國產(chǎn)芯片破局之路：重視技術(shù)創(chuàng )新，聚焦差異化策略

 

一方面，無(wú)線(xiàn)通信市場(chǎng)的快速發(fā)展，以及在新技術(shù)、新需求、新場(chǎng)景的共同作用下，全方位促進(jìn)射頻芯片市場(chǎng)規模高速增長(cháng)。另一方面，近年來(lái)光伏、儲能產(chǎn)業(yè)的崛起，新能源汽車(chē)的持續滲透為功率電子市場(chǎng)注入了持續動(dòng)力。

 

據Yole Development數據顯示，預計2025年全球射頻前端市場(chǎng)規模將增長(cháng)至258億美元，2018年至2025年年復合增速約為8%；全球功率器件市場(chǎng)將從2023年的約230億美元快速增長(cháng)到2028年的333億美元，市場(chǎng)潛力巨大。

 

在此趨勢下，蘇州華太電子技術(shù)股份有限公司（下文簡(jiǎn)稱(chēng)：華太電子）作為國產(chǎn)半導體行業(yè)的佼佼者，率先在此展開(kāi)多元化布局，聚焦射頻、功率、專(zhuān)用模擬芯片、工控SoC芯片、高端散熱材料等多產(chǎn)品線(xiàn)的研發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售，并提供大功率封測業(yè)務(wù)，產(chǎn)品廣泛應用于通信****、光伏發(fā)電與儲能、制造裝備、新能源汽車(chē)、工業(yè)控制等場(chǎng)景。

 

面對廣闊的市場(chǎng)前景和激烈的行業(yè)競爭態(tài)勢，華太電子依托多年積累的產(chǎn)品和技術(shù)優(yōu)勢，以差異化競爭為創(chuàng )新策略，充分挖掘市場(chǎng)與客戶(hù)需求，并融合全產(chǎn)業(yè)鏈布局理念，旨在引領(lǐng)國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)的新突破。

 

· 超結IGBT率先落地

 

從華太電子的布局中不難看到，其擁有著(zhù)半導體產(chǎn)業(yè)鏈多環(huán)節底層核心技術(shù)、多領(lǐng)域布局協(xié)同發(fā)展的全面布局優(yōu)勢。

 

其中，超結IGBT作為功率業(yè)務(wù)的核心，就是華太電子向市場(chǎng)出擊的一把“利刃”。

 

眾所周知，功率半導體是半導體領(lǐng)域的重要組成部分，是電力電子應用裝備的基礎和核心器件，尤其是在大功率、大電流、高頻高速、低噪聲等應用領(lǐng)域起著(zhù)無(wú)法替代的關(guān)鍵作用。

 

近年來(lái)，隨著(zhù)新能源產(chǎn)業(yè)的興起和功率半導體技術(shù)不斷升級，作為核心器件之一的IGBT應用領(lǐng)域不斷拓展，廣泛應用于光伏發(fā)電、儲能、新能源汽車(chē)、充電樁和工業(yè)控制等領(lǐng)域。

 

自IGBT問(wèn)世以來(lái)，通過(guò)不斷的技術(shù)創(chuàng )新，產(chǎn)品已經(jīng)歷了7代的迭代發(fā)展，器件的可靠性、應用頻率和功率損耗等均有了很大提升。

 

但是，隨著(zhù)科技不斷進(jìn)步，傳統的IGBT結構和技術(shù)越來(lái)越接近其理論極限，沿著(zhù)現有IGBT路徑，進(jìn)一步提升器件性能變得困難。因此，IGBT行業(yè)開(kāi)始不斷涌現出新的技術(shù)，旨在提升器件的性能和可靠性。

 

被譽(yù)為“功率MOS里程碑”的超結技術(shù)，近年來(lái)逐漸被引入IGBT領(lǐng)域，超結IGBT結合了場(chǎng)FS-IGBT和超結結構的優(yōu)點(diǎn)，可在更短漂移區長(cháng)度下實(shí)現高耐壓和低損耗，為IGBT性能的進(jìn)一步提升提供了新的思路。

 

在這一創(chuàng )新技術(shù)路徑下，華太電子走在了超結IGBT技術(shù)和產(chǎn)品規?；慨a(chǎn)的前列。

 

據了解，早在2018年華太電子就開(kāi)始在此展開(kāi)技術(shù)研發(fā)，至今已經(jīng)走過(guò)了近6年的時(shí)間，其超結IGBT產(chǎn)品已實(shí)現規?；慨a(chǎn)和性能迭代。

 

華太電子IGBT相關(guān)負責人向筆者表示，超結IGBT是一種通過(guò)改變IGBT芯片結構來(lái)提高IGBT性能的技術(shù)方向，通過(guò)在IGBT芯片漂移區中引入交替排列的P型和N型半導體區域，引入“超結”的結構。這種結構能夠有效地改善芯片內部的電場(chǎng)分布，使得芯片的承壓能力進(jìn)一步加強。同時(shí)，超結技術(shù)還能夠降低IGBT芯片的導通壓降，提高其導電效率，從而減少了能量損耗和發(fā)熱量。

 

相較與傳統FS IGBT，超結IGBT可完美實(shí)現高耐壓、低通態(tài)壓降的電學(xué)特性，優(yōu)勢明顯：

 

低導通壓降：在同樣的反向承壓能力下，超結IGBT具有更薄的漂移區，可有效降低芯片導通壓降；

 

低開(kāi)關(guān)損耗：漂移區的超結結構能夠加速空間電場(chǎng)建立速度，有效提升器件開(kāi)關(guān)速度，進(jìn)而降低開(kāi)關(guān)損耗；

 

高轉換效率：一代產(chǎn)品與英飛凌H5系列IGBT相比，靜態(tài)導通損耗降低10%，動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)損耗降低15%，效率更高。二代產(chǎn)品相較于英飛凌H7，靜態(tài)導通損耗降低1.4%，動(dòng)態(tài)關(guān)斷損耗降低64%，綜合性能提升59%，其優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能可滿(mǎn)足更高頻率的應用需求（>100kHz）。

 

產(chǎn)品和技術(shù)的優(yōu)勢其真正的價(jià)值在于給客戶(hù)帶來(lái)多少收益。據了解，超結IGBT具備高頻工作能力，促使電力變換系統具有更小的被動(dòng)器件尺寸、更優(yōu)化的散熱方案、更簡(jiǎn)單的拓撲和更輕量、更低的成本等，通過(guò)差異化技術(shù)路線(xiàn)為客戶(hù)帶來(lái)實(shí)際價(jià)值。

 

在諸多優(yōu)勢加持下，華太電子量產(chǎn)的650V超結IGBT產(chǎn)品目前已在光伏、儲能、電池充電等領(lǐng)域取得較快應用進(jìn)展。

 

據悉，在華太電子二代超結IGBT量產(chǎn)后，憑借在高頻性能方面的突出優(yōu)勢，正在進(jìn)行技術(shù)方向的探索，瞄準原來(lái)用超結MOS器件的應用場(chǎng)景，例如光伏逆變、充電模塊、不間斷電源、工業(yè)驅動(dòng)、OBC等領(lǐng)域，目前在客戶(hù)端已經(jīng)取得初步成效。

 

談到未來(lái)產(chǎn)品規劃時(shí)，華太電子表示，前期產(chǎn)品開(kāi)發(fā)主要以650V電壓段為主。但由于整個(gè)電力電子應用涉及更多的電壓平臺，后續將向兩個(gè)方向發(fā)展：一是圍繞全系列做開(kāi)發(fā)，由最開(kāi)始的650V，向750V、950V、1200V等電壓等級拓展；第二個(gè)方向是側重在電流等級方面，開(kāi)發(fā)更多不同電流等級的產(chǎn)品。除此之外，由單管IGBT向模組產(chǎn)品演進(jìn)，以適配大功率模組的應用需求。

 

綜合來(lái)看，作為國內首家推出超結IGBT的企業(yè)，華太電子率先成功的商業(yè)化應用為IGBT的發(fā)展創(chuàng )新提供了很好的指引，在諸多新興產(chǎn)業(yè)的需求牽引下，進(jìn)一步推動(dòng)功率電子市場(chǎng)不斷向前邁進(jìn)。

 

除此之外，華太電子還具備業(yè)界領(lǐng)先的FS IGBT、IGBT和SiC模組研發(fā)能力，配合先進(jìn)的全自動(dòng)化模塊封測基地，致力于打造優(yōu)異的IGBT和SiC模塊產(chǎn)品。

 

· 射頻器件“大本營(yíng)”

 

超結IGBT這個(gè)“殺手锏”之外，射頻產(chǎn)品才是華太電子最早起家的“大本營(yíng)”。

 

回顧其發(fā)展歷程能發(fā)現，自2010年成立之初，華太電子就聚焦在射頻PA領(lǐng)域，開(kāi)發(fā)RF LDMOS工藝器件。

 

2015年，量產(chǎn)國內首創(chuàng )GSM****的大功率射頻功率芯片；

 

2017年，量產(chǎn)國內首創(chuàng )4G LTE****的射頻功率芯片；

 

2018年，RF LDMOS年出貨量超過(guò)2000萬(wàn)顆；

 

2021年，LDMOS芯片出貨量突破1億顆；

 

2022年，在自己封測工廠(chǎng)瑤華封測ACS射頻大功率產(chǎn)品，量產(chǎn)100w顆；

 

2023年，RF大功率ACS封裝 (GaN& LDMOS)出貨量超420萬(wàn)只，射頻PA器件發(fā)貨超1.7億顆...

 

能看到，多年來(lái)的每一步進(jìn)展都宣告著(zhù)，華太電子在射頻業(yè)務(wù)上取得的“里程碑”。

 

作為無(wú)線(xiàn)通訊的技術(shù)關(guān)鍵，射頻技術(shù)的創(chuàng )新成為推動(dòng)為萬(wàn)物互聯(lián)行業(yè)發(fā)展的核心引擎。伴隨著(zhù)5G網(wǎng)絡(luò )商用、物聯(lián)網(wǎng)和寬帶專(zhuān)用網(wǎng)絡(luò )的迅速發(fā)展，高速、低延遲的通信需求推動(dòng)了先進(jìn)的射頻芯片研發(fā)和生產(chǎn)，成為推動(dòng)行業(yè)快速增長(cháng)的重要動(dòng)力。

 

其中，射頻功率放大器（PA）作為射頻前端中的重要器件，其性能直接影響了信號的強弱、穩定性、功耗等重要因素，決定著(zhù)用戶(hù)體驗和節能降耗。PA核心參數包括增益、帶寬、效率、線(xiàn)性度、最大輸出功率等，眾多平衡的性能指標非?？简炘O計能力。

 

隨著(zhù)技術(shù)和市場(chǎng)需求的不斷迭代，對射頻PA的技術(shù)性能需求再次拉升，需要PA有更高的工作頻率、更高的功率、更大的帶寬，同時(shí)模組化的到來(lái)也需要PA設計滿(mǎn)足高集成度模組化的需求。

 

在市場(chǎng)需求和技術(shù)要求的雙重驅動(dòng)下，包括PA在內的射頻芯片逐漸發(fā)展為成長(cháng)最快的方向之一。Yole此前曾預測2025年P(guān)A市場(chǎng)規模將達到104億美元，市場(chǎng)空間廣闊。

 

然而，現階段全球射頻芯片市場(chǎng)主要被美日大廠(chǎng)占據，形成了寡頭壟斷格局。國內射頻芯片廠(chǎng)商起步較晚，但今年在政策支持和市場(chǎng)需求的推動(dòng)下，射頻器件各細分賽道涌現出許多新創(chuàng )公司，國產(chǎn)射頻器件取得較快發(fā)展，在某些領(lǐng)域已經(jīng)可以替代國際廠(chǎng)商同類(lèi)產(chǎn)品。 

 

以射頻芯片起家的華太電子，便是其中的佼佼者。

 

據華太電子射頻產(chǎn)品線(xiàn)負責人介紹，華太電子自2010年開(kāi)始就致力于LDMOS工藝的研究，針對不同場(chǎng)景開(kāi)發(fā)產(chǎn)品方案，主要分為MIMIC、分立器件、寬帶專(zhuān)網(wǎng)三個(gè)產(chǎn)品部。前兩者用于運營(yíng)商客戶(hù)的公網(wǎng)通信；寬帶專(zhuān)網(wǎng)則針對對講機、射頻解凍加熱、醫療設備/制造裝備射頻源等專(zhuān)網(wǎng)領(lǐng)域。

 

同時(shí)，華太電子也在對GaN產(chǎn)品加大研發(fā)投入，通過(guò)整合這多種互補技術(shù)并采用創(chuàng )新架構，能夠為移動(dòng)通信小型****、mMIMO****和移動(dòng)通信宏站市場(chǎng)提供解決方案。

 

華太電子的射頻芯片基于完全自主知識產(chǎn)權的LDMOS工藝平臺，已經(jīng)實(shí)現了規?；慨a(chǎn)。其中，基于高性能低成本的LDMOS MMIC工藝，華太電子設計了高性能射頻功率放大器芯片，實(shí)現了高效率、寬帶和完備的50歐姆輸入輸出匹配功能。這一努力也使產(chǎn)品實(shí)現技術(shù)領(lǐng)先，已經(jīng)在通信小****領(lǐng)域量產(chǎn)發(fā)貨超過(guò)600萬(wàn)顆！

 

在面向mMIMO和Macro RRU宏站等公網(wǎng)通信場(chǎng)景的LDMOS分立器件和GaN分立器件部分，華太電子開(kāi)發(fā)的60W、80W的Sub-1G產(chǎn)品，過(guò)去兩三年發(fā)貨量超過(guò)百萬(wàn)顆，銷(xiāo)售額達幾億規模。

 

尤為值得關(guān)注的是，在寬帶專(zhuān)網(wǎng)領(lǐng)域，華太電子為此推出了拳頭產(chǎn)品2K0，滿(mǎn)足行業(yè)客戶(hù)需求。

 

據了解，2K0是基于華太電子的65V LDMOS平臺開(kāi)發(fā)出的射頻PA，單芯片支持2000W以上的功率輸出、提供30dB增益，峰值效率高達88%，能夠給客戶(hù)帶來(lái)成本、效率和供應鏈安全等諸多優(yōu)勢，更好地滿(mǎn)足醫療設備、制造設備射頻源等應用需求。據悉，該方案在行業(yè)內很受歡迎，供不應求。

 

綜合來(lái)看，華太電子十多年來(lái)持續深耕射頻市場(chǎng)，擁有了諸多核心專(zhuān)利，2015年就開(kāi)始在頭部客戶(hù)開(kāi)始出貨。隨著(zhù)時(shí)間迭代，從28V到50V再到65V LDMOS平臺，工藝平臺越做越成熟，2019年小站和Sub-1G宏站產(chǎn)品在國內頭部客戶(hù)取得重大突破，出貨量大幅提升。

 

而華太電子之所以能取得技術(shù)和市場(chǎng)上的雙重進(jìn)展，取決于多方面優(yōu)勢因素：

 

虛擬IDM模式：與國內大部分友商的Fabless模式相比，華太電子是虛擬IDM公司，即很早就與FAB廠(chǎng)展開(kāi)緊密合作，打造28V/50V/65V LDMOS工藝平臺的核心專(zhuān)利，以及在材料、封測業(yè)務(wù)方面的布局。形成了從芯片設計到晶圓制造，從封裝測試到量產(chǎn)發(fā)貨，每個(gè)環(huán)節都有核心的戰略布局和競爭力，能夠做到全流程的自主可控和國產(chǎn)化，為客戶(hù)提供安全的供應鏈條。

 

團隊&產(chǎn)品優(yōu)勢：華太擁有業(yè)界領(lǐng)先的模型團隊、芯片設計團隊和技術(shù)支持團隊，綜合起來(lái)打造了華太的產(chǎn)品優(yōu)勢和技術(shù)競爭力。

 

客戶(hù)認可：通過(guò)長(cháng)期以來(lái)積累聲譽(yù)和信用，促進(jìn)了頭部客戶(hù)對華太電子的認可和支持，推動(dòng)出貨量提升。進(jìn)而通過(guò)產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)的緊密合作，提高整個(gè)行業(yè)的競爭力。

 

國際環(huán)境：同樣借助國際大環(huán)境的推動(dòng)，帶動(dòng)國產(chǎn)廠(chǎng)商的技術(shù)和市場(chǎng)演進(jìn)。

 

這些既是華太電子射頻產(chǎn)品線(xiàn)的一大特色，也是其功率產(chǎn)品的優(yōu)勢所在。華太電子憑借自有核心工藝平臺、產(chǎn)品性能、可靠性、全產(chǎn)業(yè)鏈布局等方面的差異化優(yōu)勢，幫助客戶(hù)贏(yíng)得市場(chǎng)。

 

針對接下來(lái)的產(chǎn)品規劃，華太電子表示，未來(lái)將圍繞技術(shù)演進(jìn)和市場(chǎng)需求雙輪驅動(dòng)來(lái)做選擇，繼續聚焦射頻PA產(chǎn)品，在芯片體積、功率密度、可靠性和易用性等方面進(jìn)行不斷優(yōu)化迭代，給市場(chǎng)和客戶(hù)帶來(lái)價(jià)值，持續提升自身市場(chǎng)份額。

 

縱觀(guān)當前行業(yè)現狀，在射頻領(lǐng)域參與競爭的國內芯片企業(yè)數量日益增加。然而，在一個(gè)本應該很好的國產(chǎn)替代良機下，卻更多呈現出“替代國產(chǎn)”之勢，國內射頻芯片同質(zhì)化現象嚴重，國內PA產(chǎn)品大多停留在中低端應用，布局高端應用的廠(chǎng)商不多。

 

對此，企業(yè)需要具備強大的技術(shù)實(shí)力和供應鏈整合能力，還需要關(guān)注市場(chǎng)需求的變化，加強產(chǎn)品差異化研發(fā)，提高自身的競爭力才能在市場(chǎng)中立足并取得成功。

 

正是如此，華太電子在射頻領(lǐng)域的全流程布局和差異化優(yōu)勢，或將提高國內廠(chǎng)商布局高端PA的信心，在射頻PA領(lǐng)域實(shí)現國際領(lǐng)先。

 

 

然而除了在射頻和功率業(yè)務(wù)上的布局外，華太電子還相繼拓展出了模擬芯片、專(zhuān)用SoC、高端散熱材料等產(chǎn)品業(yè)務(wù)，形成多產(chǎn)品線(xiàn)協(xié)同發(fā)展之勢，突出其全面布局能力和競爭優(yōu)勢。

 

華太電子模擬產(chǎn)品線(xiàn)負責人對此表示，在做射頻和功率器件過(guò)程中，光伏逆變和儲能行業(yè)的諸多客戶(hù)對模擬芯片和主控芯片也提出了使用需求，在此情形下，華太電子以客戶(hù)需求為牽引，在已有的兩大拳頭產(chǎn)品線(xiàn)的基礎上，相繼開(kāi)拓出對應的產(chǎn)品方案為行業(yè)客戶(hù)賦能，進(jìn)一步滿(mǎn)足客戶(hù)的差異化需求。

 

· 模擬芯片，迎來(lái)快速輸出期

 

在模擬芯片領(lǐng)域，華太電子延伸出了HAD驅動(dòng)保護類(lèi)、HAB電池管理類(lèi)和HAP電源類(lèi)等三大模擬產(chǎn)品線(xiàn)，產(chǎn)品包括PA控制器、電源芯片、功率驅動(dòng)與保護和BMS AFE等芯片。

 

據悉，目前多個(gè)產(chǎn)品線(xiàn)已有產(chǎn)品批量出貨或即將迎來(lái)發(fā)布銷(xiāo)售，經(jīng)過(guò)幾年的技術(shù)和核心IP的積累，2024年華太電子在模擬產(chǎn)品領(lǐng)域將迎來(lái)產(chǎn)品快速輸出期。

 

華太電子強調，當前隨著(zhù)國產(chǎn)模擬芯片技術(shù)提升及進(jìn)口替代需求，該市場(chǎng)正在快速增長(cháng)。但模擬產(chǎn)品種類(lèi)繁多，華太電子聚焦在大客戶(hù)和已有市場(chǎng)去做針對性拓展，不會(huì )輕易跳到新的陌生領(lǐng)域。

 

也正是基于這樣的公司戰略，隨著(zhù)技術(shù)和市場(chǎng)的不斷變化和演進(jìn)，華太電子在深入了解市場(chǎng)痛點(diǎn)和洞悉客戶(hù)需求過(guò)程中，看到了發(fā)展模擬芯片的契機，以此來(lái)進(jìn)一步滿(mǎn)足客戶(hù)需求，幫助其打造差異化優(yōu)勢。

 

例如在國產(chǎn)進(jìn)程較慢的數?；旌虾透邏合盗挟a(chǎn)品方面，華太電子模擬團隊憑借多年來(lái)的技術(shù)積累，工藝方面的know how和對于數?；旌夏芰Φ恼瓶?，借助于市場(chǎng)變化和團隊實(shí)力，形成了華太電子在模擬芯片領(lǐng)域產(chǎn)品規劃的路徑。

 

未來(lái)，華太電子的模擬產(chǎn)品將主要圍繞上述三個(gè)方向繼續深耕，加強產(chǎn)品系列化過(guò)程，向更高電壓、高集成等方向發(fā)展，同時(shí)結合客戶(hù)需求不斷迭代，打造差異化產(chǎn)品，豐富產(chǎn)品組合。

 

· 主控MCU，打破國際壟斷

 

伴隨物聯(lián)網(wǎng)、通信技術(shù)不斷演進(jìn)，產(chǎn)業(yè)鏈日趨成熟背景下，MCU芯片作為終端控制節點(diǎn)和嵌入式應用的核心器件，變得愈發(fā)重要。

 

與此同時(shí)，在工業(yè)與新能源領(lǐng)域，主控芯片MCU市場(chǎng)長(cháng)期以來(lái)被TI壟斷，單一供應鏈存在較大風(fēng)險。

 

在此情形下，客戶(hù)的更多需求讓華太電子看到了新的機會(huì )點(diǎn)。

 

2020年，華太電子開(kāi)始在此展開(kāi)動(dòng)作，組建完善的SoC團隊進(jìn)軍實(shí)時(shí)控制處理器市場(chǎng)，經(jīng)過(guò)兩三年的歷練和磨合，2023年華太MCU芯片已完成流片回測，2024年上半年產(chǎn)品進(jìn)入量產(chǎn)。

 

據華太電子SoC產(chǎn)品線(xiàn)負責人描述，目前國內MCU友商大部分對標的是ST的通用型MCU，而華太電子推出的MCU則類(lèi)似于TI的專(zhuān)用MCU，聚焦工業(yè)變頻、新能源行業(yè)應用等特定市場(chǎng)，在外設，加速器等方面進(jìn)行針對性?xún)?yōu)化。并且能夠與華太電子自身的射頻、功率產(chǎn)品搭配形成戰略協(xié)同，在細分領(lǐng)域形成整合方案為客戶(hù)更好賦能。

 

“針對工業(yè)和新能源領(lǐng)域的MCU市場(chǎng)，華太電子雖然起步晚但也有后發(fā)優(yōu)勢”，華太電子表示，作為后來(lái)者，公司可以根據現有的市場(chǎng)需求和應用痛點(diǎn)進(jìn)行優(yōu)化和提升，比如在A(yíng)DC精度差不多的情況下，華太電子MCU采樣速率可以做到2倍以上；通過(guò)提高主頻來(lái)提升環(huán)路性能，在客戶(hù)測試、性能驗證過(guò)程中，展現出華太電子MCU產(chǎn)品的優(yōu)勢和競爭力；以及外設使用上的便利性和靈活性進(jìn)行調整，更好地滿(mǎn)足客戶(hù)需求。

 

據悉，目前華太電子正在規劃中高端MCU芯片，通過(guò)開(kāi)發(fā)系列產(chǎn)品，豐富MCU矩陣。同時(shí)在A(yíng)I浪潮下，華太也計劃在MCU端提升邊緣計算的能力，為客戶(hù)提供更好的平臺，拉開(kāi)與競爭對手的差距，建立自己的護城河。

 

 

回顧華太電子發(fā)展歷程能看到，在萬(wàn)物互聯(lián)的需求指引下，射頻作為其大本營(yíng)，體現了對器件工藝的know how，基于底層技術(shù)的相通性，從射頻向功率器件的拓展是工藝技術(shù)的橫向牽引，進(jìn)而將應用場(chǎng)景從萬(wàn)物互聯(lián)拓展至新能源和工控行業(yè)。

 

多年來(lái)，華太電子圍繞這兩大領(lǐng)域繼續深耕，根據客戶(hù)需求和市場(chǎng)形勢，逐漸發(fā)現了比如模擬芯片和實(shí)時(shí)控制MCU等在內的更多新的機會(huì )點(diǎn)，由此延伸出了模擬芯片和專(zhuān)用SoC芯片等產(chǎn)品線(xiàn)，旨在特定領(lǐng)域打造產(chǎn)品矩陣和差異化競爭力。

 

同時(shí)，華太電子也在大力布局高端材料市場(chǎng)，聚焦大功率半導體器件散熱及封裝材料的研發(fā)和制造，其高端熱沉材料具有國內領(lǐng)先優(yōu)勢，應用于射頻、功率半導體封裝領(lǐng)域；還擁有領(lǐng)先的ACS管殼，打破國外壟斷；銅復合材料、氮化硅陶瓷、封裝膠水等核心封裝材料，保證客戶(hù)供應安全，提高高端散熱材料的國產(chǎn)化能力。

 

整體來(lái)看，華太電子圍繞底層核心技術(shù)、產(chǎn)品線(xiàn)布局、公司戰略和客戶(hù)痛點(diǎn)需求等多方面協(xié)同配合，每個(gè)環(huán)節的核心價(jià)值點(diǎn)都有自身的核心技術(shù)優(yōu)勢，最終形成了客戶(hù)-產(chǎn)品-底層技術(shù)的良性循環(huán)。通過(guò)深入發(fā)掘市場(chǎng)痛點(diǎn)、了解客戶(hù)需求、多產(chǎn)品線(xiàn)協(xié)同布局，以此來(lái)提升產(chǎn)品性能和效率，幫助客戶(hù)解決痛點(diǎn)問(wèn)題，提升產(chǎn)品競爭優(yōu)勢。

 

 

當前，半導體行業(yè)正在經(jīng)歷新一輪的周期波動(dòng)，隨著(zhù)終端市場(chǎng)出現結構性回暖，整體產(chǎn)業(yè)目前正迎來(lái)復蘇勢頭，半導體行業(yè)釋放出暖意。與此同時(shí)，近年來(lái)隨著(zhù)國際貿易關(guān)系的持續波動(dòng)，國產(chǎn)半導體也在波折中迸發(fā)出新生機。

 

在行業(yè)與市場(chǎng)的挑戰下，5G、AI、新能源等新技術(shù)應用增強了產(chǎn)業(yè)鏈的需求和韌性，同時(shí)結合當前芯片國產(chǎn)化趨勢的浪潮，國產(chǎn)廠(chǎng)商迎來(lái)新的發(fā)展機遇。

 

華太電子躋身其中，在萬(wàn)物互聯(lián)和新能源市場(chǎng)的時(shí)代浪潮中，致力于通過(guò)長(cháng)期的技術(shù)積累與創(chuàng )新，構建起完善的射頻、功率、SoC、模擬產(chǎn)品線(xiàn)布局及材料、封測等全流程業(yè)務(wù)體系，為客戶(hù)提供高性能、高可靠性的差異化產(chǎn)品及解決方案。

 

縱觀(guān)行業(yè)現狀，對國內廠(chǎng)商來(lái)說(shuō)，老將新兵正爭相涌入。在市場(chǎng)、技術(shù)、產(chǎn)品都已“整裝待發(fā)”的大環(huán)境下，除了需要不斷提高自身核心競爭力外，還要沉下心來(lái)，一步步持續演進(jìn)和迭代，堅持下去才有機會(huì )實(shí)現新的突破。