1.2kV SiC MOSFET中的主動(dòng)短路和重復短路
來(lái)源： 芯TIP
報告主題：1.2kV SiC MOSFET 中的主動(dòng)短路和重復短路
報告作者：Amy Romero, Adam Barkley, Robert Zenoz,Frank DiLustro , Jeff Casady
報告詳細內容
# 介紹
? SiC MOSFET技術(shù)是汽車(chē)驅動(dòng)傳動(dòng)系統應用的理想選擇，可以利用SiC的更高效率來(lái)延長(cháng)電池電動(dòng)車(chē)（BEV）的續航能力（和/或）降低成本
? 在某些操作條件下，汽車(chē)應用可能會(huì )導致高應力環(huán)境
- 坡度保持、故障條件、峰值加速度
- 為峰值工作條件添加額外的SiC芯片會(huì )增加成本
* 了解SiC MOSFET在非正常高應力條件下的魯棒性極限是很重要的。
# 概要
考慮1.2 kV、17 mΩ MOSFET的魯棒性，將進(jìn)行兩種不同的高應力測試
1. 重復性短路
2. MOSFET浪涌測試
# 被測設備
QPM3 -1200 -0017C 汽車(chē)芯片
– 1200 V、17 mΩ SiC MOSFET
? 用于評估的預發(fā)布 SiC MOSFET
– 柵極驅動(dòng)電壓：-4 V/ +15V
– 采用 TO TO-247 -4L 封裝 (kelvin) 進(jìn)行這些測試
# 1200 V、17 mΩ SiC MOSFET重復短路
# 短路測試設置
# 短路波形
測試注意事項
? VDS 保持在指定電壓的 15% 以?xún)龋ㄟ@是通過(guò)具有非常低的雜散電感來(lái)控制的）
? 通過(guò)設備的電流水平達到額定電流的 10 倍以上
# 測試程序
? 為了獲得 TSCWT，設備被給予一個(gè)短脈沖，如果設備在這個(gè)脈沖中幸存下來(lái)，脈沖寬度將增加 200 ns。
? 脈沖寬度不斷增加，直到器件性能下降
? 在每個(gè)脈沖之間進(jìn)行靜態(tài)測量
? TSCWT = 最后一個(gè)良好脈沖（器件存活的最后一個(gè)脈沖寬度）
# 預期能量水平
# 重復性SC測試概述
用1.4微秒的脈沖對兩個(gè)設備進(jìn)行重復脈沖，每100個(gè)脈沖后進(jìn)行一次后期測試
# 參數測試結果
- 前期測試是在開(kāi)始SC測試前測量的（脈沖0）。
- 后期測試在每100個(gè)脈沖后進(jìn)行測量。
- 在175°C時(shí)，設備通過(guò)了600個(gè)脈沖，但在700個(gè)脈沖后未能通過(guò)后測試。
# 結點(diǎn)溫度估計
- 在LTSpice中使用TO -247 -4L封裝的熱阻抗測量值為這個(gè)1200V、17mΩ的器件創(chuàng )建了一個(gè)Cauer熱模型。
- 測量的瞬時(shí)功率波形（
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