三星：2025年后將進(jìn)入3D DRAM時(shí)代
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4月2日消息，據外媒Semiconductor Engineering報導，三星電子近日在半導體產(chǎn)業(yè)會(huì )議Memcon 2024上表示，2025年后將進(jìn)入3D DRAM時(shí)代。
三星預計，DRAM產(chǎn)業(yè)將于2030年前將制程壓縮至10nm以下，現有設計方案更難擴展。因此，很多廠(chǎng)商正在開(kāi)發(fā)3D DRAM多種創(chuàng )新型設計，以提高內存性能。
報道稱(chēng)，三星展示兩項3D DRAM技術(shù)，包括垂直信道晶體管（Vertical Channel Transistor）和堆疊DRAM（Stacked DRAM）。相較傳統晶體管結構，垂直信道晶體管將信道從水準變?yōu)榇怪?，大幅減少元件面積，但提升刻蝕精確度要求。
相較2D DRAM結構，堆疊DRAM可充分利用Z軸向空間，較小面積容納更多存儲單元，單晶片容納提升至100G以上。有研究機構預計，3D DRAM市場(chǎng)發(fā)展，有望2028年達千億美元規模。
而為了與其他內存制造商競爭，三星今年年初已經(jīng)在美國硅谷設立新3D DRAM研發(fā)實(shí)驗室，以開(kāi)發(fā)先進(jìn)內存。
編輯：芯智訊-林子
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