super junction mosfet 文章進(jìn)入super junction mosfet技術(shù)社區

低壓電源MOSFET設計

低壓功率MOSFET設計用于以排水源電壓運行，通常低于100 V，但具有與高壓設計相同的功能。它們非常適合需要高效效率和處理高電流的應用，即使電源電壓很低。關(guān)鍵功能包括以下內容：　　低抗性（RDS（ON））以減少傳導過(guò)程中的功率損失，從而提高能源效率。當設備打開(kāi)時(shí)，低壓MOSFET的排水源電阻特別低，從而地減少了功率損耗。這對于效率至關(guān)重要，因為低RD（ON）意味著(zhù)在傳導過(guò)程中降低電阻損失高開(kāi)關(guān)速度，用于快速切換操作；在DC-DC轉換器和高頻切換電路等應用中至關(guān)重要。由于其先進(jìn)的結構和材料，低壓MOSFE
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如何使用開(kāi)關(guān)浪涌抑制器替代傳統的線(xiàn)性浪涌抑制器

在工業(yè)電子設備中，過(guò)壓保護是確保設備可靠運行的重要環(huán)節。本文將探討如何使用開(kāi)關(guān)浪涌抑制器替代傳統的線(xiàn)性浪涌抑制器，以應對長(cháng)時(shí)間的過(guò)壓情況。與傳統線(xiàn)性浪涌抑制器不同，開(kāi)關(guān)浪涌抑制器能夠在持續浪涌的情況下保持負載正常運行，而傳統線(xiàn)性浪涌抑制器則需要在電源路徑中的 MOSFET 散熱超過(guò)其處理能力時(shí)切斷電流?？煽康墓I(yè)電子設備通常配備保護電路，以防止電源線(xiàn)路出現過(guò)壓，從而保護電子設備免受損壞。過(guò)壓現象可能在電源線(xiàn)路負載快速變化時(shí)發(fā)生，線(xiàn)路中的寄生電感可能導致高電壓尖峰。這個(gè)問(wèn)題可通過(guò)輸入保護電路來(lái)解決，比如圖
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瑞薩推出性能卓越的新型MOSFET

全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布推出基于全新MOSFET晶圓制造工藝——REXFET-1而推出的100V大功率N溝道MOSFET——RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF，為電機控制、電池管理系統、電源管理及充電管理等應用提供理想的大電流開(kāi)關(guān)性能?；谶@一創(chuàng )新產(chǎn)品的終端設備將廣泛應用于電動(dòng)汽車(chē)、電動(dòng)自行車(chē)、充電站、電動(dòng)工具、數據中心及不間斷電源（UPS）等多個(gè)領(lǐng)域。瑞薩開(kāi)發(fā)的全新MOSFET晶圓制造工藝（REXFET-1）使新產(chǎn)品的導通電阻（MOSFET導通時(shí)漏極與源極之間的電阻）
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牛人居然把功率MOS剖析成這樣，很難得的資料！

功率MOSFET的正向導通等效電路（1）：等效電路（2）：說(shuō)明：功率 MOSFET 正向導通時(shí)可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門(mén)極驅動(dòng)電壓的大小有關(guān)，驅動(dòng)電壓升高，該電阻變小。詳細的關(guān)系曲線(xiàn)可從制造商的手冊中獲得。功率MOSFET的反向導通等效電路（1）（1）：等效電路（門(mén)極不加控制）（2）：說(shuō)明：即內部二極管的等效電路，可用一電壓降等效，此二極管為MOSFET 的體二極管，多數情況下，因其特性很差，要避免使用。功率MOSFET的反向導通等效電路（2）（1）：等效電路（門(mén)極加
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為什么超大規模數據中心要選用SiC MOSFET？

如今，數據中心迫切需要能夠高效轉換電能的功率半導體，以降低成本并減少排放。更高的電源轉換效率意味著(zhù)發(fā)熱量減少，從而降低散熱成本。電源系統需要更低的系統總成本和緊湊的尺寸；因此必須提高功率密度，尤其是數據中心的平均功率密度正在迅速攀升。從十年前的每個(gè)1U機架通常只有5 kW，增加到現在的20 kW、30 kW 或更高。圖1：數據中心供電：從電網(wǎng)到GPU電源供應器(PSU)還必須滿(mǎn)足數據中心行業(yè)的特定需求。人工智能數據中心的PSU應滿(mǎn)足嚴格的Open Rack V3 (ORV3) 基本規范，要求30%到100
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黃仁勛秀手掌大小「生成式AI超級計算機」專(zhuān)為機器人設計

人工智能應用日益擴展，英偉達（NVIDIA）近期再推出新產(chǎn)品，超小型生成式AI開(kāi)發(fā)者套件「Jetson Orin Nano Super」，具備強大性能且價(jià)格親民，僅249美元（不到2000元），專(zhuān)為機器人設計，不僅降低AI硬件的門(mén)坎，還促進(jìn)了生成式 AI 與機器人技術(shù)的廣泛應用。英偉達執行長(cháng)黃仁勛2020年在宣傳「全世界最大的GPU」時(shí)，選在自家廚房從烤箱中把A100繪圖芯片拿出來(lái)展示。此次黃仁勛重現經(jīng)典場(chǎng)面，從烤箱拿出僅有手掌大小的「Jetson Orin Nano Super」，還自嘲說(shuō)可能烤太久、都
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Vishay推出性能先進(jìn)的新款40V MOSFET

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK? 10x12封裝的新型40 V TrenchFET? 四代n溝道功率MOSFET---SiJK140E，該器件擁有優(yōu)異的導通電阻，能夠為工業(yè)應用提供更高的效率和功率密度。與相同占位面積的競品器件相比，Vishay Siliconix SiJK140E的導通電阻降低了32 %，同時(shí)比采用TO-263-7L封裝的40 V MOSFET的導通電阻低58 %。日前發(fā)布的這款器件在10 V電壓下的典型導通電阻低至0
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意法半導體推出采用強化版STripFET F8技術(shù)的標準閾壓40V MOSFET

意法半導體推出了標準閾值電壓 (VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產(chǎn)品兼備強化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應用場(chǎng)景。工業(yè)級晶體管STL300N4F8和車(chē)規晶體管STL305N4F8AG的額定漏極電流高于300A，最大導通電阻 RDS(on)為1mΩ，可在高功率應用中實(shí)現出色的能效。動(dòng)態(tài)性能得到了改進(jìn)，65nC(典型值)的總柵極電荷和低電容(Ciss, Crss)確保在高開(kāi)關(guān)頻率下電能損耗降至最低。MOSFET體二極管的低正向電壓和快速
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看完這篇，4個(gè)步驟快速完成MOSFET選型

今天教你4個(gè)步驟選擇一個(gè)合適的MOSFET。第一步：選用N溝道還是P溝道　　為設計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應用中，當一個(gè)MOSFET接地，而負載連接到干線(xiàn)電壓上時(shí)，該MOSFET就構成了低壓側開(kāi)關(guān)。在低壓側開(kāi)關(guān)中，應采用N溝道MOSFET，這是出于對關(guān)閉或導通器件所需電壓的考慮。當MOSFET連接到總線(xiàn)及負載接地時(shí)，就要用高壓側開(kāi)關(guān)。通常會(huì )在這個(gè)拓撲中采用P溝道MOSFET，這也是出于對電壓驅動(dòng)的考慮?！∫x擇適合應用的器件，必須確定驅動(dòng)器件所需的電壓，以及
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英飛凌推出OptiMOS? Linear FET 2 MOSFET，賦能先進(jìn)的熱插拔技術(shù)和電池保護功能

為了滿(mǎn)足AI服務(wù)器和電信領(lǐng)域的安全熱插拔操作要求，MOSFET必須具有穩健的線(xiàn)性工作模式和較低的?RDS(on)?。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出的新型OptiMOS? 5 Linear FET 2解決了這一難題，這款MOSFET專(zhuān)為實(shí)現溝槽?MOSFET的RDS(on)與經(jīng)典平面?MOSFET?的寬安全工作區（SOA）之間的理想平衡而設計。該半導體器件通過(guò)限制高浪涌電流防止對負載造成損害，并因其低RDS(on
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強茂SGT MOSFET第一代系列：創(chuàng )新槽溝技術(shù)車(chē)規級60 V N通道突破車(chē)用電子的高效表現

隨著(zhù)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)加速朝向智慧化以及互聯(lián)系統的發(fā)展，強茂推出最新車(chē)規級60 V N通道MOSFETs系列，采用屏蔽柵槽溝技術(shù)(SGT)來(lái)支持汽車(chē)電力裝置。此系列產(chǎn)品具備卓越的性能指標(FOM)、超低導通電阻(RDS(ON))以及最小化的電容，能有效提升汽車(chē)電子系統的性能與能源效率，降低導通與切換的損耗，提供更卓越的電氣性能。強茂的60 V N通道SGT-MOSFETs提供多種緊密且高效的封裝選擇，包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA以及TO-220AB-L，為
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Vishay新款150V MOSFET具備業(yè)界領(lǐng)先的功率損耗性能

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK? SO-8S（QFN 6x5）封裝的全新150 V TrenchFET? Gen V N溝道功率MOSFET---SiRS5700DP，旨在提高通信、工業(yè)和計算應用領(lǐng)域的效率和功率密度。與上一代采用PowerPAK SO-8封裝的器件相比，Vishay Siliconix SiRS5700DP的總導通電阻降低了68.3 %，導通電阻和柵極電荷乘積（功率轉換應用中MOSFET的關(guān)鍵品質(zhì)因數（FOM）降低了1
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意法半導體先進(jìn)的電隔離柵極驅動(dòng)器STGAP3S為IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護功能

意法半導體的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開(kāi)關(guān)柵極驅動(dòng)器集成了意法半導體最新的穩健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構。STGAP3S 在柵極驅動(dòng)通道與低壓控制和接口電路之間采用增強型電容隔離，瞬態(tài)隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)達到 200V/ns。通過(guò)采用這種的先進(jìn)的電隔離技術(shù)，STGAP3S提高了空調、工廠(chǎng)自動(dòng)化、家電等工業(yè)電機驅動(dòng)裝置的可靠性。新驅動(dòng)器還適合電源和能源應用，包括充電站、儲能系統、功率因數校正 (PFC)、
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東芝推出具有低導通電阻和高可靠性的適用于車(chē)載牽引逆變器的最新款1200V SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）近日宣布，最新開(kāi)發(fā)出一款用于車(chē)載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其創(chuàng )新的結構可實(shí)現低導通電阻和高可靠性。X5M007E120現已開(kāi)始提供測試樣品，供客戶(hù)評估。當典型SiC MOSFET的體二極管在反向傳導操作[3]期間雙極通電時(shí)，其可靠性會(huì )因導通電阻增加而降低。東芝SiC MOSFET通過(guò)在MOSFET中嵌入SBD（肖特基勢壘二極管）以弱化體二極管工作的器件結構來(lái)緩解上述問(wèn)題，但如若將SBD布置在芯片上
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意法半導體第四代碳化硅功率技術(shù)問(wèn)世！為下一代電動(dòng)汽車(chē)電驅逆變器量身定制

意法半導體（簡(jiǎn)稱(chēng)ST）推出第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩健性三個(gè)方面成為新的市場(chǎng)標桿。在滿(mǎn)足汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)需求的同時(shí)，意法半導體還針對電動(dòng)汽車(chē)電驅系統的關(guān)鍵部件逆變器特別優(yōu)化了第四代技術(shù)。公司計劃在2027年前推出更多先進(jìn)的SiC技術(shù)創(chuàng )新成果，履行創(chuàng )新承諾。意法半導體模擬、功率與分立器件、MEMS和傳感器產(chǎn)品部（APMS）總裁Marco Cassis表示：“意法半導體承諾為市場(chǎng)提供尖端的碳化硅技術(shù)，推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)和高能效工業(yè)的未來(lái)發(fā)展。我們將繼續在器
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