MOSFET選型10步法則

俗話(huà)說(shuō)“人無(wú)遠慮必有近憂(yōu)”，對于電子設計工程師，在項目開(kāi)始之前，器件選型之初，就要做好充分考慮，選擇最適合自己需要的器件，才能保證項目的成功。

功率MOSFET恐怕是工程師們最常用的器件之一了，但你知道嗎？關(guān)于MOSFET的器件選型要考慮方方面面的因素，小到選N型還是P型、封裝類(lèi)型，大到MOSFET的耐壓、導通電阻等，不同的應用需求千變萬(wàn)化，下面這篇文章總結了MOSFET器件選型的10步法則。

1、功率MOSFET選型第一步：P管，還是N管？

功率MOSFET有兩種類(lèi)型，N溝道和P溝道，在系統設計的過(guò)程中選擇N管還是P管，要針對實(shí)際的應用具體來(lái)選擇：

——N溝道MOSFET選擇的型號多，成本低；

——P溝道MOSFET選擇的型號較少，成本高。

如果功率MOSFET的S極連接端的電壓不是系統的參考地：

——N溝道就需要浮地供電電源驅動(dòng)、變壓器驅動(dòng)或自舉驅動(dòng)，驅動(dòng)電路復雜；

——P溝道可以直接驅動(dòng)，驅動(dòng)簡(jiǎn)單。

需要考慮N溝道和P溝道的應用主要有：

（1）筆記本電腦、臺式機和服務(wù)器等使用的給CPU和系統散熱的風(fēng)扇，打印機進(jìn)紙系統電機驅動(dòng)，吸塵器、空氣凈化器、電風(fēng)扇等白家電的電機控制電路，這些系統使用全橋電路結構，每個(gè)橋臂上管可以使用P管，也可以使用N管。

（2）通信系統48V輸入系統的熱插撥MOSFET放在高端，可以使用P管，也可以使用N管

（3）筆記本電腦輸入回路串聯(lián)的、起防反接和負載開(kāi)關(guān)作用的二個(gè)背靠背的功率MOSFET，使用N溝道需要控制芯片內部集成驅動(dòng)的充電泵，使用P溝道可以直接驅動(dòng)。

2、選取封裝類(lèi)型

功率MOSFET的溝道類(lèi)型確定后，第二步就要確定封裝，封裝選取原則有：

（1）溫升和熱設計是選取封裝最基本的要求

不同的封裝尺寸具有不同的熱阻和耗散功率，除了考慮系統的散熱條件和環(huán)境溫度，如是否有風(fēng)冷、散熱器的形狀和大小限制、環(huán)境是否封閉等因素，基本原則就是在保證功率MOSFET的溫升和系統效率的前提下，選取參數和封裝更通用的功率MOSFET。

有時(shí)候由于其他條件的限制，需要使用多個(gè)MOSFET并聯(lián)的方式來(lái)解決散熱的問(wèn)題，如在PFC應用、電動(dòng)汽車(chē)電機控制器、通信系統的模塊電源次級同步整流等應用中，都會(huì )選取多管并聯(lián)的方式。

如果不能采用多管并聯(lián)，除了選取性能更優(yōu)異的功率MOSFET，另外可以采用更大尺寸的封裝或新型封裝，例如在一些AC/DC電源中將TO220改成TO247封裝；在一些通信系統的電源中，采用DFN8*8的新型封裝。

（2）系統的尺寸限制

有些電子系統受制于PCB的尺寸和內部的高度，如通信系統的模塊電源由于高度的限制通常采用DFN5*6、DFN3*3的封裝；在有些AC/DC的電源中，使用超薄設計或由于外殼的限制，裝配時(shí)TO220封裝的功率MOSFET管腳直接插到根部，高度的限制不能使用TO247的封裝。有些超薄設計直接將器件管腳折彎平放，這種設計生產(chǎn)工序會(huì )變復雜。

在大容量的鋰電池保護板的設計中，由于尺寸限制極為苛刻，現在大多使用芯片級的CSP封裝，盡可能的提高散熱性能，同時(shí)保證最小的尺寸。

（3）公司的生產(chǎn)工藝

TO220有二種封裝：裸露金屬的封裝和全塑封裝，裸露金屬的封裝熱阻小，散熱能力強，但在生產(chǎn)過(guò)程中，需要加絕緣墜，生產(chǎn)工藝復雜成本高，而全塑封裝熱阻大，散熱能力弱，但生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單。

為了減小鎖螺絲的人工工序，近幾年一些電子系統采用夾子將功率MOSFET夾在散熱片中，這樣就出現了將傳統的TO220上部帶孔的部分去除的新的封裝形式，同時(shí)也減小的器件的高度。

（4）成本控制

早期很多電子系統使用插件封裝，這幾年由于人工成本增加，很多公司開(kāi)始改用貼片封裝，雖然貼片的焊接成本比插件高，但是貼片焊接的自動(dòng)化程度高，總體成本仍然可以控制在合理的范圍。在臺式機主板、板卡等一些對成本極其敏感的應用中，通常采用DPAK封裝的功率MOSFET，因為這種封裝的成本低。

因此，在選擇功率MOSFET的封裝時(shí)，要結合自己公司的風(fēng)格和產(chǎn)品的特點(diǎn)，綜合考慮上面因素。

3、選取耐壓BVDSS

在大多數情況下，似乎選取功率MOSFET的耐壓對于很多工程師來(lái)說(shuō)是最容易的一件事情，因為設計的電子系統輸入電壓是相對固定的，公司選取特定的供應商的一些料號，產(chǎn)品額定電壓也是固定的。例如在筆記本電腦適配器、手機充電器中，輸入為90～265V的交流，初級通常選用600V或650V的功率MOSFET；筆記本電腦主板輸入電壓19V，通常選用30V的功率MOSFET，根本不需要任何的考慮。

數據表中功率MOSFET的擊穿電壓BVDSS有確定的測試條件，在不同的條件下具有不同的值，而且BVDSS具有正溫度系數，在實(shí)際的應用中要結合這些因素綜合考慮。

很多資料和文獻中經(jīng)常提到：如果系統中功率MOSFET的VDS的最高尖峰電壓如果大于BVDSS，即便這個(gè)尖峰脈沖電壓的持續只有幾個(gè)或幾十個(gè)ns，功率MOSFET也會(huì )進(jìn)入雪崩從而發(fā)生損壞。

不同于三極管和IGBT，功率MOSFET具有抗雪崩的能力，而且很多大的半導體公司功率MOSFET的雪崩能量在生產(chǎn)線(xiàn)上是全檢的、100%檢測，也就是在數據中這是一個(gè)可以保證的測量值，雪崩電壓通常發(fā)生在1.2～1.3倍的BVDSS，而且持續的時(shí)間通常都是μs、甚至ms級，那么持續只有幾個(gè)或幾十個(gè)ns、遠低于雪崩電壓的尖峰脈沖電壓是不會(huì )對功率MOSFET產(chǎn)生損壞的。

為什么在實(shí)際的設計中，要求在最極端的情況下，功率MOSFET的最大VDS電壓必須低于BVDSS、同時(shí)還要有一定的降額，如5%，10%，甚至20%的降額？

原因在于：保證電子系統的可生產(chǎn)性，以及在大批量生產(chǎn)時(shí)候的可靠性。

任何電子系統的設計，實(shí)際的參數都會(huì )有一定的變化范圍，有時(shí)候很難保證多個(gè)極端的情況碰到一起，從而對系統產(chǎn)生問(wèn)題，特別是在高溫的條件下，功率器件以及系統的其他元件溫度系數的漂移會(huì )產(chǎn)生一些難以想象的問(wèn)題，降額以及設計的裕量可以盡可能的減小在這些極端條件下發(fā)生損壞的問(wèn)題。

4、驅動(dòng)電壓選取VTH

不同電子系統的功率MOSFET選取的驅動(dòng)電壓并不相同，AC/DC電源通常使用12V的驅動(dòng)電壓，筆記本的主板DC/DC變換器使用5V的驅動(dòng)電壓，因此要根據系統的驅動(dòng)電壓選取不同閾值電壓VTH的功率MOSFET。

數據表中功率MOSFET的閾值電壓VTH也有確定的測試條件，在不同的條件下具有不同的值，VTH具有負溫度系數。不同的驅動(dòng)電壓VGS對應著(zhù)不同的導通電阻，在實(shí)際的應用中要考慮溫度的變化，既要保證功率MOSFET完全開(kāi)通，同時(shí)又要保證在關(guān)斷的過(guò)程中耦合在G極上的尖峰脈沖不會(huì )發(fā)生誤觸發(fā)產(chǎn)生直通或短路。

5、選取導通電阻RDSON，注意：不是電流;

很多時(shí)候工程師關(guān)心RDSON，是因為RDSON和導通損耗直接相關(guān)，RDSON越小，功率MOSFET的導通損耗越小、效率越高、溫升越低。同樣的，工程師盡可能沿用以前項目中或物料庫中現有的元件，對于RDSON的真正的選取方法并沒(méi)有太多的考慮。當選用的功率MOSFET的溫升太低，出于成本的考慮，會(huì )改用RDSON大一些的元件；當功率MOSFET的溫升太高、系統的效率偏低，就會(huì )改用RDSON小一些的元件，或通過(guò)優(yōu)化外部的驅動(dòng)電路，改進(jìn)散熱的方式等來(lái)進(jìn)行調整。

如果是一個(gè)全新的項目，沒(méi)有以前的項目可循，那么如何選取功率MOSFET的RDSON？這里介紹一個(gè)方法給大家：功耗分配法。

當設計一個(gè)電源系統的時(shí)候，已知條件有：輸入電壓范圍、輸出電壓/輸出電流、效率、工作頻率、驅動(dòng)電壓，當然還有其他的技術(shù)指標和功率MOSFET相關(guān)的主要是這些參數。步驟如下：

（1）根據輸入電壓范圍、輸出電壓/輸出電流、效率，計算系統的最大損耗。

（2）功率回路的雜散損耗，非功率回路元件的靜態(tài)損耗，IC的靜態(tài)損耗以及驅動(dòng)損耗，做大致的估算，經(jīng)驗值可以占總損耗的10%～15%。如果功率回路有電流取樣電阻，計算電流取樣電阻的功耗?？倱p耗減去上面的這些損耗，剩下部分就是功率器件、變壓器或電感的功率損耗。

將剩下的功率損耗按一定的比例分配到功率器件和變壓器或電感中，不確定的話(huà)，按元件數目平均分配，這樣就得到每個(gè)MOSFET的功率損耗。

（3）將MOSFET的功率損耗，按一定的比例分配給開(kāi)關(guān)損耗和導通損耗，不確定的話(huà)，平均分配開(kāi)關(guān)損耗和導通損耗。

（4）由MOSFET導通損耗和流過(guò)的有效值電流，計算最大允許的導通電阻，這個(gè)電阻是MOSFET在最高工作結溫的RDSON。

數據表中功率MOSFET的RDSON標注有確定的測試條件，在不同的定義的條件下具有不同的值，測試的溫度為：TJ=25℃，RDSON具有正溫度系數，因此根據MOSFET最高的工作結溫和RDSON溫度系數，由上述RDSON計算值，得到25℃溫度下對應的RDSON。

（5）由25℃的RDSON來(lái)選取型號合適的功率MOSFET，根據MOSFET的RDSON實(shí)際參數，向下或向上修整。

通過(guò)以上步驟，就初步選定功率MOSFET的型號和RDSON參數。

很多資料和文獻中，經(jīng)常計算系統的最大電流，然后進(jìn)行降額，由功率MOSFET數據表的電流值來(lái)選取器件，這種方法是不對的。

功率MOSFET的電流是一個(gè)計算值，而且是基于TC=25℃，也沒(méi)有考慮開(kāi)關(guān)損耗，因此這種方法和實(shí)際的應用差距太大，沒(méi)有參考價(jià)值。在一些有大電流沖擊要求有短路保護的應用中，會(huì )校核數據表中的最大漏極脈沖電流值及其持續時(shí)間，這個(gè)和選取RDSON沒(méi)有直接的關(guān)系。

6、選取開(kāi)關(guān)特性：Crss、Coss、Ciss；Qg、Qgd、Qoss M% `' @. |' Y" x

功率MOSFET在開(kāi)關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗，開(kāi)關(guān)損耗主要和這些開(kāi)關(guān)特性參數有關(guān)。QG影響驅動(dòng)損耗，這一部分損耗并不消耗在功率MOSFET中，而且是消耗在驅動(dòng)IC中。QG越大，驅動(dòng)損耗越大。

基于RDSON選取了功率MOSFET的型號后，這些開(kāi)關(guān)特性參數都可以在數據表中查到，然后根據這些參數計算開(kāi)關(guān)損耗。

7、熱設計及校核-

根據選取的功率MOSFET的數據表和系統的工作狀態(tài)，計算其導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，由總的功率損耗和工作的環(huán)境溫度計算MOSFET的最高結溫，校核其是否在設計的范圍。所有條件基于最?lèi)毫拥臈l件，然后由計算的結果做相應的調整。

如果總的損耗偏大，大于分配的功率損耗，那么就要重新選取其他型號的功率MOSFET，可以查看比選取的功率MOSFE的RDSON更大或更小的其他型號，再次校核總的功率損耗，上述過(guò)程通常要配合第5、6步，經(jīng)過(guò)幾次的反復校驗，最后確定與設計相匹配的型號，直到滿(mǎn)足設計的要求。

有時(shí)候由于產(chǎn)品型號的限制找不到參數合適的產(chǎn)品，可以采用以下的方法：

（1）使用多管并聯(lián)的方式，來(lái)解決散熱和溫升的問(wèn)題。

（2）將功率損耗重新分配，變壓器或電感、其他的功率元件分配更多的功耗。更改功率分配的時(shí)候，也要保證其他元件的溫升滿(mǎn)足系統設計要求。

（3）如果系統允許，改變散熱的方式或加大散熱器的尺寸。

（4）其他因素，調整工作頻率、更改電路結構等，如PFC采用交錯結構，采用LLC或其他軟開(kāi)關(guān)電路。

8、校核二極管特性

在橋式電路中如全橋、半橋、LLC以及BUCK電路的下管，有內部寄生二極管的反向恢復的問(wèn)題，最簡(jiǎn)單的方法就是采用內部帶快恢復二極管的功率MOSFET，如果內部不帶快恢復二極管，就要考慮內部寄生二極管的反向恢復特性：Irrm、Qrr、trr、trr1/trr2，如trr要小于250ns，這些參數影響著(zhù)關(guān)斷的電壓尖峰、效率，以及可靠性，如在LLC的起動(dòng)、短路中，系統進(jìn)入容性模式、若二極管反向恢復性能較差，容易產(chǎn)生上下管直通而損壞的問(wèn)題。如果控制器具有容性模式保護功能，就不用考慮這個(gè)因素。

9、雪崩能量及UIS、dv/dt

雪崩能量及測試的條件參考下面的文章，有非常詳細的詳明。除了反激和一些電機驅動(dòng)的應用，大多結構不會(huì )發(fā)生這種單純的電壓箝位的雪崩，很多應用情況下，二極管反向恢復過(guò)程中dv/dt、過(guò)溫以及大電流的綜合作用產(chǎn)生動(dòng)態(tài)雪崩擊穿損壞，相關(guān)的內容可參考文章。

10、其他參數

內部RG的大小、負載開(kāi)關(guān)和熱插撥工作在線(xiàn)性區的問(wèn)題、SOA特性，和EMI相關(guān)的參數、等等。