力晶9月?tīng)I收衰退至75.19億

　　DRAM大廠(chǎng)力晶自結9月?tīng)I收新臺幣75.19億元，較上月88.88億元減少15%，累計前9月?tīng)I收為675億元;力晶發(fā)言人譚仲民表示，9月?tīng)I收下滑主要是受到DRAM現貨價(jià)疲軟的影響，隨著(zhù)12寸晶圓廠(chǎng)代工業(yè)務(wù)的需求和報價(jià)回穩，標準型DRAM制程技術(shù)也逐漸轉進(jìn)爾必達63納米制程，未來(lái)成本可望進(jìn)一步下降。

　　受到DRAM現貨價(jià)和合約價(jià)大幅下修的影響，DRAM廠(chǎng)9月?tīng)I收除了華亞科受惠50納米制程大量轉換成功之賜，而逆勢成長(cháng)之外，其它各廠(chǎng)營(yíng)收都呈現下滑趨勢，包括力晶、瑞晶、南亞科、茂德等9月?tīng)I收都難逃衰退命運。

　　力晶9月?tīng)I收下滑15%，主要是反應9月現貨價(jià)格下跌，大陸十一長(cháng)假之前的預期補貨需求落空，個(gè)人計算機(PC)終端需求也不如預期順利，消費性換機潮和企業(yè)換機潮都沒(méi)有明顯發(fā)酵，使得DRAM價(jià)格一路下跌，加上新臺幣升值問(wèn)題，都沖擊DRAM廠(chǎng)9月?tīng)I收表現。

　　力晶目前的因應之策，是盡早轉進(jìn)63納米制程技術(shù)，預計成本可再較65納米制程下滑20%，目前已積極添購浸潤式曝光機臺(Immersion Scanner)，加速制程轉換的時(shí)間，以進(jìn)一步降低成本且提升營(yíng)運競爭力。

　　力晶上半年稅前獲利為425億元，每股盈余1.88元，公司自結9月?tīng)I收為75.19億元，較上月88.88億元減少15%，終結自從2010年2月以來(lái)，營(yíng)收一直呈現上漲的走勢，累計前9月?tīng)I收為675億元，第3季雖然DRAM價(jià)格下跌，看市場(chǎng)對于力晶第3季獲利仍是寄予厚望，預計力晶和瑞晶第3季財報會(huì )是臺系DRAM廠(chǎng)中，少數獲利的業(yè)者。

　　力晶對于2010年的資本支出規劃約新臺幣120億元，其中70%支出都用于轉換至63納米制程的費用，剩下30%支出是為未來(lái)轉換至45納米制程做準備，2011年力晶45納米制程量產(chǎn)后，可趕上2Gb產(chǎn)品榮登主流的熱潮。

　　除了標準型DRAM產(chǎn)品之外，力晶代工產(chǎn)能還包括利基型存儲器(SDRM)、NAND Flash產(chǎn)品等，其中NAND Flash芯片技術(shù)是技轉自日系大廠(chǎng)瑞薩(Renesas)AG-AND Flash架構，之前瑞薩決定在90納米制程之后放棄NAND Flash產(chǎn)品，之后由力晶接手，下半年力晶將朝高容量發(fā)展，包括利用40納米制程生產(chǎn)16Gb產(chǎn)品。