追趕65納米

　　在渡過(guò)困難的09年后,全球半導體業(yè)迎來(lái)新一輪的高潮。市場(chǎng)相繼出現存儲器, 模擬電路等缺貨現象及OEM庫存不足。具風(fēng)向標意義的1Gb DDR2價(jià)格由1,5美元升至3,0美元, 所以虧損了近3年的美光, 爾必達及海力士都報導扭虧為盈, 預計2010年全球DRAM增長(cháng)40%,可達319億美元。

　　以臺積電為首的代工業(yè)也是看好, 預計今年有20%的增長(cháng)。2010年Q1，它的65納米先進(jìn)制程取消淡季的固定優(yōu)惠，實(shí)際上是變相的價(jià)格上漲。臺積電去年第四季營(yíng)收920.9億臺幣，季增2.4%，65納米占營(yíng)收30%，換算約276.27億臺幣。與去年第三季臺積電整個(gè)季度營(yíng)收的278億臺幣相比較，并未隨營(yíng)業(yè)額同步增加,主要是目前65納米的產(chǎn)能不足，無(wú)法增加投片量。

　　分析師認為，如今65納米取消每季降價(jià)5%回饋客戶(hù)的慣例，臺積電投片量雖沒(méi)有增加，卻開(kāi)始變相漲價(jià)，依此來(lái)帶動(dòng)65納米的營(yíng)收進(jìn)一步成長(cháng)。

　　縱觀(guān)全球代工工藝制程,90納米制程經(jīng)短暫的沖高, 而開(kāi)始下降趨穩定。 目前65納米已是高端代工的主要訂單來(lái)源, 據有媒體報道臺積電的65納米市場(chǎng)份額可能占全球的70%以上(可能是2009 Q3, 不是現在)，占其總營(yíng)收的30%, 聯(lián)電占20%及中芯國際約占5-7%, 而globalfoundries與三星的比例尚不知, 相信也正努力地追趕。

　　目前65納米硅片代工價(jià)格, 臺積電為每個(gè)12英寸晶園5000美元, 聯(lián)電為4500美元。

　　臺積電在高端代工中, 目前先進(jìn)制程是40納米, 預計今年底為28納米, 它于近日又提出放棄22納米, 而直接躍入20納米, 并預期于2013年開(kāi)始量產(chǎn)。

　　然而目前65納米占臺積電的營(yíng)收已達30%,而40納米占10%。由此表明技術(shù)的先進(jìn)性仍是推動(dòng)全球代工進(jìn)步的主要推手。

　　所以目前中芯國際應依追趕65納米技術(shù)為主, 關(guān)鍵能爭得65納米的市場(chǎng)訂單。因為如依中芯國際的8英寸硅片平均售價(jià)每片800美元計, 那么65納米的訂單至少應該每個(gè)12英寸硅片為4000美元左右, 折合成8英寸也能1700美元，幾乎高出100%。所以中芯國際如若能擴大65納米的訂單, 其扭虧為盈就會(huì )馬上來(lái)臨。