第三代半導體SiC動(dòng)態(tài)涌現！

近日，化合物半導體動(dòng)態(tài)頻頻，國家標準GB/T 43885-2024《碳化硅外延片》正式對外發(fā)布，并將于今年年末開(kāi)始實(shí)施。另外晶升股份研發(fā)出液相法碳化硅晶體生長(cháng)設備，多家碳化硅企業(yè)完成新一輪融資，多個(gè)碳化硅項目迎來(lái)最新進(jìn)展。

8英寸企業(yè)集結，國家標準《碳化硅外延片》半年后實(shí)施

根據全國標準信息公共服務(wù)平臺官網(wǎng)消息，國家標準GB/T 43885-2024《碳化硅外延片》已于2024年4月25日正式對外發(fā)布，并將于2024年11月1日開(kāi)始實(shí)施。該標準的起草單位囊括了業(yè)內多家具備8英寸碳化硅技術(shù)的企業(yè)，包括天岳先進(jìn)、爍科晶體、天科合達、科友半導體、乾晶半導體、湖南三安半導體等。

對于國家標準GB/T 43885-2024《碳化硅外延片》的意義，2023年11月30日，中國電科指出，《碳化硅外延片》國家標準確定了碳化硅外延片的質(zhì)量技術(shù)細節，規范和統一了具體的技術(shù)性能項目和指標。該標準及時(shí)填補了國內半導體材料領(lǐng)域產(chǎn)品標準的空白，對碳化硅外延片生產(chǎn)工藝、質(zhì)量控制、采購及銷(xiāo)售管理都有重要的指導作用。

晶升股份研發(fā)出液相法碳化硅SiC晶體生長(cháng)設備

近日，晶升股份液相法SiC晶體生長(cháng)設備研究取得新進(jìn)展，已成功研發(fā)出液相法SiC晶體生長(cháng)設備并提供給了多家客戶(hù)，將會(huì )繼續配合客戶(hù)不斷進(jìn)行設備的優(yōu)化和改進(jìn)工作。

目前， PVT生長(cháng)工藝是國內廠(chǎng)商生長(cháng)SiC晶體的主流方法，液相法生長(cháng)技術(shù)則處于研究和開(kāi)發(fā)階段。關(guān)于液相法SiC晶體生長(cháng)設備，晶升股份提前開(kāi)展了相關(guān)布局并已經(jīng)在2023年提供樣機給多家客戶(hù)，隨后晶升股份協(xié)同客戶(hù)不斷進(jìn)行優(yōu)化和改進(jìn)，進(jìn)一步提升晶體的品質(zhì)與良率。

此前，晶升股份8英寸SiC長(cháng)晶設備已實(shí)現批量出貨,其中包含PVT感應加熱/電阻加熱單晶爐、TSSG單晶爐等類(lèi)別產(chǎn)品，下游應用完整覆蓋主流導電型/半絕緣型SiC晶體生長(cháng)及襯底制備。

2023年，晶升股份業(yè)績(jì)表現良好，實(shí)現營(yíng)收4.06億元，同比增長(cháng)82.70%；歸母凈利潤0.71億元，同比增長(cháng)105.63%；歸母扣非凈利潤0.42億元，同比增長(cháng)86.64%。

北一半導體完成B+輪融資

5月8日，北一半導體官微宣布，他們成功完成了B+輪融資。目前由上海吾同私募基金管理有限公司領(lǐng)投的1億元資金已經(jīng)到位，另有5000萬(wàn)元投資金額在結尾工作中，預計本輪融資總額將達到1.5億元。

消息顯示，該輪融資資金主要用于北一半導體SiC MOSFET技術(shù)的進(jìn)一步研發(fā)，以及產(chǎn)線(xiàn)的升級與擴建。一方面，通過(guò)加大研發(fā)投入，加快技術(shù)創(chuàng )新的步伐，提升SiC MOS的性能指標和生產(chǎn)效率；另一方面，通過(guò)產(chǎn)線(xiàn)的升級與擴建，提高生產(chǎn)規模，滿(mǎn)足市場(chǎng)需求，推動(dòng)SiC MOS的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。

天眼查顯示，北一半導體成立于2017年，專(zhuān)注于Si基、SiC基功率半導體芯片及模塊研發(fā)、模塊生產(chǎn)、銷(xiāo)售。此前，北一半導體已完成兩輪融資，其中B輪融資金額也超1.5億元，融資資金主要用于加速公司產(chǎn)線(xiàn)擴建、產(chǎn)品研發(fā)、團隊擴建以及市場(chǎng)拓展等。

昕感科技再添戰略股東，6英寸功率半導體制造項目今年投產(chǎn)

5月11日，昕感科技官宣完成京能集團旗下北京京能能源科技并購投資基金戰略入股。

據悉，昕感科技聚焦于第三代半導體SiC功率器件和功率模塊的技術(shù)突破創(chuàng )新與產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)。昕感科技SiC MOSFET累計出貨客戶(hù)百余家，產(chǎn)品可廣泛應用于光伏儲能、新能源汽車(chē)、工業(yè)控制等領(lǐng)域。

昕感科技官方消息指出，公司是國內為數不多可進(jìn)行6英寸晶圓特色工藝生產(chǎn)的IDM廠(chǎng)商。昕感科技已在650V、1200V、1700V等電壓平臺上完成數十款SiC器件和模塊產(chǎn)品量產(chǎn)，部分產(chǎn)品已通過(guò)AEC-Q101車(chē)規級可靠性認證。其中，1200V SiC MOSFET產(chǎn)品具有80mΩ、40mΩ、21mΩ、13mΩ、7mΩ等導通電阻規格，模塊產(chǎn)品對標EasyPACK、62mm、EconoDUAL等封裝形式。

今年1月30日，昕感科技6英寸功率半導體制造項目封頂活動(dòng)在江蘇江陰高新區舉行。該項目自2023年8月8日啟動(dòng)，總計投資超10億元。據人民網(wǎng)4月29日報道，江蘇昕感科技有限責任公司6英寸功率半導體制造基地近日進(jìn)入采購設備和調試階段。這片廠(chǎng)房的主體結構已于今年初全面封頂，計劃年底前正式投產(chǎn)。

季華恒一完成A輪融資

5月12日，季華恒一（佛山）半導體科技有限公司宣布，他們于近日完成了A輪融資。本次投資由優(yōu)山資本領(lǐng)投，季華璀璨（佛山）投資有限公司跟投。

公開(kāi)資料顯示，季華恒一脫胎國內知名的科研機構季華實(shí)驗室，成立于2021年6月，公司專(zhuān)注于寬禁帶半導體和新能源領(lǐng)域的半導體裝備產(chǎn)業(yè)化，著(zhù)力于開(kāi)發(fā)滿(mǎn)足高良率、穩定生產(chǎn)需求的SiC高溫外延生長(cháng)系統等等。

值得一提的是，去年5月，季華恒一自主研發(fā)的高溫離子注入設備交付客戶(hù)，可兼容4至8英寸碳化硅晶片的離子注入工藝；同年12月碳化硅激光退火設備再次交付新訂單。

明年7月將投產(chǎn)，長(cháng)飛先進(jìn)200億元武漢基地首棟建筑封頂

據中國光谷5月10日消息，日前，長(cháng)飛先進(jìn)武漢基地項目首棟宿舍樓提前封頂。這標志著(zhù)，該項目進(jìn)入投產(chǎn)倒計時(shí)，預計于今年6月全面封頂，明年7月投產(chǎn)。

消息稱(chēng)，長(cháng)飛先進(jìn)武漢基地項目位于武漢新城中心片區，由長(cháng)飛先進(jìn)半導體（武漢）有限公司出資建設，總投資預計超過(guò)200億元。項目主要聚焦于第三代半導體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，應用范圍廣泛覆蓋新能源汽車(chē)、光伏儲能、充電樁、電力電網(wǎng)等領(lǐng)域，致力于打造全智能化的碳化硅器件制造標桿工廠(chǎng)。項目建成后，將成為國內最大的碳化硅功率半導體制造基地。

該項目由中建一局承建，占地面積約22.94萬(wàn)平方米，建筑面積約30.15萬(wàn)平方米，主要建設內容包括芯片廠(chǎng)房、封裝廠(chǎng)房、外延廠(chǎng)房、動(dòng)力廠(chǎng)房、成品庫、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產(chǎn)配套用房設施等，建設周期為578日歷天。項目達產(chǎn)后，預計可年產(chǎn)36萬(wàn)片6英寸碳化硅晶圓及外延、6100萬(wàn)個(gè)功率器件模塊。

江蘇天科合達碳化硅晶片二期擴產(chǎn)項目預計6月投產(chǎn)

據金龍湖發(fā)布消息，目前，江蘇天科合達碳化硅晶片二期擴產(chǎn)項目機電安裝工作已進(jìn)入后期收尾階段。

相關(guān)負責人表示，后續重要工作將是吊頂完成，各系統的追位、調試，以及生產(chǎn)輔助用房建設和地面硬化等，力保6月前完成調試，6月3日順利竣工交付。

金龍湖發(fā)布消息顯示，天科合達二期項目作為省級重大產(chǎn)業(yè)項目，總投資8.3億元，建筑面積約5萬(wàn)平方米，包括標準化廠(chǎng)房、?；瘞?、固體庫等設施。計劃購置安裝單晶生長(cháng)爐及配套設備合計647臺（套），新建碳化硅晶片襯底制備生產(chǎn)線(xiàn)，達產(chǎn)后可實(shí)現年產(chǎn)碳化硅襯底16萬(wàn)片。此次二期擴產(chǎn)項目投產(chǎn)后，天科合達徐州基地碳化硅晶片年產(chǎn)能將達到23萬(wàn)片、年產(chǎn)值10億元以上。

資料顯示，江蘇天科合達是北京天科合達全資子公司。北京天科合達是國內首家專(zhuān)業(yè)從事第三代半導體碳化硅襯底及相關(guān)產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的國家級高新技術(shù)企業(yè)。

三安半導體SiC項目二期計劃Q3投產(chǎn)

5月9日，據湖南三安半導體消息，湖南三安半導體董事長(cháng)林志東近日作為中國半導體企業(yè)代表應邀參加了中法企業(yè)家委員會(huì )第六次會(huì )議。

在法期間，林志東介紹了湖南三安SiC項目最新進(jìn)展。據介紹，位于湖南湘江新區的湖南三安半導體責任有限公司，2020年落戶(hù)長(cháng)沙，僅用一年時(shí)間就點(diǎn)火試產(chǎn)。目前，一期已經(jīng)全線(xiàn)投產(chǎn)，目前SiC年產(chǎn)能已達到25萬(wàn)片（6英寸）。二期正在建設中，將全部導入8英寸生產(chǎn)設備和工藝，計劃今年三季度投產(chǎn)。整個(gè)項目達產(chǎn)后將實(shí)現總計年產(chǎn)48萬(wàn)片的規模。

據悉，該項目作為國內首個(gè)、世界第三個(gè)SiC全產(chǎn)業(yè)鏈整合研發(fā)與制造項目，總投資160億元，規劃用地面積約1000畝，主要建設具有自主知識產(chǎn)權，以SiC、GaN等寬禁帶材料為主的第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)與研發(fā)基地，業(yè)務(wù)涵蓋襯底材料、外延生長(cháng)、晶圓制造及封裝測試等環(huán)節。該項目一期于2020年7月破土動(dòng)工，2021年6月23日正式投產(chǎn)，并于同年11月量產(chǎn)下線(xiàn)SiC SBD全系列產(chǎn)品。2022年7月，該項目二期工程開(kāi)工。

產(chǎn)品方面，湖南三安的SiC系列產(chǎn)品主要面向工業(yè)級和車(chē)規級應用。目前，湖南三安SiC SBD已推出G3/G4/G5系列產(chǎn)品，已廣泛應用于光伏逆變器、充電樁、電源以及新能源汽車(chē)等領(lǐng)域并形成批量出貨，累計出貨量超2億顆；SiC MOSFET方面，湖南三安已推出針對新能源汽車(chē)主驅的1200V 16mΩ車(chē)規級產(chǎn)品，目前正在數家戰略客戶(hù)進(jìn)行模塊驗證；湖南三安還推出了針對光伏的1700V 1Ω及1200V 32mΩ/75mΩ SiC MOSFET，已在重點(diǎn)客戶(hù)批量導入。

此外，湖南三安今年4月在第十八屆北京國際車(chē)展上展示了1200V 8mΩ SiC MOSFET，這款產(chǎn)品是湖南三安目前1200V電壓平臺最小導通電阻、最大額定電流產(chǎn)品。

合作方面，湖南三安與維諦技術(shù)于3月28日宣布達成戰略合作伙伴關(guān)系，雙方將共同推動(dòng)數據中心、通信網(wǎng)絡(luò )等領(lǐng)域的創(chuàng )新與發(fā)展?；诖?，湖南三安SiC業(yè)務(wù)有望向數據中心、通信等領(lǐng)域加速滲透。

河南中宜創(chuàng )芯500噸碳化硅半導體粉體生產(chǎn)線(xiàn)成功達產(chǎn)

近日，河南中宜創(chuàng )芯發(fā)展有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中宜創(chuàng )芯”）SiC半導體粉體500噸生產(chǎn)線(xiàn)成功達產(chǎn)，產(chǎn)品純度最高達到99.99999%，已在國內二十多家企業(yè)和研究機構開(kāi)展試用和驗證。

資料顯示，中宜創(chuàng )芯成立于2023年5月24日，由中國平煤神馬控股集團和平頂山發(fā)展投資集團共同出資設立，總投資20億元，分期建設年產(chǎn)2000噸碳化硅半導體粉體生產(chǎn)線(xiàn)。項目一期總投資6億元，年產(chǎn)能500噸，占地12000平方米，2023年6月20日開(kāi)工建設，9月20日項目建成并試生產(chǎn)，9月30日首批產(chǎn)品出爐。預計達產(chǎn)后年產(chǎn)值5億元，

據悉，2023年國慶期間，經(jīng)權威機構檢測，中宜創(chuàng )芯首爐SiC粉體產(chǎn)品純度為99.99996%，達到國內優(yōu)等品標準。10月17日該項目一期試生產(chǎn)結束，第一批設備全部投料完成，標志著(zhù)中宜創(chuàng )芯SiC粉體開(kāi)始進(jìn)入批量生產(chǎn)階段。歷時(shí)三個(gè)月，該項目一期從開(kāi)工進(jìn)入到試生產(chǎn)階段，再經(jīng)過(guò)半年時(shí)間，項目又完成從試產(chǎn)到達產(chǎn)轉變，在建設進(jìn)度方面進(jìn)展較快。與此同時(shí)，SiC粉體產(chǎn)品純度不斷提升，已由99.99996%進(jìn)一步提高到99.99999%。

目前，中宜創(chuàng )芯SiC粉體產(chǎn)品正在被國內多家企業(yè)和研究機構試用和驗證，在一定程度上顯示了該產(chǎn)品市場(chǎng)認可度較高，也為中宜創(chuàng )芯SiC粉體后續擴產(chǎn)項目順利進(jìn)行起到了一定的推動(dòng)作用。

此外，技術(shù)研發(fā)方面，中宜創(chuàng )芯已與浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng )中心簽訂合作框架協(xié)議發(fā)揮雙方優(yōu)勢，共同開(kāi)展碳化硅半導體粉體行業(yè)標準制定、科技創(chuàng )新、成果轉化、平臺建設、人才培養等方面的合作，努力創(chuàng )造出更多成果。

年產(chǎn)40萬(wàn)片國內碳化硅襯底擴產(chǎn)

在電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源和工業(yè)自動(dòng)化等應用的推動(dòng)下，碳化硅的市場(chǎng)需求量不斷增加。而在碳化硅的主要成本中，襯底環(huán)節成本大于外延環(huán)節和制備環(huán)節等。從成本與市場(chǎng)的角度來(lái)看，碳化硅襯底成本降低40%，碳化硅市場(chǎng)規模將提升4倍。從供給與需求側來(lái)看，2025年全球襯底需求量將超過(guò)300W片，而2022年全球碳化硅襯底產(chǎn)能僅為60~80萬(wàn)片，產(chǎn)能缺口達5倍左右，國內外企業(yè)等紛紛著(zhù)力擴產(chǎn)。

近日，江西罡豐科技有限公司公示了其年產(chǎn)40萬(wàn)片第三代半導體襯底外延建設項目（一期）的相關(guān)內容，該項目的主要建設內容包括碳化硅半導體襯底生產(chǎn)線(xiàn)的建設以及相關(guān)配套廠(chǎng)房設施的完善。項目一期工程預計建成后將具備年產(chǎn)40萬(wàn)片第三代半導體襯底外延的能力。

江西罡豐科技有限公司表示，此次投資是為了滿(mǎn)足市場(chǎng)對高性能半導體襯底材料的需求，同時(shí)也將推動(dòng)公司在半導體領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng )新和產(chǎn)業(yè)升級。該項目的實(shí)施，不僅將提升公司的核心競爭力，還將為我國的半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入新的活力。

10億！源芯微電子年產(chǎn)20億只車(chē)規級芯片智造項目簽約

5月9日，“南太湖發(fā)布”官微披露，浙江湖州南太湖新區管理委員會(huì )和安徽源芯微電子有限責任公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)源芯微電子）舉行源芯微電子年產(chǎn)20億只車(chē)規級芯片智造項目簽約儀式。

據悉，此次簽約落地的年產(chǎn)20億只車(chē)規級芯片智造基地和SiC車(chē)規級芯片研究院項目總投資10億元，分兩期建設，全部達產(chǎn)后年產(chǎn)值約18億元。

源芯微電子從事高端半導體芯片設計研發(fā)、封裝測試、成品銷(xiāo)售，其主要產(chǎn)品是半導體集成電路芯片，廣泛應用于家電、PC/手機平板、無(wú)線(xiàn)快充、移動(dòng)電源充電樁、智能家居、穿戴設備、綠色照明、健康醫療等行業(yè)及新能源等領(lǐng)域。

近年來(lái)，源芯微電子持續加大功率半導體產(chǎn)業(yè)布局。2021年12月，蕪湖高新區（弋江區）舉行重大項目集中簽約、開(kāi)工活動(dòng)，其中就包括源芯微電子先進(jìn)功率半導體基地項目。

據報道，源芯微電子先進(jìn)功率半導體基地項目總投資10億元，專(zhuān)注于半導體功率器件設計、生產(chǎn)與銷(xiāo)售。項目達產(chǎn)后年產(chǎn)能將達到100億只功率器件、IC芯片。