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讓汽車(chē)看懂紅綠燈 奧迪新技術(shù)展示

  • 如果說(shuō)無(wú)人駕駛離消費者還很遙遠,那么傳統車(chē)廠(chǎng)在汽車(chē)上植入的新功能對駕駛員來(lái)說(shuō)已經(jīng)在逐步解放駕駛員了。據外媒報道,奧迪將在其2017款的Q7和A4
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三星3D垂直NAND閃存量產(chǎn) SSD容量可輕松提升

  • 韓國三星公司剛剛宣布旗下的最新一代采用3D垂直閃存(V-NAND)的固態(tài)硬盤(pán)驅動(dòng)器已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)行量產(chǎn)。最新的3D垂直閃存與傳統的NAND存儲芯片相比,具有包
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三星3D V-NAND固態(tài)盤(pán)加速企業(yè)閃存進(jìn)化

  • 三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級應用、高可靠的固態(tài)盤(pán)存儲--V-NAND固態(tài)盤(pán)。最新用于固態(tài)盤(pán)V-NAND技術(shù)帶來(lái)性能上的提升,節省電力消耗,并提高了急需
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三星48層3D V-NAND快閃存儲器揭密

  •   備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃記憶體已經(jīng)出現在市場(chǎng)上了,TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會(huì )先睹為快。   三星(Samsung)早在2015年8月就發(fā)布其256Gb的3位元多級單元(MLC) 3D V-NAND快閃記憶體K9AFGY8S0M,并強調將用于各種固態(tài)硬碟(SSD),也預計會(huì )在2016年初正式上市。這些承諾如今真的實(shí)現了,我們得以在其2TB容量的T3系列mSATA可攜式SSD中發(fā)現其蹤影(如圖1)。        圖1:三星T3 2TB S
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三星3D V-NAND 32層對48層 僅僅是垂直層面的擴展?

  •   三星公司已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)其48層(即單NAND內48層單元,屬于第三代升級技術(shù))3D V-NAND芯片,預計其將被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企業(yè)級SSD(PM1633a)等SSD產(chǎn)品。在各設備當中,將包含大量48層3D V-NAND存儲芯片且通過(guò)引線(xiàn)鍵合技術(shù)實(shí)現彼此堆疊。三星公司在48層3D V-NAND芯片中集成了512 GB存儲單元,意味著(zhù)每個(gè)NAND晶片為32 GB容量(256 Gb)。三星的32層(第二代方案)3D V-N
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Imec結合III-V材料打造高性能Flash

  •   比利時(shí)奈米電子研究中心Imec的研究人員透過(guò)將快閃記憶體(Flash)與使用砷化銦鎵(InGaAs)的更高性能III-V材料通道垂直排放的方式,發(fā)現了一種能夠提高快閃記憶體速度與壽命的新方法。   目前大多數的快閃記憶體使用由浮閘所控制的平面多晶矽通道,并用控制閘讀取或編程高電壓的浮閘——其方式是迫使電子穿隧至浮閘(0)或由其流出(1)。藉由將通道移動(dòng)至垂直的方向,3D快閃記憶體能夠更緊密地封裝,而不必遵循微縮規則。   此外,Imec最近發(fā)現,透過(guò)使用通道中的III-V材
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電壓/電流與電壓/頻率轉換電路(V/I、V/F電路)

  •   1電壓/電流轉換電路   電壓/電流轉換即V/I轉換,是將輸入的電壓信號轉換成滿(mǎn)足一定關(guān)系的電流信號,轉換后的電流相當一個(gè)輸出可調的恒流源,其輸出電流應能夠保持穩定而不會(huì )隨負載的變化而變化。V/I轉換原理如圖1。        由圖1可見(jiàn),電路中的主要元件為一運算放大器LM324和三極管BG9013及其他輔助元件構成,V0為偏置電壓,Vin為輸入電壓即待轉換電壓,R為負載電阻。其中運算放大器起比較器作用,將正相端電壓輸入信號與反相端電壓V-進(jìn)行比較,經(jīng)運算放大器放大后再經(jīng)三極管放
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三星電子以3D V-NAND主宰SSD版圖生態(tài)

  •   2015年固態(tài)硬碟(SSD)市場(chǎng)中的3D V-NAND占比達10%,為當初預期的3倍以上,預料到了2016年,占比將進(jìn)一步提升至40%,三星電子(Samsung Electronics)將成市場(chǎng)最大贏(yíng)家。   據韓媒Money Today報導,逐漸取代傳統硬碟(HDD)的SSD,發(fā)展重心開(kāi)始愈來(lái)愈偏向3D V-NAND。三星2013年領(lǐng)先全球率先推出3D V-NAND后,目前仍然是唯一量產(chǎn)3D V-NAND業(yè)者。   據市調業(yè)者IHS iSuppli統計資料,如果以數量而言,2015年企業(yè)用SSD
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2016年3D V-NAND市場(chǎng)擴大10倍 三星拉大與后起業(yè)者差距

  •   在存儲器芯片市場(chǎng)上,垂直堆疊結構的3D V-NAND Flash比重正迅速擴大,全球企業(yè)間的競爭也將漸趨激烈。   據韓國MT News報導,2016年前3D V-NAND市場(chǎng)規模預估將擴大10倍,而除目前獨占市場(chǎng)的三星電子(Samsung Electronics)外,也將有更多半導體廠(chǎng)加速生產(chǎn)V-NAND。三星獨大V-NAND市場(chǎng),為拉大與后起業(yè)者的差距,生產(chǎn)產(chǎn)品將從目前的32層堆疊結構,增加到48層。   外電引用市調機構IHS iSuppli資料指出,以NAND Flash的技術(shù)分類(lèi),V-N
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三星業(yè)內首先量產(chǎn)3bit 3D V-NAND閃存

  •   全球先進(jìn)半導體技術(shù)領(lǐng)軍品牌三星電子今天宣布已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)用于固態(tài)硬盤(pán)的業(yè)內首個(gè)3bit MLC 3D V-NAND閃存。   三星電子存儲芯片營(yíng)銷(xiāo)部門(mén)負責人韓宰洙高級副總裁表示:“通過(guò)推出一條全新的高性能高密度固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品線(xiàn),我們相信3bit V-NAND將會(huì )加快數據存儲設備從傳統硬盤(pán)向固態(tài)硬盤(pán)的轉換。固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品的多樣化,將加強三星產(chǎn)品的市場(chǎng)競爭力,進(jìn)一步推動(dòng)三星固態(tài)硬盤(pán)業(yè)務(wù)的發(fā)展?!?   3bit V-NAND閃存是基于三星第二代V-NAND芯片技術(shù)的最新產(chǎn)品,每
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AMETEK Sorensen可編程電源的保護特性

  •   可編程電源是電氣實(shí)驗室工程師及技術(shù)人員必備的基本儀器,用以獲得測試所需的基本功率或可變功率。這些電源的成本通常較低,并只帶有基本的控制裝置:一個(gè)開(kāi)啟/關(guān)閉開(kāi)關(guān)及兩個(gè)用于調節電壓電流的旋鈕。在未來(lái),旋鈕調節將繼續會(huì )是首選方法,因為其可單獨且靈活的改變電壓或電流,從而直觀(guān)的觀(guān)察其他測量?jì)x器或被測部件性能。   對低成本應用中的大多數電源而言保護功能不是必須考慮的因素,但是在一些測試應用中,會(huì )要求使用很小電壓范圍,如2.0%- 20%范圍,否則會(huì )很容易損壞設備,這就為使用者提出了新的要求。   AMET
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基于FPGA的高帶寬存儲接口設計

  •   摘要:文中詳細地分析了Altera公司Cyclone V FPGA器件的硬核存儲控制器底層架構和外部接口,并在此基礎上對Controller和PHY進(jìn)行了功能仿真。仿真結果表明硬核存儲控制器和PHY配合工作時(shí)的功能與設計預期相符,性能優(yōu)良,適合于在當前FPGA的外部存儲帶寬需求日益增長(cháng)的場(chǎng)合下應用。   如今,越來(lái)越多的應用場(chǎng)景都需要FPGA能夠和外部存儲器之間建立數據傳輸通道,如視頻、圖像處理等領(lǐng)域,并且對數據傳輸通道的帶寬也提出了較大的需求,這就導致了FPGA和外部Memory接口的實(shí)際有效帶寬
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Mouser 備貨 Freescale Kinetis KV1x 微控制器 面向數字電機控制市場(chǎng)

  •   貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開(kāi)始供應Freescale Semiconductor 的 Kinetis® KV1x 微控制器系列產(chǎn)品。Kinetis V 系列 KV1x MCU 產(chǎn)品是 Freescale 全新 Kinetis V 系列的入門(mén)級產(chǎn)品,此可擴展的微控制器 (MCU) 系列產(chǎn)品的目標應用市場(chǎng)為數字電機控制。采用 75 MHz ARM® Cortex?M0+ 內核的 Kinetis KV1x 系列產(chǎn)品具有整數除法和平方根協(xié)處理器,從而降低了因需要
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V-Band 微波小站回傳,TDD還是FDD?

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
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三星量產(chǎn)全球首款第二代32層三維V-NAND閃存

  •   全球存儲領(lǐng)軍品牌三星電子今日宣布,已開(kāi)始正式量產(chǎn)全球首款第二代立體垂直結構的“32層三維V-NAND閃存”。   三星電子此次推出的32層三維V-NAND,與之前推出的24層V-NAND相比,雖然堆疊存儲單元的設計難度更高,但是因為可以直接使用生產(chǎn)第一代V-NAND閃存的設備,所以具有更高的生產(chǎn)效率。   除此之外,三星電子推出了基于第二代V-NAND閃存的高端固態(tài)硬盤(pán)系列產(chǎn)品,并提供128GB、256GB、512GB、1TB等多種容量選擇。三星電子在去年面向數據中心推
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