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肖特基二極管
肖特基二極管 文章 進(jìn)入肖特基二極管技術(shù)社區
為什么所有的SiC肖特基二極管都不一樣
- 在高功率應用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開(kāi)關(guān)性能。但是，與硅快速恢復二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導體）如何將先進(jìn)的器件結構與創(chuàng )新工藝技術(shù)結合在一起，以進(jìn)一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。在高功率應用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開(kāi)關(guān)性能。但是，與硅快速恢復二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導體
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中國科大在氧化鎵半導體器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展
- IT之家 12 月 12 日消息，據中國科大發(fā)布，第 68 屆 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM, 國際電子器件大會(huì )) 近期在美國舊金山召開(kāi)。IEEE IEDM 是年度微電子和納電子學(xué)術(shù)會(huì )議，是報告半導體和電子器件技術(shù)、設計、制造、物理和建模等領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)突破的世界頂級論壇，其與 ISSCC、VLSI 并稱(chēng)為集成電路和半導體領(lǐng)域的“奧林匹克盛會(huì )”。中國科大國家示范性微電子學(xué)院龍世兵教授課題組兩篇關(guān)于氧化鎵器件的研究論文（高功率氧
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Littelfuse將于2019年APEC大會(huì )上推出650V碳化硅肖特基二極管，該二極管提供新的封裝尺寸以及6A至40A的額定電流
- Littelfuse, Inc.今日宣布推出兩款二極管，進(jìn)一步擴大了其二代650V、符合AEC-Q101標準的碳化硅肖特基二極管系列。 相比傳統的硅基器件，兩個(gè)系列均為電力電子系統設計人員提供多種優(yōu)勢，包括可忽略不計的反向恢復電流、高浪涌保護能力以及175°C最高運行結溫，因此是需要增強效率、可靠性與熱管理的應用的理想選擇。 這些產(chǎn)品將在加州安海姆舉辦的應用電力電子會(huì )議(APEC 2019)上亮相。Littelfuse展位號：253?！ SIC2SD065DxxA/LSIC2SD065Exx
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Littelfuse新推經(jīng)過(guò)擴展的碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品系列，可降低開(kāi)關(guān)損耗，提高效率和耐用性
- Littelfuse, Inc.，作為全球電路保護領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，今日宣布新推出了四個(gè)隸屬于其第2代產(chǎn)品家族的1200V碳化硅(SiC)肖特基二極管系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品家族最初于2017年5月發(fā)布?！ 〉?代1200V碳化硅肖特基二極管 LSIC2SD120A08系列、LSIC2SD120A15系列和LSIC2SD120A20系列的額定電流分別為8A、15A、20A，并采用主流的TO-220-2L封裝。 此外，LSIC2SD120C08系列的額定電流為8A，采用TO-252-2L封裝
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Littelfuse 新推新平臺開(kāi)發(fā)的首批產(chǎn)品1200V碳化硅肖特基二極管，具有更低的開(kāi)關(guān)損耗與更高的效率
- -Littelfuse, Inc.，作為全球電路保護領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，今天宣布推出首款GEN2系列1200V碳化硅(SiC)肖特基二極管，以配合2017年歐洲電力轉換與智能運動(dòng)(PCIM)展的開(kāi)幕。 這種碳化硅二極管是通過(guò)Littelfuse與Monolith Semiconductor合作技術(shù)平臺開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品系列中的首批產(chǎn)品。 其他基于該技術(shù)平臺的碳化硅產(chǎn)品(包括1200V碳化硅金氧半場(chǎng)效晶體管)正在籌備中，預計于不遠的將來(lái)推出?！ EN2系列碳化硅肖特基二極管
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肖特基二極管的目前趨勢
- 引言 雖然肖特基二極管已經(jīng)上市有幾十年了，新的發(fā)展和產(chǎn)品卻不斷增強了它的特性并擴展了應用的可能性。除了太陽(yáng)能電池板和汽車(chē)，它們現在也被用于筆記本電腦、智能手機和平板電腦的電池充電器?！ ≡缭?938年，德國物理學(xué)家Walter?Schottky開(kāi)發(fā)了金屬-半導體接觸的模型。與半導體-半導體接觸相反，肖特基二極管由于材料組成的選擇方式在半導體的界面上形成了一個(gè)耗盡區而因此具有勢壘。這防止了低于特定功率閾值的電功率在金屬和半導體之間流通。肖特基二極管因此比其他金屬-半導體二極管(例如：表現出歐
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深度挖掘肖特基二極管應用要點(diǎn)
- 肖特基二極管廣泛應用于開(kāi)關(guān)電源中，每一個(gè)從事電子行業(yè)的人都有聽(tīng)過(guò)肖特基，但我們是否真正了解,肖特基內部結構、應用范圍以及為什么肖特基廣泛應用于高頻開(kāi)關(guān)電源中?那么下面就讓我們一起走進(jìn)肖特基的世界尋找我們想要的答案。 二極管有多種類(lèi)型：按材料分為鍺二極管、硅二極管、砷化鎵二極管等;按管芯結構可分為面接觸二極管和點(diǎn)接觸二極管;按用途不同又可分為整流二極管、檢波二極管、穩壓二極管、變容二極管、光電二極管、發(fā)光二極管、開(kāi)關(guān)二極管、快速恢復二極管等;按照結類(lèi)型又可分為半導體結型二極管和金屬半導體結型二極管
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日益壯大的ROHM最新功率元器件產(chǎn)品陣容
- 前言 全球知名半導體制造商ROHM利用多年來(lái)在消費電子領(lǐng)域積累的技術(shù)優(yōu)勢，正在積極推進(jìn)面向工業(yè)設備領(lǐng)域的產(chǎn)品陣容擴充。在支撐“節能、創(chuàng )能、蓄能”技術(shù)的半導體功率元器件領(lǐng)域，ROHM實(shí)現了具有硅半導體無(wú)法得到的突破性特性的碳化硅半導體(SiC半導體)的量產(chǎn)。另外，在傳統的硅半導體功率元器件領(lǐng)域，實(shí)現了從分立式半導體到IC全覆蓋的融合了ROHM綜合實(shí)力的復合型產(chǎn)品群。下面介紹這些產(chǎn)品中的一部分。 已逐步滲透到生活中的SiC功率元器件 SiC功率元器件是以碳和硅組成
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一種用于汽車(chē)啟停系統的電源設計方案
- 為了控制燃油消耗，許多汽車(chē)制造商在下一代汽車(chē)中實(shí)現了“啟?！惫δ?，而且為數眾多的這種汽車(chē)已經(jīng)開(kāi)始上路。這些系統會(huì )在汽車(chē)停下來(lái)時(shí)關(guān)閉發(fā)動(dòng)機，當腳從剎車(chē)踏板移動(dòng)到加速踏板——或者在使用手動(dòng)檔情況下釋放離合器踏板重新接入動(dòng)力時(shí)又自動(dòng)重新啟動(dòng)發(fā)動(dòng)機。在城市行駛和停停走走的高峰時(shí)段這種功能非常有助于減少燃油消耗。 然而，這種系統也給汽車(chē)電子帶來(lái)了一些獨特的工程技術(shù)挑戰，因為在發(fā)動(dòng)機重啟時(shí)電池電壓可能降至6.0V或更低。另外，典型的電子模塊都包含有一個(gè)反極性的二極管，
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肖特基二極管介紹
目錄
簡(jiǎn)介
原理
優(yōu)點(diǎn)
結構
特點(diǎn)
應用
其它
簡(jiǎn)介
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫(xiě)成SBD）的簡(jiǎn)稱(chēng)。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。因此，SBD也稱(chēng)為金屬－半導 [ 查看詳細 ]
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