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三星3D垂直NAND閃存量產(chǎn) SSD容量可輕松提升
- 韓國三星公司剛剛宣布旗下的最新一代采用3D垂直閃存(V-NAND)的固態(tài)硬盤(pán)驅動(dòng)器已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)行量產(chǎn)。最新的3D垂直閃存與傳統的NAND存儲芯片相比,具有包
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三星3D V-NAND固態(tài)盤(pán)加速企業(yè)閃存進(jìn)化
- 三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級應用、高可靠的固態(tài)盤(pán)存儲--V-NAND固態(tài)盤(pán)。最新用于固態(tài)盤(pán)V-NAND技術(shù)帶來(lái)性能上的提升,節省電力消耗,并提高了急需
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三星3D V-NAND 32層對48層 僅僅是垂直層面的擴展?

- 三星公司已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)其48層(即單NAND內48層單元,屬于第三代升級技術(shù))3D V-NAND芯片,預計其將被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企業(yè)級SSD(PM1633a)等SSD產(chǎn)品。在各設備當中,將包含大量48層3D V-NAND存儲芯片且通過(guò)引線(xiàn)鍵合技術(shù)實(shí)現彼此堆疊。三星公司在48層3D V-NAND芯片中集成了512 GB存儲單元,意味著(zhù)每個(gè)NAND晶片為32 GB容量(256 Gb)。三星的32層(第二代方案)3D V-N
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三星電子以3D V-NAND主宰SSD版圖生態(tài)
- 2015年固態(tài)硬碟(SSD)市場(chǎng)中的3D V-NAND占比達10%,為當初預期的3倍以上,預料到了2016年,占比將進(jìn)一步提升至40%,三星電子(Samsung Electronics)將成市場(chǎng)最大贏(yíng)家。 據韓媒Money Today報導,逐漸取代傳統硬碟(HDD)的SSD,發(fā)展重心開(kāi)始愈來(lái)愈偏向3D V-NAND。三星2013年領(lǐng)先全球率先推出3D V-NAND后,目前仍然是唯一量產(chǎn)3D V-NAND業(yè)者。 據市調業(yè)者IHS iSuppli統計資料,如果以數量而言,2015年企業(yè)用SSD
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2016年3D V-NAND市場(chǎng)擴大10倍 三星拉大與后起業(yè)者差距
- 在存儲器芯片市場(chǎng)上,垂直堆疊結構的3D V-NAND Flash比重正迅速擴大,全球企業(yè)間的競爭也將漸趨激烈。 據韓國MT News報導,2016年前3D V-NAND市場(chǎng)規模預估將擴大10倍,而除目前獨占市場(chǎng)的三星電子(Samsung Electronics)外,也將有更多半導體廠(chǎng)加速生產(chǎn)V-NAND。三星獨大V-NAND市場(chǎng),為拉大與后起業(yè)者的差距,生產(chǎn)產(chǎn)品將從目前的32層堆疊結構,增加到48層。 外電引用市調機構IHS iSuppli資料指出,以NAND Flash的技術(shù)分類(lèi),V-N
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三星業(yè)內首先量產(chǎn)3bit 3D V-NAND閃存

- 全球先進(jìn)半導體技術(shù)領(lǐng)軍品牌三星電子今天宣布已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)用于固態(tài)硬盤(pán)的業(yè)內首個(gè)3bit MLC 3D V-NAND閃存。 三星電子存儲芯片營(yíng)銷(xiāo)部門(mén)負責人韓宰洙高級副總裁表示:“通過(guò)推出一條全新的高性能高密度固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品線(xiàn),我們相信3bit V-NAND將會(huì )加快數據存儲設備從傳統硬盤(pán)向固態(tài)硬盤(pán)的轉換。固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品的多樣化,將加強三星產(chǎn)品的市場(chǎng)競爭力,進(jìn)一步推動(dòng)三星固態(tài)硬盤(pán)業(yè)務(wù)的發(fā)展?!? 3bit V-NAND閃存是基于三星第二代V-NAND芯片技術(shù)的最新產(chǎn)品,每
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AMETEK Sorensen可編程電源的保護特性

- 可編程電源是電氣實(shí)驗室工程師及技術(shù)人員必備的基本儀器,用以獲得測試所需的基本功率或可變功率。這些電源的成本通常較低,并只帶有基本的控制裝置:一個(gè)開(kāi)啟/關(guān)閉開(kāi)關(guān)及兩個(gè)用于調節電壓電流的旋鈕。在未來(lái),旋鈕調節將繼續會(huì )是首選方法,因為其可單獨且靈活的改變電壓或電流,從而直觀(guān)的觀(guān)察其他測量?jì)x器或被測部件性能。 對低成本應用中的大多數電源而言保護功能不是必須考慮的因素,但是在一些測試應用中,會(huì )要求使用很小電壓范圍,如2.0%- 20%范圍,否則會(huì )很容易損壞設備,這就為使用者提出了新的要求。 AMET
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基于FPGA的高帶寬存儲接口設計

- 摘要:文中詳細地分析了Altera公司Cyclone V FPGA器件的硬核存儲控制器底層架構和外部接口,并在此基礎上對Controller和PHY進(jìn)行了功能仿真。仿真結果表明硬核存儲控制器和PHY配合工作時(shí)的功能與設計預期相符,性能優(yōu)良,適合于在當前FPGA的外部存儲帶寬需求日益增長(cháng)的場(chǎng)合下應用。 如今,越來(lái)越多的應用場(chǎng)景都需要FPGA能夠和外部存儲器之間建立數據傳輸通道,如視頻、圖像處理等領(lǐng)域,并且對數據傳輸通道的帶寬也提出了較大的需求,這就導致了FPGA和外部Memory接口的實(shí)際有效帶寬
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Mouser 備貨 Freescale Kinetis KV1x 微控制器 面向數字電機控制市場(chǎng)

- 貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開(kāi)始供應Freescale Semiconductor 的 Kinetis® KV1x 微控制器系列產(chǎn)品。Kinetis V 系列 KV1x MCU 產(chǎn)品是 Freescale 全新 Kinetis V 系列的入門(mén)級產(chǎn)品,此可擴展的微控制器 (MCU) 系列產(chǎn)品的目標應用市場(chǎng)為數字電機控制。采用 75 MHz ARM® Cortex?M0+ 內核的 Kinetis KV1x 系列產(chǎn)品具有整數除法和平方根協(xié)處理器,從而降低了因需要
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三星量產(chǎn)全球首款第二代32層三維V-NAND閃存

- 全球存儲領(lǐng)軍品牌三星電子今日宣布,已開(kāi)始正式量產(chǎn)全球首款第二代立體垂直結構的“32層三維V-NAND閃存”。 三星電子此次推出的32層三維V-NAND,與之前推出的24層V-NAND相比,雖然堆疊存儲單元的設計難度更高,但是因為可以直接使用生產(chǎn)第一代V-NAND閃存的設備,所以具有更高的生產(chǎn)效率。 除此之外,三星電子推出了基于第二代V-NAND閃存的高端固態(tài)硬盤(pán)系列產(chǎn)品,并提供128GB、256GB、512GB、1TB等多種容量選擇。三星電子在去年面向數據中心推
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