IR推出100V集成MOSFET解決方案

為PoE應用節省80%的占位空間

國際整流器公司近日推出IRF4000型100V器件。該器件將4個(gè)HEXFET  MOSFET集成在一個(gè)功率MLP封裝內，可滿(mǎn)足以太網(wǎng)供電（Power-over-Ethernet，簡(jiǎn)稱(chēng)PoE）應用的需求。這款新器件符合針對網(wǎng)絡(luò )和通信基礎設施系統的IEEE802.3af標準，例如以太網(wǎng)交換器、路由器和集線(xiàn)器等，可提供每端口15W的功率，并能取代4個(gè)獨立SOT-223封裝的MOSFET。其減少的占位面積相當于節省了80%的空間，或相當于典型48端口電路板中3平方英寸的占板面積。

IR中國及香港銷(xiāo)售總監嚴國富指出：“PoE卡的每個(gè)端口都需要有各自的MOSFET，IRF4000正好可以滿(mǎn)足這種需要。與使用單獨MOSFET的解決方案相比，它能大幅度減少零件數目，同時(shí)簡(jiǎn)化制造工藝，可在48端口系統中節省36個(gè)插入元件?！?

IEEE 802.3af提出了在網(wǎng)絡(luò )系統中由電源設備通過(guò)局域網(wǎng)向用電裝置供電的標準。IR的這款新型MOSFET的工作類(lèi)似一個(gè)熱交換場(chǎng)效應管，在受控環(huán)境下，可將電力由電源設備輸送到用電裝置。由于它必須在線(xiàn)性區域工作，工作環(huán)境也非常嚴峻，因此必須設置一個(gè)高度穩定的安全工作區域（SOA）。

IRF4000采用低跨導硅技術(shù)，封裝熱阻約1