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三星宣布量產(chǎn)全球首個(gè)3D垂直閃存V-NAND
- 三星電子在存儲技術(shù)上的領(lǐng)先的確無(wú)可匹敵,今天又宣布已經(jīng)批量投產(chǎn)全球第一個(gè)采用3D垂直設計的NAND閃存“V-NAND”。這年頭,3D堆疊已經(jīng)成了潮流,處理器、內存什么的都要堆起來(lái)。 三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB),內部采用三星獨有的垂直單元結構,通過(guò)3D CTF電荷捕型獲閃存技術(shù)、垂直互連工藝技術(shù)來(lái)連接3D單元陣列。 三星稱(chēng),這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上,可靠性提升最少2倍、最多10倍,而且寫(xiě)入性能也可達到1xnm N
- 關(guān)鍵字: 三星 V-NAND
Mouser提供業(yè)界領(lǐng)先的Altera Cyclone V低功耗FPGA

- Mouser Electronics正在備貨Altera公司業(yè)界領(lǐng)先的28-nm Cyclone? V FPGA。 Cyclone V FPGA結合了高性能、業(yè)界最低的操作功耗以及系統成本,是工業(yè)、無(wú)線(xiàn)、有線(xiàn)、廣播和汽車(chē)應用的理想選擇。
- 關(guān)鍵字: Mouser FPGA Altera Cyclone V
高速橋接芯片V-by-One HS 擴大生產(chǎn)滿(mǎn)足超高清電視需求
- V-by-One HS 是THine Electronics公司開(kāi)發(fā)的下一代高速橋接芯片,為迎合電視市場(chǎng)客戶(hù)的要求,V-by-One? HS的新產(chǎn)品 THCV226已開(kāi)始量產(chǎn),并開(kāi)始進(jìn)行擴大生產(chǎn)。
- 關(guān)鍵字: THine Electronics V-by-One 超高清電視
探秘Altera 2012變革所在
- 近年來(lái),半導體技術(shù)發(fā)展迅速,依照摩爾定律每18個(gè)月就會(huì )出現新工藝節點(diǎn),其晶體管密度更高,速率更快,而功耗更低。當前,在28 nm,芯片容量足以實(shí)現整個(gè)系統,節省了功率元件和商用存儲器。但是,工藝工程師、電路設計人員、芯片設計人員和規劃人員必須一起協(xié)同工作,才能在越來(lái)越困難的技術(shù)環(huán)境中進(jìn)一步提高系統性能和能效。 這種變化對整個(gè)半導體行業(yè)產(chǎn)生了深遠的影響,推高了工程成本,增加了風(fēng)險,大部分系統開(kāi)發(fā)人員很難使用專(zhuān)用芯片系統(SoC)。這同時(shí)也改變了FPGA企業(yè)的本質(zhì)及其與用戶(hù)的關(guān)系。 在新的制程
- 關(guān)鍵字: Altera Stratix V
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