寧夏一半導體晶圓芯片項目動(dòng)工建設

據石嘴山發(fā)布消息，5月8日，年產(chǎn)60萬(wàn)片8英寸新能源半導體晶圓芯片智造孵化園項目在寧夏石嘴山市正式落地動(dòng)工。

消息介紹稱(chēng)，該項目計劃投資15.2億元，年產(chǎn)值達到30億元以上，新增設備152余臺（套），年設計生產(chǎn)溝道金屬氧化物半導體勢壘肖特基二極管晶圓60萬(wàn)片，規劃總占地面積約296.27畝，建構筑物占地面積81851.49平方米，總建筑面積約為220629.59平方米，主要建設內容包括生產(chǎn)廠(chǎng)房、動(dòng)力廠(chǎng)房、封裝廠(chǎng)房、丙類(lèi)廠(chǎng)房、綜合倉、變電站、甲類(lèi)庫、大宗氣站、生產(chǎn)調度樓、食堂、門(mén)衛等。

據了解，肖特基勢壘芯片或肖特基障壘芯片，是光伏發(fā)電組件的重要部件之一。與普通芯片不同的是，肖特基芯片的導電是通過(guò)肖特基勢壘，具有更低的導通損耗、反向截止更低漏電、快速開(kāi)關(guān)和低噪聲特性。