非易失性半導體存儲器的相變機制

　　PCM被業(yè)界看好是因為兩大原因。第一原因是存儲器功能性增強：這些改進(jìn)之處包括更短的隨機訪(fǎng)存時(shí)間、更快的讀寫(xiě)速度，以及直接寫(xiě)入、位粒度和高耐讀寫(xiě)能力。整合今天的閃存和快速動(dòng)態(tài)隨機訪(fǎng)問(wèn)存儲器(DRAM)的部分特性，PCM技術(shù)將存儲器的功能提升到一個(gè)新的水平，最終不僅可以取代閃存，還能替代DRAM的部分用處，如常用操作碼保存和高性能磁盤(pán)緩存 (圖2) 。

　　存儲單元小和制造工藝可以升級是讓人們看好PCM的第二大理由。相變物理性質(zhì)顯示制程有望升級到5 nm節點(diǎn)以下，有可能把閃存確立的成本降低和密度提高的速度延續到下一個(gè)十年期。

　　采用一項標準CMOS技術(shù)整合PCM概念、存儲單元結構及陣列和芯片測試載具的方案已通過(guò)廣泛的評估和論證。128 Mb高密度相變存儲器原型經(jīng)過(guò)90 nm制程論證，測試表明性能和可靠性良好。根據目前已取得的制程整合結果和對PCM整合細節理解水平，下一個(gè)開(kāi)發(fā)階段將是采用升級技術(shù)制造千兆位(Gbit)級別的PCM存儲器。

　　【參考文獻】

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