TI 推出通過(guò)封裝頂部散熱的標準尺寸功率MOSFET
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日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應用推出業(yè)界第一個(gè)通過(guò)封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對其它標準尺寸封裝的產(chǎn)品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于縮小終端設備的尺寸，同時(shí)還可將MOSFET允許的電流提高 50%，并改進(jìn)散熱管理。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/105392.htm該系列包含的 5 款 NexFET 器件支持計算機與電信系統設計人員使用具有擴充內存及更高電流的處理器，同時(shí)顯著(zhù)節省板級空間。這些采用高級封裝的 MOSFET 可廣泛用于各種終端應用，其中包括臺式個(gè)人計算機、服務(wù)器、電信或網(wǎng)絡(luò )設備、基站以及高電流工業(yè)系統等。
TI 高級副總裁兼電源管理全球經(jīng)理 Steve Anderson 指出：“我們的客戶(hù)需要具有更小體積和更高電流的 DC/DC 電源，以滿(mǎn)足各種基礎設施市場(chǎng)對處理器功能提出的更高要求。DualCool NexFET 功率 MOSFET 能夠以不變的幾何尺寸傳輸更多的電流，可充分滿(mǎn)足這一需求。”
DualCool NexFET 功率 MOSFET 的主要特性與優(yōu)勢：
· 作為單相35A 同步降壓轉換器的 MOSFET， 采用一個(gè) MOSFET 即可滿(mǎn)足高電流 DC/DC 應用中的高、低側兩種開(kāi)關(guān)需求;
· 增強型封裝技術(shù)可將封裝頂部熱阻從10 ~ 15°C/每瓦降至1.2°C/每瓦，從而將該封裝所能承受的功耗提升 80%;
· 高效的雙面散熱技術(shù)可將允許通過(guò) FET 的電流提高 50%，設計人員無(wú)需增加終端設備尺寸，即可高度靈活地使用需要更高電流驅動(dòng)的處理器;
· 業(yè)界標準 5 毫米 x 6 毫米 SON 封裝可簡(jiǎn)化設計、降低成本，與使用兩個(gè)標準5x6封裝相比，可節省 30mm2的空間。
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