Intel改銻化銦晶體管十年內生產(chǎn)

    在近日舉行的國際電子器件會(huì )議上，英特爾研究人員宣布，該公司已經(jīng)在“為新一代處理器開(kāi)發(fā)采用硅以外材料的新型晶體管”方面取得進(jìn)展。 

　　多年來(lái)，硅一直是生產(chǎn)芯片的基本材料，英特爾和其它芯片生產(chǎn)商大約每隔兩年就能通過(guò)縮放比例或者減小晶體管體積改善芯片性能，在提高運算速度的同時(shí)允許在芯片上搭建更多晶體管。 

　　由于晶體管已經(jīng)接近個(gè)別原子大小，為了在今后十年的生產(chǎn)過(guò)程繼續保持這一節奏，芯片界致力于尋求生產(chǎn)晶體管的新途徑。英特爾技術(shù)分析師Rob Willoner表示，在類(lèi)似英特爾這種化合物半導體模型的某些情況下，新材料被引入生產(chǎn)過(guò)程，進(jìn)而改善芯片性能，而不再僅僅依靠縮放比例。 

　　在近日公布的文件中，英特爾研究人員解釋銦和銻兩種材料如何改善未來(lái)晶體管的性能。Willoner宣稱(chēng)，今年年初英特爾與英國QinetiQ公司展出銻化銦晶體管模型，而現在體積得到進(jìn)一步減小，因而更適合大規模計算。 

　　在元素周期表中，硅位于第四列，這意味著(zhù)硅原子最外層包含4個(gè)電子。元素通過(guò)失去、得到或者共享電子的方式達到最外層8個(gè)電子的穩定狀態(tài)。銦位于第三列，原子最外層包含3個(gè)電子，銻則位于第五列。與普通硅晶體相比，兩種元素生產(chǎn)出的晶體管，運算速度將提升50％，消耗功率也將明顯下降，因為銻化銦晶體管具有相對較高的電子遷移率。 

　　英特爾開(kāi)發(fā)銻化銦晶體管取代傳統的硅晶體管。晶體管通常用來(lái)代表“0”和“1”，構成基本計算邏輯；電流通過(guò)晶體管時(shí)代表一種狀態(tài)，而當電流被晶體管阻斷時(shí)則代表另外一種狀態(tài)。Willoner表示，與今年2月份展示的耗盡型晶體管模型相比，本周三展示的新的增強型晶體管模型功耗很小。 

　　種種跡象表明未來(lái)硅谷將不會(huì )發(fā)生改變，因為在未來(lái)芯片生產(chǎn)中硅將不會(huì )被銻化銦完全取代，硅是地球上儲量排名第二的元素。英特爾和QinetiQ面臨的下一個(gè)挑戰是如何將這種晶體管整合到硅片上，因為砷化鎵晶片通常用作晶體管模型，與硅相比，批量生產(chǎn)成本較高。 

　　與此同時(shí)，兩家公司希望能夠在2010和2015年間生產(chǎn)出包含銻化銦晶體管的實(shí)際工作芯片成品。