Vishay推出新型第三代TrenchFET功率MOSFET系列的首款器件

　　Vishay推出新型第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列的首款器件。該器件具有破紀錄的導通電阻性能和導通電阻與柵極電荷乘積指標。

　　新型 TrenchFET 第三代 Si7192DP 是一款采用 PowerPAK® SO-8 封裝的 N 溝道器件，在 4.5V 柵極驅動(dòng)電壓下具有 2.25 毫歐的最大導通電阻。導通電阻與柵極電荷乘積是 DC-DC 轉換器應用中 MOSFET 的關(guān)鍵優(yōu)值系數(FOM)，Vishay 推出的Si7192DP器件的 FOM 值為 98 --- 創(chuàng )造了任何采用 SO-8 封裝的 VDS = 30V、VGS = 20 V 器件的新的業(yè)界紀錄。與分別為實(shí)現低導通損耗和低開(kāi)關(guān)損耗而優(yōu)化的最接近的競爭器件相比，Vishay的新器件代表了市場(chǎng)上最佳的可用規格。更低的導通電阻及更低的柵極電荷意味著(zhù)更低的導通損耗和更低的開(kāi)關(guān)損耗。

　　Vishay SilIConix Si7192DP 將作為同步降壓式轉換器及次級同步整流和 OR-ing 應用中的低端 MOSFET，其低導通及低開(kāi)關(guān)損耗將有助于穩壓器模塊(VRM)、服務(wù)器及采用負載點(diǎn)(POL) 功率轉換器的眾多系統實(shí)現更高功效且更節省空間的設計。

　　Siliconix 創(chuàng )建于 1962 年，是業(yè)界率先推出溝道功率 MOSFET 的供應商，并于 1996 年成為 Vishay 的子公司。該公司的 TrenchFET IP 包含眾多專(zhuān)利，其中包括可追溯到 20 世紀 80 年代初的基礎技術(shù)專(zhuān)利。每種新一代 TrenchFET 技術(shù)均可滿(mǎn)足各種計算、通信、消費類(lèi)電子及許多其他應用對更高功率 MOSFET 性能的需求。

　　目前，Si7192DP 已開(kāi)始提供樣品和批量生產(chǎn)，大宗訂單的交貨周期為 10 至 12 周。