聯(lián)電65奈米以下比重大躍進(jìn)　2Q將達25%

　　聯(lián)電在先進(jìn)制程有所進(jìn)展!聯(lián)電執行長(cháng)孫世偉表示，該公司在40奈米良率持續提升，28奈米后閘極(HK/MG)技術(shù)也將于2010年底達到 IP試制能力，20奈米也于2010年初與客戶(hù)合作進(jìn)行規畫(huà)。孫世偉看好65奈米以下先進(jìn)制程技術(shù)發(fā)展，估計第2季65奈米以下制程比重將往25%靠近，年底前可望進(jìn)一步躍升到30~40%。

　　聯(lián)電第1季65奈米以下制程技術(shù)比重約18%，較2009年第4季上升1個(gè)百分點(diǎn)。預期第2季可望顯著(zhù)攀高，將逼近25%。聯(lián)電執行長(cháng)孫世偉預期，下半年65奈米以下制程技術(shù)比重可望進(jìn)一步達30~40%。

　　其中，40/45奈米制程下半年比重將拉高至3%，估計到年底40奈米靜態(tài)月產(chǎn)能約5,000~10,000片。

　　孫世偉表示，該公司自行研發(fā)的高效能40奈米邏輯制程，在客戶(hù)產(chǎn)品生產(chǎn)良率上持續穩定提升，45奈米低功率制程亦順利量產(chǎn)。在40奈米客戶(hù)開(kāi)發(fā)上，無(wú)論是高效能或低功率制程，已有多家客戶(hù)產(chǎn)品驗證成功，并持續支持更多客戶(hù)的產(chǎn)品設計。

　　而 28奈米后閘極(HK/MG)技術(shù)開(kāi)發(fā)順利，已按既定計畫(huà)預計于 2010年底達到IP試制的能力。先進(jìn)20奈米技術(shù)也于2010年初開(kāi)始與客戶(hù)合作進(jìn)行規劃及先期開(kāi)發(fā)工作。

　　隨著(zhù)高階技術(shù)進(jìn)展，孫世偉說(shuō)，聯(lián)電陸續投入的資本支出將逐季開(kāi)出高階產(chǎn)能。其中，新加坡Fab12i廠(chǎng)65/55奈米產(chǎn)能將自第2季起顯著(zhù)增加;臺南科學(xué)園區 Fab12A廠(chǎng)第3期無(wú)塵室相關(guān)設施與機臺裝置時(shí)程將提前至第3季完成，預計于第4季開(kāi)始試產(chǎn)。

　　孫世偉估計，12寸晶圓產(chǎn)能估計到年底將比 2009年底增加12%，其中第1季比上季成長(cháng)2%，第2季將再比首季成長(cháng)2.5%，到第3季會(huì )成長(cháng)更多，幅度略低于4%，主要系新加坡Fab12i廠(chǎng)產(chǎn)能開(kāi)出所貢獻。

　　展望第2季營(yíng)運，聯(lián)電第2季晶圓出貨量將會(huì )再成長(cháng)7~9%，續締新猷;平均單價(jià)會(huì )較首季上升，然而恐將遭新臺幣升值所抵銷(xiāo);由于客戶(hù)需求暢旺，產(chǎn)能利用率將可望高于95%，進(jìn)而提振毛利率上升至25%以上。

　　在財報部分，聯(lián)電2010年第1季營(yíng)收為新臺幣 267.2億元，較上季減少約3.7%，單季毛利率降至24.6%，稅后凈利34.8億元，較前季減少近21%，每股凈利0.28元。