東芝新12英寸功率半導體廠(chǎng)完工，MOSFET和IGBT產(chǎn)能將提升2.5倍

日本東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（TOSHIBA）于5月23日正式宣布，旗下的12英寸功率半導體制造工廠(chǎng)和寫(xiě)字樓完工。

東芝在新聞稿中表示，該12英寸晶圓廠(chǎng)現階段正在進(jìn)行安裝相關(guān)設備，力拼能在2024財年的下半年開(kāi)始量產(chǎn)。一旦工程完工進(jìn)入全面量產(chǎn)階段，以MOSFET和IGBT為主的東芝功率半導體產(chǎn)能，預計將達到2021財年產(chǎn)能的2.5倍規模。至于該晶圓廠(chǎng)第二期工程建設和開(kāi)始運營(yíng)時(shí)程，則將根據市場(chǎng)情況再進(jìn)一步進(jìn)行決定。

東芝表示，該新晶圓廠(chǎng)具有吸收地震沖擊的隔震結構和電源供應功能，將遵循東芝的業(yè)務(wù)連續性計劃（BCP），并將為東芝的業(yè)務(wù)連續性計劃做出重大貢獻。而在整體工廠(chǎng)投入量產(chǎn)之后，通過(guò)可再生能源和建筑物屋頂太陽(yáng)能電池板的能源，將可以讓該設施能夠通過(guò)可再生能源滿(mǎn)足100%的電力要求。

編輯：芯智訊-林子