z-nand 文章進(jìn)入z-nand技術(shù)社區

半導體行業(yè)掀起并購潮背后的推動(dòng)力是什么？

我們獲取和存儲數據的方式發(fā)生了巨大轉變，這是近年來(lái)半導體行業(yè)出現并購潮的原因所在。
關(guān)鍵字：半導體 NAND

陶氏發(fā)表OPTIPLANE 先進(jìn)半導體制造化學(xué)機械研磨液(CMP)平臺

　　陶氏電子材料是陶氏化學(xué)公司的一個(gè)事業(yè)部，本日推出 OPTIPLANE™ 化學(xué)機械研磨液 (CMP) 平臺。OPTIPLANE 研磨液系列的開(kāi)發(fā)是為了滿(mǎn)足客戶(hù)對先進(jìn)半導體研磨液的需求：能以有競爭力的成本，符合減少缺陷的要求和更嚴格的規格，適合用來(lái)製造新一代先進(jìn)半導體裝置。　　全球 CMP 消耗品市場(chǎng)持續成長(cháng)，部分的成長(cháng)驅動(dòng)力來(lái)自新的 3D 邏輯、NAND 快閃記憶體和封裝應用，這些均要求大幅提高的平坦化效果和最低程度的缺陷率，以符合無(wú)數先進(jìn)電子裝置的性能需求。　　「生產(chǎn)先進(jìn)半導體晶圓
關(guān)鍵字：陶氏 NAND

英特爾大連55億美元非易失性存儲項目提前投產(chǎn)

　　經(jīng)過(guò)8個(gè)多月的努力，英特爾大連非易失性存儲制造新項目7月初實(shí)現提前投產(chǎn)。7月25日，記者在英特爾半導體(大連)有限公司廠(chǎng)區內看到，1000多名英特爾員工和來(lái)自全世界的數千名項目建設供應商員工，正井然有序地忙碌著(zhù)，他們的共同目標只有一個(gè)：全力加速非易失性存儲制造新項目的量產(chǎn)步伐。　　去年10月，英特爾公司宣布投資55億美元將大連工廠(chǎng)建設為世界上最先進(jìn)的非易失性存儲器制造工廠(chǎng)。該項目是迄今為止英特爾在中國的最大一筆投資，也是大連市乃至遼寧省改革開(kāi)放以來(lái)最大的外資項目。此前的2010年，作為英特爾在亞洲
關(guān)鍵字：英特爾 NAND

NAND快閃記憶體價(jià)格上漲創(chuàng )見(jiàn)威剛笑開(kāi)懷

　　NAND快閃記憶體受惠固態(tài)硬盤(pán)(SSD)銷(xiāo)售熱絡(luò )，加上智能手機搭載容量提高，帶動(dòng)近月價(jià)格持續上漲，創(chuàng )見(jiàn)、威剛等模組廠(chǎng)營(yíng)運受惠，市場(chǎng)預期蘋(píng)果將推出的iPhone 7拉貨動(dòng)能如何，將攸關(guān)NAND快閃記憶體價(jià)格續漲力道。　　市場(chǎng)指出，上半年非蘋(píng)陣營(yíng)智能手機產(chǎn)品銷(xiāo)售強勁，產(chǎn)品功能提升帶動(dòng)記憶體需求大增，加上6月三星西安廠(chǎng)因變電廠(chǎng)爆炸導致停工，帶動(dòng)NAND快閃記憶體價(jià)格上漲，主流產(chǎn)品在1個(gè)月內漲幅超過(guò)2成。　　市況變化帶動(dòng)記憶體模組廠(chǎng)營(yíng)運增溫，創(chuàng )見(jiàn)表示，在漲價(jià)預期心理帶動(dòng)下，通路拉貨力道明顯回升，DRA
關(guān)鍵字： NAND DRAM

三星西安廠(chǎng)事故導致NAND價(jià)格爆沖22%

　　因中國大陸、中國臺灣智能手機廠(chǎng)商紛紛強化產(chǎn)品功能、帶動(dòng)記憶體需求大增，加上三星電子西安工廠(chǎng)6月因附近變電廠(chǎng)爆炸而一度停工，帶動(dòng)使用于智能手機、記憶卡的NAND型快閃記憶體(Flash Memory)交易價(jià)格轉趨走揚，指標性產(chǎn)品6月份批發(fā)價(jià)在1個(gè)月期間內飆漲22%。　　報道指出，6月份MLC(Multi-Level Cell)類(lèi)型64Gb NAND價(jià)格揚升至每個(gè)2.75美元、為2年9個(gè)月以來(lái)首度走升，其中也有部分交易價(jià)格超過(guò)3美元，且進(jìn)入7月以來(lái)價(jià)格仍持續走揚。據英國調查公司指出，2016年全球NA
關(guān)鍵字：三星 NAND

東芝將領(lǐng)先三星推出64層3D NAND Flash

　　據海外媒體報道，東芝(Toshiba)計劃領(lǐng)先三星電子(Samsung Electronics)于2016財年開(kāi)始量產(chǎn)64層3D NAND Flash存儲器芯片。日經(jīng)亞洲評論(Nikkei Asian Review)報導，東芝于7月15日舉辦日本三重縣四日市(Yokkaichi)半導體二廠(chǎng)啟用儀式，未來(lái)將在此工廠(chǎng)生產(chǎn)64層NAND Flash。　　64層NAND Flash較東芝和三星目前生產(chǎn)的48層NAND Flash容量高30%，雖然價(jià)格較高，但每單位容量會(huì )比48層版的便宜。若應用于智能型手機
關(guān)鍵字：東芝 NAND

中國半導體業(yè)崛起策略：三駕馬車(chē)并用

有關(guān)中國半導體業(yè)發(fā)展的討論已經(jīng)很久了，似乎路徑已經(jīng)清晰，關(guān)鍵在于執行，以及達成何種效果。受現階段產(chǎn)業(yè)大環(huán)境的影響，仍由政府資金主導，因此非市場(chǎng)化的因素尚在，產(chǎn)業(yè)的波浪式前進(jìn)似乎不可避免，中國半導體業(yè)發(fā)展需要采用研發(fā)、兼并及合資與合作的三駕馬車(chē)，這三者都十分重要，需要齊頭并進(jìn)。
關(guān)鍵字：半導體 NAND

三星48層3D V-NAND快閃存儲器揭密

　　備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃記憶體已經(jīng)出現在市場(chǎng)上了，TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會(huì )先睹為快。　　三星(Samsung)早在2015年8月就發(fā)布其256Gb的3位元多級單元(MLC) 3D V-NAND快閃記憶體K9AFGY8S0M，并強調將用于各種固態(tài)硬碟(SSD)，也預計會(huì )在2016年初正式上市。這些承諾如今真的實(shí)現了，我們得以在其2TB容量的T3系列mSATA可攜式SSD中發(fā)現其蹤影(如圖1)。　　　　圖1：三星T3 2TB S
關(guān)鍵字：三星 V-NAND

東芝沖NAND Flash產(chǎn)量 2018年3D NAND占其九成

　　東芝(Toshiba)統籌存儲器事業(yè)的副社長(cháng)成毛康雄于6日舉行的投資人說(shuō)明會(huì )上表示，將沖刺NAND Flash產(chǎn)量，目標在2018年度將NAND Flash產(chǎn)量擴增至2015年度的3倍水準(以容量換算)。　　關(guān)于已在2016年度開(kāi)始量產(chǎn)的3D結構NAND Flash，成毛康雄指出，將強化3D Flash的生產(chǎn)，目標在2017年度將3D產(chǎn)品占整體生產(chǎn)比重提高至5成、2018年度進(jìn)一步提高至9成左右水準。　　東芝為全球第2大NAND Flash廠(chǎng)商，市占率僅次于三星電子。　　日經(jīng)、韓國先驅報(
關(guān)鍵字：東芝 3D NAND

Cell on Peri構造有利IDM提升3D NAND Flash競爭力

　　Cell on Peripheral Circuit(以下簡(jiǎn)稱(chēng)Cell on Peri)構造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營(yíng)開(kāi)發(fā)，采用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在周邊電路CMOS邏輯IC上的方式，以縮減采3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀(guān)察，三星電子(Samsung Electronics)已提出類(lèi)似此一構造的COP(Cell Over Peri)方案，將有利整合元件廠(chǎng)(Integrated Device Ma
關(guān)鍵字： 3D NAND 美光

2016年下半3D NAND供應商上看4家三星仍將具產(chǎn)能技術(shù)優(yōu)勢

　　DIGITIMES Research觀(guān)察，2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應3D NAND Flash的主要業(yè)者，然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存儲器業(yè)者陸續量產(chǎn)3D NAND Flash，三星獨家供應3D NAND Flash的狀況將改變，不過(guò)，三星已及早規劃增產(chǎn)3D NAND Flash及朝64層堆疊架構邁進(jìn)，短期內仍將掌握產(chǎn)能與技術(shù)優(yōu)勢。　　三星已自2013年下半起陸續量產(chǎn)24層、32層
關(guān)鍵字：三星 3D NAND

三星3D V-NAND 32層對48層僅僅是垂直層面的擴展？

　　三星公司已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)其48層(即單NAND內48層單元，屬于第三代升級技術(shù))3D V-NAND芯片，預計其將被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企業(yè)級SSD(PM1633a)等SSD產(chǎn)品。在各設備當中，將包含大量48層3D V-NAND存儲芯片且通過(guò)引線(xiàn)鍵合技術(shù)實(shí)現彼此堆疊。三星公司在48層3D V-NAND芯片中集成了512 GB存儲單元，意味著(zhù)每個(gè)NAND晶片為32 GB容量(256 Gb)。三星的32層(第二代方案)3D V-N
關(guān)鍵字：三星 V-NAND

3D NAND成半導體業(yè)不景氣救世主

　　韓媒NEWSIS報導，韓國半導體業(yè)者將3D NAND視為克服不景氣的對策。3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進(jìn)入量產(chǎn)的技術(shù)，在這之前業(yè)界采用的是水平結構，3D垂直堆疊技術(shù)成為克服制程瓶頸的解決方案。　　3D NAND比20納米級產(chǎn)品的容量密度高，讀寫(xiě)速度快，耗電量節省一半;采用3D NAND Flash存儲器的固態(tài)硬碟(SSD)其電路板面積也較小?；谏鲜鰞?yōu)點(diǎn)，對于業(yè)界積極發(fā)展以人工智能平臺的相關(guān)服務(wù)，3D NAND成為具有潛力，有利于邁入第四次工業(yè)革命的技
關(guān)鍵字： 3D NAND 半導體

NAND Flash供貨吃緊態(tài)勢明顯　價(jià)格走揚

　　第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現貨卡片價(jià)格自4月初以來(lái)已連續三個(gè)月份逐步走揚。　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報價(jià)顯示，第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現貨卡片價(jià)格自4月初以來(lái)已連續三個(gè)月份逐步走揚，而近一個(gè)月漲幅開(kāi)始增加。　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，NAND Flash原廠(chǎng)持續降低對于通路(Channel)的供貨比重來(lái)滿(mǎn)足eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟(SS
關(guān)鍵字： NAND Flash

中國成為全球新建晶圓廠(chǎng)主要推手

　　全球在2016年與2017年將開(kāi)始興建的晶圓廠(chǎng)至少有19座，其中有半數以上都是在中國。　　根據SEMI的統計，全球在2016年與2017年將開(kāi)始興建的晶圓廠(chǎng)至少有19座，其中有半數以上都是在中國;而2016年全球半導體廠(chǎng)商晶片制造設備支出估計將可達到360億美元，較2015年增加1.5%，2017年則可望再成長(cháng)13%、達到407億美元。　　　　包括全新、二手與專(zhuān)屬(in-house)晶圓廠(chǎng)設備支出，在2015年衰退了2%;而SEMI預期，3D NAND快閃記憶體、10奈
關(guān)鍵字：晶圓 NAND