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spi nor flash 文章 進(jìn)入spi nor flash技術(shù)社區
基于SPI總線(xiàn)技術(shù)的同步422接口設計
- 本文中將介紹一種新型嵌入式微處理器MCF5282以及由它設計出的嵌人式主模板，能夠滿(mǎn)足多種通信方式的要求，而且其處理速度和實(shí)現多通道交直流采樣的精度比起上述三類(lèi)芯片都要高得多，其實(shí)時(shí)性也更完美。 1 MCF5282微處理器的主要特點(diǎn) MCF5282微處理器是迄今為止Motorola推出的最高集成度的ColdFire系列32位微處理器，內含有2 KB的高速緩沖存儲器Cache、64 KB的隨機存儲器RAM和512KB的閃存Flash，其I/0口總數達到152個(gè)。它還采用智能DigjtalDN
- 關(guān)鍵字： SPI MCF5282
支持單線(xiàn)SPI接口的燒錄技術(shù)實(shí)現
- 摘要：常規的SPI接口總線(xiàn)是雙數據線(xiàn)全雙工的同步通訊總線(xiàn)，在芯片的管腳上占用四根線(xiàn)。這里將介紹一種半雙工的，單數據線(xiàn)，且編程器作為從機的通訊協(xié)議，這次的通訊時(shí)鐘比較高，達到了10MHz。 1、標準的SPI通訊協(xié)議 SPI是串行外設接口(Serial Peripheral Interface)的縮寫(xiě)，是一種高速，全雙工，同步的通訊協(xié)議。SPI 通常需要四根線(xiàn)，它們是MOSI(數據輸出)、MISO(數據輸入)、SCLK(時(shí)鐘)、SS(片選)。 (1) MOSI - 主設備數據輸出，
- 關(guān)鍵字： SPI 時(shí)鐘
排查故障之三大必須
- 簡(jiǎn)介：最近我的學(xué)生頻繁出現“卡殼”現象：看似很簡(jiǎn)單的設計，卻死活調不出來(lái)，人都快瘋掉了。大約一周前，小陳來(lái)找我的時(shí)候，一副懸崖上抓不牢樹(shù)枝，就想自己松手跳崖的樣子，猴急的都想給我說(shuō)難聽(tīng)話(huà)了。這兩天，小陳的問(wèn)題找到了，解決了，又快樂(lè )了。但是常偉的問(wèn)題又來(lái)啦。 用MSP430F169單片機給程控增益放大器PGA280實(shí)施SPI控制，正常，同一個(gè)單片機給一個(gè)24位ADS1259實(shí)施控制，也正常。但是兩個(gè)同時(shí)都焊上，用CS片選分別控制，就不行了。問(wèn)題就這么簡(jiǎn)單，卻讓他焦頭爛額。
- 關(guān)鍵字： MSP430F169 SPI
TI：如何通過(guò)一個(gè)差分接口來(lái)延長(cháng)SPI總線(xiàn)
- 本文將介紹如何通過(guò)一個(gè)差分接口來(lái)延長(cháng)串行外設接口(SPI)總線(xiàn)，而這可以應用在支持遠程溫度或壓力傳感器的系統的設計。 在SPI應用中，主控器件和受控器件間的距離相對較近，而信號也通常不會(huì )傳遞到印刷電路板(PCB)之外。SPI信號類(lèi)似于單端、晶體管-晶體管邏輯(TTL)信號，根據應用的不同，運行速率可高達100Mbps。一條SPI總線(xiàn)由四個(gè)信號組成：系統時(shí)鐘(SCLK)，主器件輸出從器件輸入(MOSI)，主器件輸入從器件輸出(MISO)和芯片選擇(CS) 。主控器件提供SCLK，MOSI和CS信號
- 關(guān)鍵字： TI SPI
SPI是什么
- 導讀：本文主要介紹的是SPI是什么，不懂得親快來(lái)學(xué)習一下吧，很漲姿勢的哦~~~ 1.SPI是什么--簡(jiǎn)介 SPI是Serial Peripheral Interface的縮寫(xiě)，中文名稱(chēng)為串行外設接口。SPI總線(xiàn)系統是一種同步串行外設接口，它可以使MCU與各種外圍設備以串行方式進(jìn)行通信以交換信息。SPI總線(xiàn)系統是一種高速的，全雙工，同步的通信總線(xiàn)，并且在芯片的管腳上只占用四根線(xiàn)，節約了芯片的管腳，同時(shí)為PCB的布局上節省空間，提供方便， 2.SPI是什么--特點(diǎn) SPI一共有11位有
- 關(guān)鍵字： MCU SPI SPI是什么
研調：NAND Flash需求漸加溫，估Q3擺脫供過(guò)于求
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調查報告顯示，受到新款智慧型手機上市以及今(2015)年度蘋(píng)果新款iPhone即將開(kāi)始拉貨的影響，NAND Flash市況將逐漸增溫，預估在第三季將擺脫供過(guò)于求，轉為供需較為平衡的格局。 從供給面觀(guān)察，雖然各家NAND Flash廠(chǎng)商陸續宣布3D -NAND Flash的量產(chǎn)時(shí)程，但嵌入式產(chǎn)品應用仍須考量控制晶片的搭配，與各種系統端搭配的相容性問(wèn)題，DRAMeXchange預估，2015年3D-NAND Flash的產(chǎn)出比重將僅
- 關(guān)鍵字： TrendForce NAND Flash
基于TFFS的成像聲吶文件系統設計
- 1 VxWorks系統的啟動(dòng)流程 嵌入式VxWorks操作系統的啟動(dòng)包括兩個(gè)階段，一是BootRom引導，二是VxWorks操作系統映像的啟動(dòng)。BootRom映像也叫做啟動(dòng)映像，它主要是初始化串口、網(wǎng)口等很少的硬件系統來(lái)下載VxWorks映像。VxWorks映像包含完整的VxWorks OS，是真正在目標板上運行的操作系統。它啟動(dòng)后會(huì )重新初始化幾乎所有的硬件系統，這樣操作系統才可以在目標板上正常運行。兩種映像的區別如表 1所示。 VxWorks內核有多種啟動(dòng)流程。本文基于的聲吶原型機采
- 關(guān)鍵字： VxWorks 嵌入式 TFFS Flash MTD
BCM硬件設計的平臺化和半導體化(下)
- 接上篇 4 設計趨勢 目前BCM設計技術(shù)日新月異，主要的趨勢是平臺化靈活性更高，集成度更高和分布式設計者三大方向。另外隨著(zhù)ISO26262安全規范的推行，關(guān)于功能安全的考慮在BCM設計中將會(huì )得到更多的體現。 4.1 集成度和靈活性 隨著(zhù)汽車(chē)電子的發(fā)展，目前BCM設計的趨勢是平臺化和高集成度化兩個(gè)趨勢。平臺化SBC、SPI器件、共用ADC，以及高低邊可配等。 主要通過(guò)器件的兼容性來(lái)實(shí)現。集成度主要是提高器件的集成度，例如采用系統基礎芯片將電源、CAN收發(fā)器、LIN收發(fā)器集成到一個(gè)
- 關(guān)鍵字： BCM ECU LED 負載 MOSFET SPI
NAND flash市占，三星美光增、東芝獨垂淚！
- 2014年NAND flash銷(xiāo)售數據出爐，IHS報告稱(chēng)，前四大業(yè)者中，三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)銷(xiāo)售皆有成長(cháng)，唯有二哥東芝(Toshiba)疑似因為產(chǎn)品出包遭蘋(píng)果召回，市占和業(yè)績(jì)雙雙下滑。 BusinessKorea報導，IHS 13日報告稱(chēng)，三星電子穩居NAND flash老大，去年銷(xiāo)售年增4%至90.84億美元，市占率成長(cháng)0.1%至36.5%。二哥東芝去年市占率由34.3%減至31.8%，銷(xiāo)售也大減將近3億美元。
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND flash
儲存市場(chǎng)新廠(chǎng)突圍 傳統大廠(chǎng)嚴陣以待
- 儲存裝置市場(chǎng)正醞釀一波小型新創(chuàng )公司革命。過(guò)去由惠普(HP)、IBM、NetApp與EMC等業(yè)者把持的儲存市場(chǎng)，目前已遭到許多小型新創(chuàng )公司崛起并搶走市場(chǎng)。調查也發(fā)現，消費者預期未來(lái)將擴大使用Flash存儲器與固態(tài)硬碟(SSD)，因此，傳統大廠(chǎng)必須調整策略才能扭轉頹勢。 據TechRadar報導，全球四大儲存大廠(chǎng)惠普、IBM、NetApp與EMC近期受到甫成立不久的新創(chuàng )公司推出快閃技術(shù)產(chǎn)品，因此，其外部硬碟儲存市場(chǎng)占有率已逐漸流失。 據IDC調查發(fā)現，截至2014年第2季為止，由四大廠(chǎng)供應的高
- 關(guān)鍵字： IBM SSD Flash
東芝傳年內量產(chǎn)3D Flash 技術(shù)更勝三星
- 三星電子(Samsung Electronics)領(lǐng)先全球同業(yè)、于去年10月?lián)屜攘慨a(chǎn)3D架構的NAND型快閃存儲器(Flash Memory)產(chǎn)品，但三星的領(lǐng)先優(yōu)勢恐維持不了多久，因為三星NAND Flash最大競爭對手東芝(Toshiba)傳出將在今年下半年量產(chǎn)3D NAND Flash、且其制造技術(shù)更勝三星一籌! 日本媒體產(chǎn)經(jīng)新聞25日報導，三星于去年量產(chǎn)的3D NAND Flash產(chǎn)品為垂直堆疊32層，但東芝已研發(fā)出超越三星的制造技術(shù)、可堆疊48層，且東芝計劃于今年下半年透過(guò)旗下四日市工廠(chǎng)
- 關(guān)鍵字： 東芝 3D Flash
大陸手機市場(chǎng)驚人Mobile DRAM消費量陡升
- 中國大陸智能型手機的高成長(cháng)，使得內存等零組件的消耗激增。這也使得南韓的內存供應商不管是從零組件競爭還是手機整機的競爭上都倍感壓力。
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND Flash
半導體市場(chǎng)今年迎向高規格之爭
- 2015年由行動(dòng)裝置帶動(dòng)的高規格半導體之爭蓄勢待發(fā);行動(dòng)應用處理器、LPDDR4、UFS(Universal Flash Storage;UFS)、三階儲存單元(Triple Level Cell;TLC)等新一代半導體需求增加，被視為半導體產(chǎn)業(yè)成長(cháng)新動(dòng)能。 據韓媒亞洲經(jīng)濟的報導，智慧型手機的功能高度發(fā)展，讓核心零組件如應用處理器(Application Processor;AP)、LPDDR4、UFS、TLC等下一代半導體的需求日漸增加。首先是AP從32位元進(jìn)化到64位元，可望讓多工與資料處理
- 關(guān)鍵字： 半導體 NAND Flash LPDDR4
spi nor flash介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條spi nor flash!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對spi nor flash的理解，并與今后在此搜索spi nor flash的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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