光電耦合器和MOSFET之間的差異

光電耦合器/光耦合器和固態(tài)繼電器（光電MOSFET或光耦MOSFET（OCMOS FET））在保持電隔離的同時(shí)傳輸信號，但存在一些重要差異。

下圖顯示了光電耦合器和OCMOS FET的主要內部結構。

如左邊的光電耦合器所示，當發(fā)光二極管（LED）點(diǎn)亮光電晶體管時(shí)，光會(huì )產(chǎn)生從集電極流向光電晶體管基極的光電流。因此，當LED不亮時(shí)，光電晶體管被切斷，當LED強烈點(diǎn)亮時(shí)，從集電極流向基極的大光電流，光電晶體管穩定導通。與基極集電極簡(jiǎn)單地短路不同，即使集電極-****極電壓小于晶體管的基極-****極正向電壓，光電流仍然流動(dòng)，光電晶體管是導電的。

另一方面，如上圖所示，OCMOS FET集成了光伏電池，當LED亮起時(shí)，光伏電池對柵極電容充電以增加柵源電壓，在接通型觸點(diǎn)的情況下打開(kāi)MOSFET。對于斷斷型觸點(diǎn)，FET在無(wú)柵源電壓的情況下具有導電性。然而，當LED點(diǎn)亮時(shí)，光伏電池反向偏置柵源電壓，切斷FET。當成組型OCMOS FET關(guān)閉時(shí)，光伏電池不僅停止充電，而且內部放電開(kāi)關(guān)自動(dòng)關(guān)閉，迫使柵極放電。結果，柵極-源極電壓立即下降。

OCMOS FET中的兩個(gè)FET反向串行連接在一起。因此，當OCMOS FET導電時(shí)，兩個(gè)FET都是雙向導電的。然而，當OCMOS FET不導電時(shí)，只有正向的FET與施加的電壓切斷，而另一個(gè)FET的寄生二極管導通。

由于上述結構差異，光電耦合器和OCMOS FET具有以下特性差異：

1. 雖然光電耦合器在輸出中僅傳導直流（直流電），但OCMOS FET可以在場(chǎng)效應管中同時(shí)傳導直流和交流（交流電）

2. 通常，光電耦合器的工作速度以微秒或更快為單位，而OCMOS FET的工作速度則慢至毫秒。

3. 雖然光電耦合器的輸出導通特性因輸入電流值而異，但OCMOS FET的輸出導通特性與輸入電流值無(wú)關(guān)。

4. 通常和理論上，光電耦合器變得與輸入相對應的導電。但是，OCMOS FET有兩種：一種是傳導的（a觸點(diǎn)：使接型觸點(diǎn)），另一種是當施加輸入時(shí)斷開(kāi)（b觸點(diǎn)：斷點(diǎn)型觸點(diǎn)）。

因此，雖然OCMOS FET不能像光電耦合器那樣高速運行，但OCMOS FET可以用小輸入電流（小至幾毫安）切換交流電和安培范圍內的大電流。

通常，光電耦合器僅用于傳輸直流信號。其應用包括傳統數字電路中的脈沖傳輸和開(kāi)關(guān)穩壓器中誤差反饋電路的模擬直流信號傳輸。

另一方面，由于OCMOS FET的工作速度比光電耦合器慢，因此很少用于信號傳輸。然而，由于MOSFET的雙向導通和低導通電阻特性，它主要用作間歇交流信號的“電子開(kāi)關(guān)”。因此，OCMOS FET也稱(chēng)為固態(tài)繼電器（SSR）。