全球三大存儲原廠(chǎng)公布財報，最新市況如何？

近日，三大存儲原廠(chǎng)三星、SK海力士、美光紛紛發(fā)布最新一季財報。三大原廠(chǎng)受惠于生成式AI熱潮推動(dòng)，營(yíng)收利潤均大幅提升。并且相關(guān)廠(chǎng)商高帶寬存儲器（HBM）、 DDR5等高附加值產(chǎn)品的擴產(chǎn)計劃引起市場(chǎng)關(guān)注。

7月31日三星電子公布了二季度財報，銷(xiāo)售額74.07萬(wàn)億韓元（約人民幣3889.42億元，下同），凈利潤9.64萬(wàn)億韓元（約506.2億元），同比增長(cháng)471%；營(yíng)業(yè)利潤10.44萬(wàn)億韓元（當前約548.2億元）。其中，三星負責半導體的DS（Device Solutions）部門(mén)業(yè)績(jì)亮眼，以6.45萬(wàn)億韓元（約338.69億元人民幣）的營(yíng)業(yè)利潤引領(lǐng)了整體業(yè)績(jì)。

圖片來(lái)源：三星

對于業(yè)績(jì)增長(cháng)，三星表示在生成式AI熱潮的推動(dòng)下，高帶寬存儲器（HBM）和DDR5等高附加值產(chǎn)品的需求增加，公司也積極應對生成式AI服務(wù)器用高附加值產(chǎn)品的需求，使得業(yè)績(jì)較上季度大幅改善。

三星電子預計2024下半年HBM、DDR5和SSD需求將保持強勁，將在下半年擴大產(chǎn)能以提高HBM3E銷(xiāo)售比例。公司還將專(zhuān)注于高密度產(chǎn)品，例如基于服務(wù)器DRAM中的1b-nm 32Gb DDR5的服務(wù)器模塊。對于NAND，公司計劃通過(guò)加強三級單元 (TLC) SSD的供應來(lái)增加銷(xiāo)售額，這仍然是AI需求的大部分，并將滿(mǎn)足客戶(hù)對四級單元 (QLC) 產(chǎn)品的需求，這些產(chǎn)品針對包括服務(wù)器PC和移動(dòng)設備在內的所有應用進(jìn)行了優(yōu)化。

三星MX和網(wǎng)絡(luò )業(yè)務(wù)第二季度的綜合收入為27.38萬(wàn)億韓元，營(yíng)業(yè)利潤為2.23萬(wàn)億韓元。三星表示，由于智能手機市場(chǎng)的季節性趨勢持續，智能手機整體市場(chǎng)需求環(huán)比下降，尤其是在高端市場(chǎng)。盡管MX業(yè)務(wù)的收入環(huán)比下降，但Galaxy S24系列在第二季度和上半年的出貨量和收入均比上一代實(shí)現了兩位數的同比增長(cháng)。對于智能手機業(yè)務(wù)發(fā)展，三星電子稱(chēng)，2024年下半年智能手機的總體需求預計將同比增長(cháng)，高端產(chǎn)品的需求增長(cháng)主要得益于人工智能需求的增長(cháng)以及具有創(chuàng )新功能的新產(chǎn)品的推出。

在晶圓代工業(yè)務(wù)上，三星營(yíng)收有所改善，由于5nm以下技術(shù)的訂單增加，AI和高性能計算 (HPC) 客戶(hù)數量較上年增長(cháng)了兩倍。2024年，在第二代3nm GAA 技術(shù)全面量產(chǎn)的推動(dòng)下，公司預計增長(cháng)將超過(guò)市場(chǎng)。三星預計晶圓代工市場(chǎng)將整體增長(cháng)，尤其是在先進(jìn)節點(diǎn)方面。目前，三星代工業(yè)務(wù)提前向客戶(hù)分發(fā)了2nm環(huán)繞柵極 (GAA) 技術(shù)的工藝開(kāi)發(fā)套件 (PDK)，以便在2025年實(shí)現量產(chǎn)。未來(lái)，三星計劃繼續擴大AI/HPC應用的訂單，目標是到2028年將客戶(hù)數量較2023年增加四倍，銷(xiāo)售額增加九倍。

在擴產(chǎn)動(dòng)作上，行業(yè)消息顯示，為了應對人工智能（AI）熱潮帶動(dòng)存儲芯片需求提升，三星電子決定重啟新平澤工廠(chǎng)（P5）基礎建設，預計最快將于2024第三季重啟建設，完工時(shí)間推估為2027年4月，不過(guò)實(shí)際投產(chǎn)時(shí)間可能更早。最新消息顯示，該廠(chǎng)將率先生產(chǎn)NAND Flash，但在QLC NAND生產(chǎn)計劃不明確的情況下，也有轉換為DRAM的可能。

本月下旬，供應鏈傳來(lái)消息稱(chēng)，三星電子的HBM3內存芯片首次通過(guò)了NVIDIA的認證，目前三星對此消息并未回復。

7月25日，SK海力士發(fā)布了截至2024年6月30日的2024財年第二季度財務(wù)報告，二季度實(shí)現營(yíng)收16.4233萬(wàn)億韓元，營(yíng)業(yè)利潤為5.4685萬(wàn)億韓元，凈利潤為4.12萬(wàn)億韓元。二季度營(yíng)業(yè)利潤率為33%，凈利潤率為25%。

據悉，該公司此次實(shí)現了季度收入創(chuàng )歷史新高，大幅超過(guò)在2022年第二季度實(shí)現的13.8110萬(wàn)億韓元記錄。營(yíng)業(yè)利潤也是繼2018年第二季度（5.5739萬(wàn)億韓元）、第三季度（6.4724萬(wàn)億韓元）之后時(shí)隔6年創(chuàng )下了5萬(wàn)億韓元水平的業(yè)績(jì)。

圖片來(lái)源：SK海力士

對于業(yè)績(jì)增長(cháng)，SK海力士表示，HBM、eSSD等適用于A(yíng)I的存儲器需求表現強勢，并且DRAM和NAND閃存產(chǎn)品的整體價(jià)格持續上升，收入環(huán)比增加32%。與此同時(shí)，以高端產(chǎn)品為主的銷(xiāo)售增長(cháng)，再加上匯率效果，第二季度的營(yíng)業(yè)利潤率環(huán)比上升了10個(gè)百分點(diǎn)，達到了33%。

在DRAM上，SK海力士從今年3月份開(kāi)始量產(chǎn)及供應的HBM3E和服務(wù)器DRAM等高附加值產(chǎn)品的銷(xiāo)售比重有所擴大。特別是HBM的銷(xiāo)售額環(huán)比增長(cháng)80%以上，同比增長(cháng)250%以上，帶動(dòng)了公司的業(yè)績(jì)改善。NAND閃存的銷(xiāo)售以eSSD和移動(dòng)端產(chǎn)品為主增長(cháng)，特別是eSSD的銷(xiāo)售額持續保持快速增長(cháng)勢頭，環(huán)比增長(cháng)約50%。

SK海力士預測，下半年支持端側AI的PC端和移動(dòng)端新產(chǎn)品將會(huì )上市，其所需的高性能存儲器銷(xiāo)量也將隨之增長(cháng)，同時(shí)通用存儲器的需求也將呈現明顯的上升趨勢。順應趨勢，該公司目前已向主要客戶(hù)提供12層HBM3E樣品，計劃在第三季度開(kāi)始量產(chǎn)，從而延續在HBM市場(chǎng)的領(lǐng)導力。

在DRAM上，SK海力士目前提供適用于服務(wù)器的最高容量256GB DDR5 DRAM，在NAND閃存方面，公司將繼續擴大高容量企業(yè)級固態(tài)硬盤(pán)銷(xiāo)售，并且將以60TB產(chǎn)品引領(lǐng)下半年市場(chǎng)。

今年4月，SK海力士公布將投資約38.7億美元在美國印第安納州建造一座先進(jìn)封裝廠(chǎng)和AI產(chǎn)品研發(fā)設施。近期，SK海力士表示其韓國清州M15X廠(chǎng)近期已正式開(kāi)工，初步預計明年下半年開(kāi)始量產(chǎn)。并且龍仁半導體集群目前正在進(jìn)行用地工程，其第一座工廠(chǎng)也將按原計劃在明年3月開(kāi)工，計劃在2027年5月竣工。因此，在資本支出方面，SK海力士表示今年的CAPEX（資本支出）可能會(huì )比年初計劃增加。

美光6月26日發(fā)布了截至5月的2024財年第三季度業(yè)績(jì)，公司總營(yíng)收68.1億美元，較上年同期的37.5億美元同比增長(cháng)81.6%；毛利潤18.3億美元，同比增長(cháng)374.2%；凈利潤3.32億美元，同比增長(cháng)117.5%。其中，DRAM內存貢獻了71%的營(yíng)收，NAND閃存則貢獻了27%的收入。美光預計截止8月份的下個(gè)財季調整后營(yíng)收區間為74億至78億美元，運營(yíng)利潤率為33.5%至35.5%。

圖片來(lái)源：美光

美光在三季報中繼續強調AI業(yè)務(wù)的驅動(dòng)性，但也承認其智能手機和個(gè)人電腦市場(chǎng)仍然低迷。美光補充，數據中心業(yè)務(wù)環(huán)比增長(cháng)了50%，未來(lái)該公司面向人工智能的產(chǎn)品價(jià)格可能會(huì )上漲。

目前，美光主要為AI芯片龍頭英偉達提供其AI圖形處理單元（GPU）上的高帶寬內存芯片，雙方的合作日益密切，美光在高帶寬內存（HBM）業(yè)務(wù)的增長(cháng)情況備受市場(chǎng)關(guān)注。

美光對于HBM市況十分看好。5月，美光高管在投資者會(huì )議活動(dòng)上表示，美光2025年HBM內存供應談判基本完成，已與下游客戶(hù)基本敲定了2025年HBM訂單的規模和價(jià)格。6月，美光宣布，預計2025自然年其HBM市占率將與美光的DRAM市占率相當，達到約為20-25%。

在第三季財報電話(huà)會(huì )議上，美光宣布該財季內其第五代HBM（HBM3E）營(yíng)收已經(jīng)超過(guò)1億美元，并預計下一財年，美光的HBM年收入可能高達“數十億美元”。

為了應對HBM市場(chǎng)的強勁需求，美光此前還上調了2024財年的資本支出金額，預計從75~80億美元提升到80億美元，主要聚焦HBM產(chǎn)能。行業(yè)消息顯示，目前美光正在考慮將馬來(lái)西亞工廠(chǎng)轉為HBM專(zhuān)用生產(chǎn)線(xiàn)，擴大中國臺灣臺中的HBM產(chǎn)線(xiàn)。而美光在日本新廣島的工廠(chǎng)也將聚焦HBM生產(chǎn)，產(chǎn)能預計今年第四季提升至2.5萬(wàn)顆，后續將引入EUV制程（1γ、1δ），并建置全新無(wú)塵室。

隨著(zhù)高性能運算、人工智能等需求增長(cháng)，未來(lái)HBM市場(chǎng)競爭將會(huì )更加劇烈，美光在HBM技術(shù)上持續精進(jìn)，逐漸成長(cháng)為SK海力士和三星的強大競爭對手。目前美光已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)HBM3E，用于英偉達H200。美光還在準備12層垂直堆疊的單品36GB HBM3E芯片，將會(huì )在2025年推出。更大變化的將是HBM4，計劃在2026年發(fā)布。

據TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示，受惠于位元需求成長(cháng)、供需結構改善拉升價(jià)格，加上HBM(高帶寬內存)等高附加價(jià)值產(chǎn)品崛起，預估DRAM（內存）及NAND Flash（閃存）產(chǎn)業(yè)2024年營(yíng)收年增幅度將分別增加75%和77%。而2025年產(chǎn)業(yè)營(yíng)收將持續維持成長(cháng)，DRAM年增約51%、NAND Flash年增長(cháng)則來(lái)到29%，營(yíng)收將創(chuàng )歷史新高，并且推動(dòng)資本支出回溫、帶動(dòng)上游原料需求，只是存儲器買(mǎi)方成本壓力將隨之上升。

目前，行業(yè)消息稱(chēng)，由于HBM3e的TSV良率目前僅約40%至60%，且并非所有原廠(chǎng)都已經(jīng)通過(guò)客戶(hù)驗證，HBM供不應求情況還將持續較長(cháng)一段時(shí)間。并且受限于DRAM總產(chǎn)能有限，原廠(chǎng)更多將產(chǎn)能傾斜于獲利更高的HBM產(chǎn)能，造成對DDR5和LPDDR5/5X的產(chǎn)能排擠效應。在當下資本支出擴大產(chǎn)能擴產(chǎn)下，該情況有所緩解。具體到價(jià)格上，HBM銷(xiāo)售單價(jià)較傳統型DRAM高出數倍，與DDR5的價(jià)差大約五倍。為了緩解成本壓力，目前業(yè)界多方正在有幾種有效解決的方法。

雖然HBM在性能方面與DDR5和LPDDR5/5X相比有著(zhù)較大優(yōu)勢，但對于許多應用來(lái)說(shuō)價(jià)格過(guò)于昂貴且耗電，因此包括蘋(píng)果、AMD等在內的公司選擇將LPDDR5X用于其帶寬要求較高的應用，因為這種類(lèi)型的內存為他們提供了價(jià)格、性能和功耗之間的適當平衡。

比如蘋(píng)果公司多年來(lái)一直在其PC中使用LPDDR內存，至今該公司已經(jīng)很好地完善了基于LPDDR5的內存子系統，其性能是競爭解決方案無(wú)法比擬的。Apple的高端臺式機 — 由M2 Ultra SoC提供支持的Mac Studio和Mac Pro—使用兩個(gè)512位內存接口可擁有高達800 GB/s的帶寬。另外，AMD最新的Ryzen Threadripper Pro配備12通道DDR5-4800內存子系統，峰值帶寬可達460.8 GB/s。

另外，AI芯片初創(chuàng )公司Tenstorrent也是將LPDDR內存應用于其Grayskull AI處理器的擁護者。其CTO吉姆·凱勒（Jim Keller）為了解決人工智能硬件成本高昂的問(wèn)題，提出不使用HBM的想法。目前，Tenstorrent準備在今年年底出售其第二代多功能AI芯片，該公司表示，在某些領(lǐng)域，其能效和處理效率優(yōu)于英偉達的AI GPU。據Tenstorrent稱(chēng)，其Galaxy系統的效率是英偉達AI服務(wù)器DGX的三倍，且成本降低了33%。

圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)

除了Tenstorrent外，谷歌TPU第一代設計者Jonathan Ross所創(chuàng )立的Groq公司也提出了相關(guān)的用其他內存替代HBM的想法。其新一代LPU在多個(gè)公開(kāi)測試中，以幾乎最低的價(jià)格，相比GPU推理速度翻倍，后續有三方測試結果表明，該芯片對大語(yǔ)言模型推理進(jìn)行優(yōu)化效果顯著(zhù)，速度相較于英偉達GPU提高了10倍。行業(yè)人士表示，LPU的工作原理與GPU截然不同。它采用了時(shí)序指令集計算機（Temporal Instruction Set Computer）架構，這意味著(zhù)它無(wú)需像使用高帶寬存儲器（HBM）的GPU那樣頻繁地從內存中加載數據。Groq選擇了SRAM，其速度比GPU所用的存儲器快約20倍，這一特點(diǎn)不僅有助于避免HBM短缺的問(wèn)題，還能有效降低成本。

HBM和LPDDR的行業(yè)覆蓋度并不完全重合，具體而言，HBM主要面向數據中心，LPDDR主要面向邊緣。LPDDR存儲芯片的優(yōu)勢之一是其相對廣泛的接口和相當快的運行速度。如典型的LPDDR5和LPDDR5X/LPDDR6T IC具有32或64位接口，支持高達9.6 GT/s的數據傳輸速率，這比批量生產(chǎn)的DDR5數據速率更好。此外，移動(dòng)內存自然比客戶(hù)端PC和服務(wù)器的主流DDR內存消耗更少的功率。

除了上述的替代方案外，行業(yè)希望通過(guò)創(chuàng )建規模優(yōu)勢芯片良率，以及HBM芯片架構上的優(yōu)化來(lái)達到降低成本的目的，后者比如臺積電不斷精進(jìn)其CoWoS等。