梁孟松離職風(fēng)波后續：中芯國際送了一套價(jià)值2千萬(wàn)的房子

3月31日晚間，大陸晶圓代工龍頭中芯國際發(fā)布2020全年財報，凈利潤大漲141.5%，達7.16億美元，成科創(chuàng )板“摘U”第一股！這是中芯國際登陸科創(chuàng )板以來(lái)首份對外公布的財報。

科創(chuàng )板帶著(zhù)“-U”的股****簡(jiǎn)稱(chēng)，代表這家上市企業(yè)尚未盈利，而成功扭虧為盈的中芯國際，將在明日正式摘掉“U”這一特別標識。

財報顯示，2020年，中芯國際多項財務(wù)指標創(chuàng )歷史新高：全年營(yíng)業(yè)收入合計39.07億美元（約合人民幣256.7億元）, 同比成長(cháng)25.4%；毛利9.21億美元，同比成長(cháng)43.3%；歸屬于公司的凈利潤7.16億美元，同比成長(cháng)204.9%，實(shí)現近兩倍增長(cháng)；歸屬于上市公司股東的扣非凈利潤3.3億美元，去年這一數字尚為虧損1.0億美元。

中芯國際表示，歸屬于上市公司股東的扣非凈利潤由虧損轉為盈余，主要原因為經(jīng)營(yíng)性利潤增加以及投資收益增長(cháng)。此外，銷(xiāo)售晶圓數量增長(cháng)與產(chǎn)品組合變動(dòng)也共同推動(dòng)了營(yíng)收增長(cháng)。2019年，其銷(xiāo)售晶圓數約為500萬(wàn)片（折合8英寸晶圓），報告期內這一數量增長(cháng)至570萬(wàn)片，漲幅達到13.3%。此外，每片晶圓的平均售價(jià)亦有所上漲，由上年的620美元增加至今年的686美元。

分業(yè)務(wù)來(lái)看，來(lái)自晶圓代工業(yè)務(wù)的營(yíng)收為34.7億美元，占總營(yíng)收比重為88.9%；來(lái)自光掩模制造、測試及其他配套技術(shù)服務(wù)的營(yíng)收總和為4.3億美元，占總營(yíng)收比重11.1%。其中晶圓代工業(yè)務(wù)收入同比增長(cháng)19.9%，其他業(yè)務(wù)收入實(shí)現較快增長(cháng)，同比增長(cháng)97.7%。

其他業(yè)務(wù)的較快增長(cháng)亦符合中芯國際的發(fā)展戰略。其在年報中表示，除晶圓代工業(yè)務(wù)外，中芯國際亦致力于打造平臺式的生態(tài)服務(wù)模式，為客戶(hù)提供設計服務(wù)與IP支持、光掩模制造、凸塊加工及測試等一站式配套服務(wù)，并促進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈上下游合作，最終與產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節企業(yè)一同為客戶(hù)端提供全方位的集成電路解決方案。

分地區來(lái)看，2020年中芯國際來(lái)自大陸與香港地區的業(yè)務(wù)收入占主營(yíng)業(yè)務(wù)收入的63.5% ，收入同比增長(cháng)34.1%；北美區業(yè)務(wù)占主營(yíng)業(yè)務(wù)收入的23.2% ，同比增長(cháng)10.4%；歐洲及亞洲業(yè)務(wù)區收入占主營(yíng)業(yè)務(wù)收入13.3% ，同比增長(cháng)16.7%。

從應用領(lǐng)域看，智能手機類(lèi)應用收入占晶圓代工業(yè)務(wù)營(yíng)收的44.4%，同比增長(cháng)21.7%；智能家居類(lèi)占晶圓代工收入17.1%，同比增長(cháng)22.3%；消費電子占晶圓代工業(yè)務(wù)營(yíng)收的18.2% ，收入同比增長(cháng)6.5%；其他應用類(lèi)占晶圓代工業(yè)務(wù)收入的20.3% ，增長(cháng)28.3%。

以技術(shù)節點(diǎn)作分界，來(lái)自90納米及以下制程的晶圓代工業(yè)務(wù)收入占比58.1% ，而2019年則為50.6%。其中，55/65納米技術(shù)的收入貢獻比例由2019年的27.3%增加至2020年的30.5%。28納米及以下技術(shù)的收入貢獻比例由2019年的4.3%增加至2020年的9.2%。

此外報告顯示：中芯國際向梁孟松博士贈予了一套價(jià)值2250萬(wàn)元（含稅）的住房。

此前，業(yè)界傳聞梁孟松曾有離職意向。目前看，梁孟松的離職風(fēng)波中芯國際已經(jīng)內部穩妥處理，而且梁孟松很有可能正是中芯國際12nm平臺進(jìn)展的核心功臣。

關(guān)于項目研發(fā)進(jìn)展，中芯國際在財報中披露了第二代FinFET技術(shù)、14nm FinFET技術(shù)等10大在研項目的研發(fā)進(jìn)展。

根據財報，2020年中芯國際先進(jìn)技術(shù)平臺研發(fā)進(jìn)展順利。第一代FinFET工藝制造水平逐步提高，進(jìn)入成熟量產(chǎn)階段，產(chǎn)品良率已經(jīng)達到業(yè)界標準；多個(gè)衍生平臺開(kāi)發(fā)按計劃完成，已經(jīng)實(shí)現量產(chǎn)產(chǎn)品多樣化目標，其中包括在14納米FinFET通用工藝平臺上完成了12nm通用平臺驗證等。

第二代FinFET技術(shù)首次采用了SAQP形成鰭結構以達到更小尺寸結構的需求，相對前代技術(shù)，單位面積晶體管密度大幅提高。目前中芯國際第二代FinFET技術(shù)已經(jīng)完成低電壓工藝開(kāi)發(fā)，可以提供0.33V/0.35V低電壓使用需求，已經(jīng)進(jìn)入風(fēng)險量產(chǎn)。

通過(guò)加強第一代、第二代FinFET多元平臺開(kāi)發(fā)和布建，中芯國際將拓展平臺的可靠性及競爭力，或有助于未來(lái)進(jìn)一步布局移動(dòng)、無(wú)線(xiàn)、計算、AI、物聯(lián)網(wǎng)和汽車(chē)應用等領(lǐng)域。

同時(shí)，中芯國際特色工藝技術(shù)研發(fā)進(jìn)展順利，有多個(gè)技術(shù)交付量產(chǎn)，40nm及0.11微米嵌入式非揮發(fā)性存儲器平臺進(jìn)入風(fēng)險量產(chǎn)，其他高壓驅動(dòng)、特殊存儲技術(shù)、圖像傳感項目研發(fā)亦在穩步推進(jìn)中。