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恒憶
恒憶 文章 進(jìn)入恒憶技術(shù)社區
恒憶Omneo系列相變存儲器耐寫(xiě)次數高達100萬(wàn)次
- 近日，恒憶(Numonyx)作為相變存儲技術(shù)(PCM)的創(chuàng )新者，宣布正式推出全新系列相變存儲器。該系列產(chǎn)品采用被稱(chēng)為相變存儲(PCM)的新一代存儲技術(shù)，具有更高的寫(xiě)入性能、耐寫(xiě)次數和設計簡(jiǎn)易性，適用于固線(xiàn)和無(wú)線(xiàn)通信設備、消費電子、PC和其他嵌入式應用設備。目前該產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)，并向市場(chǎng)供貨。 這種新的嵌入式存儲器融閃存、RAM和EEPROM三大存儲器的優(yōu)點(diǎn)于一身，一顆存儲器芯片即可實(shí)現很多新功能。新產(chǎn)品發(fā)布采用了新品牌Numonyx Omneo PCM，其寫(xiě)入速度有望達到現有閃存的300倍，耐寫(xiě)次
- 關(guān)鍵字： 恒憶 相變存儲器
非易失性半導體存儲器的相變機制
- 非易失性存儲器(NVM)在半導體市場(chǎng)占有重要的一席之地，特別是主要用于手機和其它便攜電子設備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統對非易失性存儲器的要求更高，數據存儲應用需要寫(xiě)入速度極快的高密度存儲器，而代碼執行應用則要求存儲器的隨機訪(fǎng)存速度更快。 經(jīng)過(guò)研究人員對浮柵存儲技術(shù)的堅持不懈的研究，現有閃存的技術(shù)能力在2010年底應該有所提升，盡管如此，現在人們越來(lái)越關(guān)注有望至少在2020年末以前升級到更小技術(shù)節點(diǎn)的新式存儲器機制和材料。 目前存在多種不同的可以取代浮柵概念的存儲機制，相變存儲器(PC
- 關(guān)鍵字： 恒憶 NVM 存儲器 浮柵存儲
立足嵌入式應用 恒憶尋求高利潤增長(cháng)點(diǎn)
- 走在下行周期上的半導體產(chǎn)業(yè)碰上了30年代“大蕭條”后全球最慘烈的經(jīng)濟危機，猶如雪上加霜。而作為整個(gè)行業(yè)晴雨表的存儲器更是早在去年就表現出了極大的疲軟態(tài)勢。英特爾和意法半導體剝離閃存事業(yè)部后，聯(lián)合成立的閃存公司恒憶（Numonyx）卻在今年4月掛牌營(yíng)運，在這樣一個(gè)人人自危的時(shí)候，作為全球最大的閃存公司，恒憶是如何看待閃存市場(chǎng)前景的？ 恒憶（亞洲）副總裁兼總經(jīng)理 Rolf-Peter Seibl “存儲器市場(chǎng)的確在一些細分市場(chǎng)除了先樂(lè )周期性衰退，但是我們相信
- 關(guān)鍵字： 恒憶 閃存 200812
恒憶推出新系列NAND閃存
- 恒憶公司（Numonyx）針對無(wú)線(xiàn)通信、嵌入式設計和數據存儲市場(chǎng)推出新系列NAND閃存產(chǎn)品。新系列產(chǎn)品包括32Gb（gigabits）的多級單元 (MLC) NAND閃存、32GB（gigabytes）的eMMC存儲芯片和高達8 GB的 microSD產(chǎn)品，全部采用先進(jìn)的41nm制造工藝。對于手機、便攜導航儀等消費電子產(chǎn)品廠(chǎng)商，這些新產(chǎn)品將是一系列易于設計的存儲器解決方案；對于消費者，新產(chǎn)品將提供更大的存儲空間，他們可以在設備上保存相片、視頻和音樂(lè )，使用流行的多媒體應用程序。 從機頂盒到手機，凡
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恒憶與海力士擴大合作 共同推廣創(chuàng )新的NAND閃存技術(shù)與產(chǎn)品
- 恒憶（Numonyx）今天宣布與海力士半導體公司達成為期五年的協(xié)議，在飛速增長(cháng)的NAND閃存領(lǐng)域擴展聯(lián)合開(kāi)發(fā)計劃。針對NAND技術(shù)在未來(lái)五年面臨的挑戰，兩家公司將擴大NAND產(chǎn)品線(xiàn)并共同研發(fā)未來(lái)產(chǎn)品，進(jìn)行技術(shù)創(chuàng )新。 根據新協(xié)議，恒憶和海力士將擴大聯(lián)合開(kāi)發(fā)的范圍，共同提供領(lǐng)先的NAND存儲器技術(shù)和產(chǎn)品，并且整合資源以加快未來(lái)NAND技術(shù)及解決方案的開(kāi)發(fā)。在應用于手機多芯片封裝的移動(dòng)DRAM領(lǐng)域，雙方也將進(jìn)行合作。 恒憶總裁兼首席執行官Brian Harrison表示："未來(lái)五年，在
- 關(guān)鍵字： NAND 恒憶 海力士 閃存
恒憶推出低價(jià)低功耗DDR接口非揮發(fā)性RAM產(chǎn)品
- 恒憶 (Numonyx) 今日宣布推出 Velocity LPTM NV-RAM 產(chǎn)品系列，此系列是業(yè)界最快速的低功耗雙倍數據傳輸速率 (LPDDR) 非揮發(fā)性存儲器，不但可以給手機和消費性電子產(chǎn)品廠(chǎng)商提供更高的存儲性能，而且比目前其他解決方案價(jià)格更低。這些裝置在提供高動(dòng)態(tài)隨機存儲器（DRAM）內容平臺低成本解決方案的同時(shí)，還可達到比傳統NOR Flash存儲器快兩到三倍讀取頻寬的性能。恒憶 Velocity LP NV-RAM 系列的推出為該公司未來(lái)相變存儲器 (PCM) 產(chǎn)品提供了無(wú)縫的絕佳架構途
- 關(guān)鍵字： 存儲器 恒憶 Numonyx RAM
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恒憶介紹
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