IBM生產(chǎn)線(xiàn)俱樂(lè )部進(jìn)入高k介質(zhì)時(shí)代

　　為了超過(guò)競爭對手IBM的fab club(生產(chǎn)線(xiàn)俱樂(lè )部) 己經(jīng)實(shí)現了它們的之前預想。

　　它的俱樂(lè )部包括ARM、IBM、Samsung、GlobalFoundries及Synopsys，據報道已能提供基于高k和金屬柵的 32/28nm的工藝及設計平臺。

　　IBM的fab club包括IBM、Samsung及GlobalFoundries在2008年首先公布32nm工藝。而在去年該俱樂(lè )部宣布28nm工藝，都是高k介質(zhì)工藝，由成員單位共同開(kāi)發(fā)完成。

　　上周三星宣稱(chēng)，它的代工業(yè)務(wù)已可提供32nm低功耗的高k/金屬柵工藝。

　　三星表示此種工藝己在它位于韓國的Giheung300mm邏輯電路生產(chǎn)線(xiàn)上完成可靠性測試，目前可以提供給客戶(hù)進(jìn)行設計，并投產(chǎn)。

　　對于28nm低功耗工藝已在Global Foundries完成factory qualified(工廠(chǎng)驗證) 及三星于2011年Q1也相繼完成。

　　三星在高k/金屬柵工藝方面已走在全球商業(yè)化的領(lǐng)先地位，而Global Foundries表示它將放棄32nm而直接進(jìn)入28nm。

　　IBM的32/28nm綜合解決方案包括ARM的物理IP及Synopsys的EDA設計流程。平臺進(jìn)一步推動(dòng)ARM的Cortex技術(shù)進(jìn)步，同樣可用Galaxy和其它EDA工具來(lái)利用Synopsys的Lynx設計系統。對于32/28nm設計，從RTL至GDSII的執行方案減少風(fēng)險及總的設計成本。

　　對于大部分領(lǐng)先的芯片制造商都希望早日使用高k介質(zhì)工藝，但是大部分制造商發(fā)現工藝非常困難。英特爾是例外，它們采用后柵的高k工藝，己能提供 45/32nm工藝。

　　由此，IBM 的fab club己走在臺灣競爭對手的前頭。TSMC居全球代工首位，它們希望在今年9月底能導入高功能的高k金屬柵工藝。到12月時(shí)，TSMC認為能提供高功能 /低功耗的高k金屬柵的28nm工藝。

　　另一家代工商聯(lián)電也宣稱(chēng)將提供高k工藝。