型晶體管的單管輸出功率高達300W，完全支持由3G發(fā)展為4G無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )所需的高峰值對均值功率比(peak to average power ratio)以及高數據傳輸速率規格。PTFB系列系列產(chǎn)品所提供的高增益及高功率密度，主要應用在1.4-2.6GHz頻帶中。如此將可使用體積減少30%的器件，設計更小型且成本更低的功率放大器。高峰值功率非常有助于設計Doherty放大器，以及減少其它架構中的零件數量。

　　新型PTFB系列晶體管皆采用開(kāi)放式共振腔(open-cavity)陶瓷封裝，供螺栓式(bolt-down)或無(wú)耳式(earless)安裝。這些產(chǎn)品皆無(wú)鉛并符合ROHS規格，非常適合應用在WCDMA信號設備上，能夠為設備提供出更高的增益和效率，還可大幅度提升最新MCPA(多載波功率放大器)和數字預失真系統的性能，可以滿(mǎn)足高級通信業(yè)務(wù)的移動(dòng)網(wǎng)絡(luò )運營(yíng)商的要求。該系列的產(chǎn)品現已投產(chǎn)。

　　英飛凌公司通過(guò)推出新一代LDMOS工藝，再次表明了其為移動(dòng)網(wǎng)絡(luò )提供尖端射頻功率技術(shù)的堅定決心。新一代技術(shù)產(chǎn)品的推出，能夠讓無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )系統開(kāi)發(fā)商降低成本，提高系統性能，增強系統質(zhì)量和可靠性。

　　目前，該系列產(chǎn)品的相關(guān)技術(shù)支持及供貨情況可咨詢(xún)世強電訊。