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spi nor flash 文章 進(jìn)入spi nor flash技術(shù)社區
使用SPI找到無(wú)鉛制造缺陷的根本原因
- 使用SPI找到無(wú)鉛制造缺陷的根本原因 Jeff Harrell, 安捷倫科技自動(dòng)光學(xué)檢測系統(AOI)產(chǎn)品經(jīng)理 錫膏印刷在無(wú)鉛制造質(zhì)量中發(fā)揮著(zhù)關(guān)鍵作用，為印刷過(guò)程SMT組裝流程的后續環(huán)節部分提供了關(guān)鍵的基礎。為使制造商能夠處理回流焊后焊點(diǎn)的相關(guān)問(wèn)題，根據錫膏沉積特定的根本原因,對無(wú)鉛對生產(chǎn)線(xiàn)最終質(zhì)量的影響是至關(guān)重要的。首先，可以通過(guò)結構化實(shí)現的三維錫膏印刷檢測(3D SPI)識別這些根本原因，并且利用3D SPI更好的實(shí)現過(guò)程控制以及識別變化。此外，在電路板組裝后認
- 關(guān)鍵字： SPI 測量 測試 缺陷 無(wú)鉛制造
適宜于嵌入式多媒體應用的Flash文件系統
- 隨著(zhù)電子技術(shù)的不斷發(fā)展，嵌入式系統越來(lái)越多地在控制類(lèi)、消費類(lèi)、通訊類(lèi)等電子產(chǎn)品中廣泛應用，并且隨著(zhù)數字信號處理與人機交互界面等相關(guān)技術(shù)的不斷成熟，嵌入式多媒體應用數量也逐漸上升。多媒體業(yè)務(wù)的數據量大，數據內容復雜，在多媒體應用中數據的存儲與管理是不容回避的問(wèn)題。FLASH存儲器因制造成本低廉、存儲容量大、數據非易失、無(wú)機械故障，在目前的嵌入式系統中被廣泛用作外存儲器件。然而Flash存儲器卻是一種數據正確性非理想的器件，應用中可能會(huì )出現壞損數據單元，這又給應用Flash存儲器的嵌入式系統進(jìn)行數據存儲管理增
- 關(guān)鍵字： FLASH 單片機 嵌入式系統 消費電子 移動(dòng)多媒體 消費電子
Flash 編程器的FPGA實(shí)現
- 1 引言 閃速存儲器（FLASH Memory）以其集成度高、成本低、使用方便等許多優(yōu)點(diǎn)，廣泛應用于通訊設備、辦公設備、家用電器、醫療設備等領(lǐng)域。利用其保存信息的非易失性和在線(xiàn)更新數據參數的特性，可將其作為具有一定靈活性的只讀存儲器（ROM）使用。 現在的數字電路應用系統設計中，經(jīng)常遇到大容量的數據存儲問(wèn)題。Flash由于容量大、存儲速度快、體積小、功耗低等諸多優(yōu)點(diǎn)，而成為應用系統中數據存儲器件的首選。由于在研制實(shí)時(shí)信號處理系統時(shí)，需要一塊大容量的Flash來(lái)存儲坐標變換的數據作查找表，因此
- 關(guān)鍵字： Flash FPGA 編程 消費電子 消費電子
基于FLASH介質(zhì)嵌入式存儲方案的設計與實(shí)現
- 1 引言 FLASH（閃速存儲器）作為一種安全、快速的存儲體，具有體積小、容量大、成本低、掉電數據不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn)，已成為嵌入式系統中數據和程序最主要的載體。由于FLASH在結構和操作方式上與硬盤(pán)、E2ROM等其他存儲介質(zhì)有較大區別，使用FLASH時(shí)必須根據其自身特性，對存儲系統進(jìn)行特殊設計，以保證系統的性能達到最優(yōu)。 2 FLASH的特點(diǎn)FLASH是一種非易失性存儲器NVM（Non-Volatile Memory），根據結構的不同可以將其分成NOR FLASH和NAND FLASH兩種。但不管哪一
- 關(guān)鍵字： FLASH 單片機 嵌入式系統 數據存儲 存儲器
MLX90601系列紅外測溫模塊的原理及應用
- 1 引言 一般來(lái)說(shuō)，測溫方式可分為接觸式和非接觸式，接觸式測溫只能測量被測物體與測溫傳感器達到熱平衡后的溫度，所以響應時(shí)間長(cháng)，且極易受環(huán)境溫度的影響；而紅外測溫是根據被測物體的紅外輻射能量來(lái)確定物體的溫度，不與被測物體接觸，具有不擾動(dòng)被測物體溫度分布場(chǎng)，溫度分辨率高、響應速度快、測溫范圍廣，穩定性好等特點(diǎn)，近年來(lái)在汽車(chē)電子、航空和軍事上得到越來(lái)越廣泛的應用。 2 測溫原理概述PWN的全稱(chēng)是Pulse Width Modulation（脈沖寬度調制）即通過(guò)調節脈沖的周期、寬度，以達到變壓、變頻的目的，
- 關(guān)鍵字： SPI 測量 測試 紅外測溫 脈沖寬度調制 模塊
英特爾擴展嵌入式產(chǎn)品進(jìn)入串行閃存市場(chǎng)
- 中國北京, 2006年6月7日–英特爾（中國）有限公司今天宣布, 將擴展其N(xiāo)OR閃存產(chǎn)品線(xiàn)，以滿(mǎn)足不斷增長(cháng)的數十億美元嵌入式市場(chǎng)的需要。英特爾公司計劃引入3伏（3V）版本的英特爾StrataFlash®嵌入式存儲架構。英特爾還透露,將以首款串行外圍接口（Serial Peripheral Interface, SPI）產(chǎn)品進(jìn)入迅速發(fā)展的串行閃存領(lǐng)域。 英特爾的上述行動(dòng)體現了其對NOR嵌入式閃存市場(chǎng)的高度重視。嵌入式閃存目前已被廣泛應用到各種消費電子
- 關(guān)鍵字： NOR 消費電子 英特爾 消費電子
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