中芯國際與臺灣旺宏提出銅基電阻型RAM

　　6月15-17日于夏威夷 由VLSI技術(shù)公司組織的討論會(huì )上將聽(tīng)到兩篇有關(guān)基于銅基的電阻型隨機存儲器(RAM)方面的報告。

　　其中一個(gè)研究小組來(lái)自上海復旦大學(xué)和中芯國際，它們提出采用銅與二氧化硅(CuxSiyO)的混合物，已經(jīng)制成1Mbit存儲器，并集成在標準邏輯工藝中。(注：通常邏輯工藝是無(wú)法與存儲器工藝集成在一起制造)

　　該小組研究人員在文章前言中表示，通常被半導體知曉的兩種銅的二氧化物，它們的銅空穴在特定的混合體CuxSiyo中遷移的激活能要比CuxO高出5倍多，因而大大改善性能。

　　同樣來(lái)自臺灣地區的Macronix(旺宏國際) (臺灣新竹)在討論會(huì )上也發(fā)表一篇文章。他們把通常更廣泛用在相移存儲器中的硫族化合物與銅及二氧化硅組合在一起，制造出一種電化學(xué)的電阻型隨機存儲器。(注：旺宏電子為全球最大及最先進(jìn)的只讀存儲器生產(chǎn)制造公司。)

　　一種基于電化學(xué)感應的導電橋式的固體電解液被利用在TiTe加上Cu GeSbTe/SiO2材料中制成的電阻型存儲器。

　　作者表示器件由一種銅摻雜的GeSbTe離子源， 一層SiO2及TiTe離子緩沖層組成。由于離子緩沖層把銅導電路徑與銅離子源層分隔開(kāi)，因而增加了材料的穩定性。此種三層器件具有很低的熱阻及良好的電學(xué)特性。