Intel化合物半導體研究取得里程碑式突破

　　Intel近日宣布在化合物半導體晶體管的研究中取得了里程碑式的重大突破，通過(guò)集成高K柵極獲得了更快的晶體管切換速度，消耗能量卻更少。Intel一直在研究將現在普遍適用的晶體管硅通道替換成某種化合物半導體材料，比如砷化鎵銦(InGaAs)。目前，此類(lèi)晶體管使用的是沒(méi)有柵極介質(zhì)的肖特基柵極(Schottky gate)，柵極漏電現象非常嚴重。

　　Intel現在為這種所謂的量子阱場(chǎng)效應晶體管(QWFET)加入了一個(gè)高K柵極介質(zhì)，并且已經(jīng)在硅晶圓基片上制造了一個(gè)原型設備，證明新技術(shù)可以和現有硅制造工藝相結合。

　　試驗證實(shí)，短通道設備加入高K柵極介質(zhì)后的柵極漏電電流減少到了只有原來(lái)的千分之一，同時(shí)電氧化物的厚度也減少了33%，從而可以獲得更快的切換速度，最終能夠大大改善芯片性能。