宏力半導體發(fā)布0.13微米鋁制程邏輯及混合信號工藝

　　上海宏力半導體制造有限公司 (宏力半導體)近日發(fā)布其低本高效的0.13微米鋁制程邏輯及混合信號工藝。

　　與0.18微米技術(shù)節點(diǎn)相比，0.13微米可以將芯片尺寸最多縮小50%并使其提供更快的速度。宏力半導體的0.13微米鋁制程邏輯及混合信號工藝可以提供通用和低壓制程兩個(gè)選擇。通用制程的核心邏輯電壓是1.2伏，而低壓制程則為1.5伏。該制程可以支持最多7層金屬層，同時(shí)提供MIM, HRP 和 DNW等支持混合信號設計，并提供不同性能的器件，客戶(hù)可以進(jìn)行更優(yōu)化的芯片設計。

　　與0.13微米銅制程相比，宏力半導體的0.13微米鋁制程邏輯及混合信號工藝可以提供一個(gè)低本高效的解決方案和卓越的性能。經(jīng)過(guò)驗證的設計規則以及SPICE 仿真模型可以方便客戶(hù)的現有產(chǎn)品從銅制程遷移至鋁制程，或者從低端技術(shù)節點(diǎn)轉到0.13微米，從而縮短客戶(hù)產(chǎn)品的上市周期。與此同時(shí)，宏力半導體與設計服務(wù)公司合作提供專(zhuān)業(yè)、完整并通過(guò)硅認證的單元庫和IP模塊以滿(mǎn)足客戶(hù)芯片設計的需求。除此以外，基于宏力半導體成熟的光縮技術(shù)，該制程還可縮小至0.115微米，從而為客戶(hù)在每片晶圓上提供多于20%的裸片。

　　“宏力半導體一直執行著(zhù)差異化技術(shù)的戰略，因此我們研發(fā)了0.13微米的鋁制程邏輯及混合信號工藝。當幾年前晶圓代工廠(chǎng)剛剛開(kāi)發(fā)0.13微米制程的時(shí)候，銅由于其更優(yōu)良的電遷移以及更好的導電性能而成為首選。隨著(zhù)越來(lái)越多的產(chǎn)品設計，尤其是消費類(lèi)電子產(chǎn)品的技術(shù)開(kāi)始遷移到0.13微米的制程，業(yè)者普遍希望能夠有更為低本高效的解決方案。”宏力半導體銷(xiāo)售市場(chǎng)服務(wù)單位資深副總衛彼得博士表示，“宏力半導體已經(jīng)擁有豐富的邏輯產(chǎn)品的量產(chǎn)經(jīng)驗，其良率和品質(zhì)也是一流的。這個(gè)新的平臺將在更大程度上滿(mǎn)足消費類(lèi)電子產(chǎn)品的客戶(hù)，比如：閃存控制器、數碼相框、電腦攝像頭、音頻及視頻解碼器等。”