英特爾擴展嵌入式產(chǎn)品進(jìn)入串行閃存市場(chǎng)

中國北京, 2006年6月7日–英特爾（中國）有限公司今天宣布, 將擴展其NOR閃存產(chǎn)品線(xiàn)，以滿(mǎn)足不斷增長(cháng)的數十億美元嵌入式市場(chǎng)的需要。英特爾公司計劃引入3伏（3V）版本的英特爾StrataFlash®嵌入式存儲架構。英特爾還透露,將以首款串行外圍接口（Serial Peripheral Interface, SPI）產(chǎn)品進(jìn)入迅速發(fā)展的串行閃存領(lǐng)域。

英特爾的上述行動(dòng)體現了其對NOR嵌入式閃存市場(chǎng)的高度重視。嵌入式閃存目前已被廣泛應用到各種消費電子產(chǎn)品、工業(yè)應用、個(gè)人電腦和有線(xiàn)通訊設備。行業(yè)分析人士預計，NOR嵌入式閃存市場(chǎng)規模(不包括手持設備) 在2006年將達到20~30億美元，其中，SPI閃存將成為增長(cháng)最快的領(lǐng)域之一。

英特爾StrataFlash嵌入式存儲器家族新增的3V版本是3V嵌入式應用的理想的解決方案，如機頂盒、基站、網(wǎng)絡(luò )設備。同時(shí)， 針對用戶(hù)多種應用轉換的需求，StrataFlash產(chǎn)品家族也給開(kāi)發(fā)者提供了多種存儲密度和產(chǎn)品封裝的選擇。目前3V版本處于抽樣檢測階段，預計將在今年第四季度投入生產(chǎn)。

英特爾之所以選擇以一款SPI閃存產(chǎn)品作為首次進(jìn)入串行閃存市場(chǎng)的敲門(mén)磚，是因為SPI閃存產(chǎn)品具有性能出眾且安全系數高的特點(diǎn)，這正好滿(mǎn)足了消費類(lèi)電子及電子計算市場(chǎng)的要求。串行閃存技術(shù)通過(guò)減少針腳數目和簡(jiǎn)化主板設計來(lái)節省主板空間，并縮短產(chǎn)品推向市場(chǎng)的時(shí)間。英特爾還將提供符合工業(yè)標準的封裝引腳以及指令集，方便客戶(hù)加快設計周期。這些廣泛應用于DVD、數字電視機、打印機、個(gè)人電腦等設備上的串行閃存產(chǎn)品現在正在進(jìn)行抽樣檢測，預計也將在第四季投入生產(chǎn)。

“業(yè)內分析人士預計，NOR嵌入式閃存市場(chǎng)將繼續增長(cháng)，從 2006到2010將翻一番?！庇⑻貭柟靖笨偛眉骈W存產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理Darin Billerbeck表示， “英特爾將不斷完善我們的產(chǎn)品線(xiàn)，在這些領(lǐng)域不斷擴大我們的市場(chǎng)?！?