EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
rf-soi
rf-soi 文章 進(jìn)入rf-soi技術(shù)社區
Amphenol RF FAKRA車(chē)用連接器為汽車(chē)智能化注入充沛動(dòng)力
- 車(chē)用連接器的主要作用，就是在車(chē)載電路系統中實(shí)現可靠的物理連接，使電路可以實(shí)現預定的功能。對于汽車(chē)而言，車(chē)用連接器是必不可少的基礎元器件，事實(shí)上汽車(chē)領(lǐng)域已經(jīng)成為連接器應用最廣泛的市場(chǎng)之一。隨著(zhù)汽車(chē)智能化進(jìn)程的迅速深入，高級輔助駕駛系統（ADAS）、車(chē)聯(lián)網(wǎng)（V2X）、車(chē)載信息娛樂(lè )系統等新型智能技術(shù)的滲透率正快速提升，并且智能駕駛體系正向著(zhù)L3級（有條件自動(dòng)駕駛）不斷迭代。在這樣的大趨勢下，車(chē)用傳感器（攝像頭、毫米波雷達和激光雷達等）的用量顯著(zhù)增加，數據傳輸要求水漲船高，因而ADAS等系統需要配備更高帶寬的傳輸
- 關(guān)鍵字： Mouser Amphenol RF FAKRA 車(chē)用連接器
X-FAB率先向市場(chǎng)推出110納米BCD-on-SOI代工解決方案
- 中國北京，2023年6月2日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠(chǎng)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠(chǎng)，由此加強了其在BCD-on-SOI技術(shù)領(lǐng)域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺反映了模擬應用中對更高數字集成和處理能力日益增長(cháng)的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結合在一起，因此與傳統Bulk BCD工藝相比，高密度數字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個(gè)芯片。X-F
- 關(guān)鍵字： X-FAB 110納米 BCD-on-SOI
工藝設計套件將 POI 基板用于 RF 濾波器
- 本文演示了如何使用SIMPLIS Technologies 的SIMPLIS模擬器來(lái)預測和優(yōu)化下一代 GPU 的電源行為，其中高轉換率要求和超過(guò) 1,000 A 的電流水平需要更快的瞬態(tài)響應。如今，圖形處理單元 (GPU) 具有數百億個(gè)晶體管。隨著(zhù)每一代新一代 GPU 的出現，GPU 中的晶體管數量不斷增加，以提高處理器性能。然而，晶體管數量的增加也導致功率需求呈指數增長(cháng)，這使得滿(mǎn)足瞬態(tài)響應規范變得更加困難。本文演示了如何使用SIMPLIS Technologies 的SIMPLIS模擬器來(lái)預測和優(yōu)化下一
- 關(guān)鍵字： POI RF 濾波器
寬帶多通道調試信號分析利器，滿(mǎn)足RF新技術(shù)復雜測試要求
- RF復雜測試對測試設備提出更高需求無(wú)線(xiàn)通信系統的不斷更新產(chǎn)生了對先進(jìn)RF測試設備的需求，以滿(mǎn)足這項新技術(shù)的復雜測試要求。這些測試設備需要能夠處理更高的頻率、更寬的帶寬和更復雜的調制方案。? 波束成形：使用先進(jìn)的波束成形技術(shù)來(lái)提高信號強度和質(zhì)量。多通道測試應側重于測試系統的波束成形能力，包括波束控制、波束跟蹤和波束成形算法性能。? 大規模MIMO：大規模MIMO技術(shù)涉及使用大量天線(xiàn)來(lái)提高信號質(zhì)量和容量。多通道測試應側重于測試大規模MIMO系統的性能，包括天線(xiàn)放
- 關(guān)鍵字： 寬帶多通道 調試信號分析 RF 測試 泰克
攻克復雜性障礙：下一代 SOI 天線(xiàn)調諧
- 過(guò)去十年，天線(xiàn)調諧技術(shù)領(lǐng)域發(fā)生了巨大變化。天線(xiàn)變得更小、性能更強，能處理更多的射頻信號。這些發(fā)展的核心是絕緣硅片 (SOI) 技術(shù)——它提供的調諧能力提高了設計靈活性，并大幅改善了性能。復雜射頻世界中的器件性能有時(shí)候，科技似乎在飛速發(fā)展，日新月異——產(chǎn)品變得越來(lái)越小，處理速度越來(lái)越快，我們的世界剎那間便不同以往。移動(dòng)設備的天線(xiàn)也是如此。支持許多頻段的更小移動(dòng)設備使得天線(xiàn)更加復雜。對于工程師而言，這種復雜性也是需要攻克的障礙。與此同時(shí)，技術(shù)開(kāi)發(fā)工程師每推出一代新技術(shù)，都會(huì )做出漸進(jìn)式改進(jìn)，通過(guò)這種持續改善來(lái)幫
- 關(guān)鍵字： Qorvo SOI
瑞薩電子宣布與AMD攜手展示面向5G有源天線(xiàn)系統的完整RF和數字前端設計
- 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布，將與AMD合作展示面向5G有源天線(xiàn)系統（AAS）無(wú)線(xiàn)電的完整RF前端解決方案。全新RF前端與經(jīng)實(shí)地驗證的AMD Zynq??UltraScale+? RFSoC數字前端OpenRAN無(wú)線(xiàn)電（O-RU）參考設計相搭配，包含RF開(kāi)關(guān)、低噪聲放大器，和前置驅動(dòng)器，提供了一套完整的解決方案，以滿(mǎn)足不斷增長(cháng)的移動(dòng)網(wǎng)絡(luò )基礎設施市場(chǎng)需求。該參考平臺將于2月27日至3月2日在西班牙巴塞羅那舉行的世界移動(dòng)通信大會(huì )AMD展臺（2展廳，#2M61展位）進(jìn)行展示。全新5G設計平
- 關(guān)鍵字： 瑞薩 AMD 5G有源天線(xiàn) RF 數字前端
大聯(lián)大友尚集團推出基于CVITEK和SOI產(chǎn)品的網(wǎng)絡(luò )攝像機(IPC)方案
- 致力于亞太地區市場(chǎng)的領(lǐng)先半導體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下友尚推出基于晶視智能（CVITEK）CV1821芯片和晶相光電（SOI）JX-K06圖像傳感器的網(wǎng)絡(luò )攝像機（IPC）方案。圖示1-大聯(lián)大友尚基于CVITEK和SOI產(chǎn)品的IPC方案的展示板圖近年來(lái)，消費電子、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、智能家居、智慧城市的發(fā)展，推動(dòng)了智能監控技術(shù)的革新，也驅動(dòng)了IPC（網(wǎng)絡(luò )攝像機）的需求。相比于傳統攝像機，IPC不僅能夠提供更高清晰度的視頻效果，還具有網(wǎng)絡(luò )輸出接口，可直接將攝像機接入本地局域網(wǎng)。這些特性使其
- 關(guān)鍵字： 大聯(lián)大友尚 CVITEK SOI 網(wǎng)絡(luò )攝像機
數字波束成形相控陣中RF電子器件的物理尺寸分配
- 相控陣雷達和有源電子掃描陣列（AESA）已經(jīng)在航空航天和國防市場(chǎng)中使用和部署了十多年。這一時(shí)期主要從模擬波束成形系統開(kāi)始，并不斷遷移到更高水平的數字波束成形。系統工程目標不斷需要接近元素的數字波束成形實(shí)現，以實(shí)現的靈活性和可編程性。相控陣雷達和有源電子掃描陣列（AESA）已經(jīng)在航空航天和國防市場(chǎng)中使用和部署了十多年。這一時(shí)期主要從模擬波束成形系統開(kāi)始，并不斷遷移到更高水平的數字波束成形。系統工程目標不斷需要接近元素的數字波束成形實(shí)現，以實(shí)現的靈活性和可編程性。遷移到近元素數字波束成形存在許多挑戰。挑戰范圍
- 關(guān)鍵字： 數字波束 RF
自適應RF前饋放大器的設計
- 現代無(wú)線(xiàn)通信的迅猛發(fā)展日益朝著(zhù)增大信息容量，提高信道的頻譜利用率以及提高線(xiàn)性度的方向發(fā)展。一方面，人們廣泛采用工作于甲乙類(lèi)狀態(tài)的大功率微波晶體管來(lái)提高傳輸功率和利用效率；另一方面，無(wú)源器件及有源器件的引入，多載波配置技術(shù)的采用等，都將導致輸出信號的互調失真?，F代無(wú)線(xiàn)通信的迅猛發(fā)展日益朝著(zhù)增大信息容量，提高信道的頻譜利用率以及提高線(xiàn)性度的方向發(fā)展。一方面，人們廣泛采用工作于甲乙類(lèi)狀態(tài)的大功率微波晶體管來(lái)提高傳輸功率和利用效率；另一方面，無(wú)源器件及有源器件的引入，多載波配置技術(shù)的采用等，都將導致輸出信號的互調
- 關(guān)鍵字： RF 放大器
RF解密--什么是射頻衰減器？
- 問(wèn)題：什么是射頻衰減器？如何為我的應用選擇合適的RF衰減器？答案：衰減器是一種控制元件，主要功能是降低通過(guò)衰減器的信號強度。這種元件一般用于平衡信號鏈中的信號電平、擴展系統的動(dòng)態(tài)范圍、提供阻抗匹配，以及在終端應用設計中實(shí)施多種校準技術(shù)。?簡(jiǎn)介本文延續之前一系列短文，面向非射頻工程師講解射頻技術(shù)。ADI將在文中探討IC衰減器，并針對其類(lèi)型、配置和規格提出一些見(jiàn)解，旨在幫助工程師更快了解各種IC產(chǎn)品，并為終端應用選擇合適的產(chǎn)品。該系列的相關(guān)文章包括：“為應用選擇合適的RF放大器指南”、“如何輕松選擇
- 關(guān)鍵字： RF 射頻衰減器 ADI
ST和GlobalFoundries在法國Crolles附近的新工廠(chǎng)聯(lián)合推進(jìn)FD-SOI
- 意法半導體(ST)和GlobalFoundries (GF)剛剛簽署了一份諒解備忘錄，將在意法半導體位于法國Crolles的現有晶圓廠(chǎng)旁邊新建一座聯(lián)合運營(yíng)的300毫米半導體晶圓廠(chǎng)。新工廠(chǎng)將支持多種半導體技術(shù)和工藝節點(diǎn)，包括FD-SOI。ST和GF預計，該晶圓廠(chǎng)將于2024年開(kāi)始生產(chǎn)芯片，到2026年將達到滿(mǎn)負荷生產(chǎn)，每年生產(chǎn)多達62萬(wàn)片300毫米晶圓。法國東南部的Crolles，距離意大利邊境不遠，長(cháng)期以來(lái)一直是FD-SOI發(fā)展的溫床。從許多方面來(lái)看，FD-SOI是一種技術(shù)含量較低的方法，可以實(shí)現FinF
- 關(guān)鍵字： FD-SOI GAAFET FinFET
RF揭秘：散射參數及其類(lèi)型
- 本文延續之前的一系列短文，旨在為非RF工程師講解RF的奧秘。其中一些RF文章如下：“RF揭秘——了解波反射” ，探討了波反射；“如何輕松選擇正確的頻率產(chǎn)生器件”，探討了RF信號鏈中發(fā)揮作用的頻率產(chǎn)生器件的主要類(lèi)型。問(wèn)題:什么是S參數？它有哪些主要類(lèi)型？答案:S參數描述了RF網(wǎng)絡(luò )的基本特征，其主要類(lèi)型有小信號、大信號、脈沖、冷模式和混合模式S參數。引言本文延續之前的一系列短文，旨在為非RF工程師講解RF的奧秘。其中一些RF文章如下：“RF揭秘——了解波反射” ，探討了波反射；“如何輕松選擇正確的頻率產(chǎn)生器件
- 關(guān)鍵字： ADI RF
如何選擇出色電源解決方案，以提高RF信號鏈相位噪聲性能
- 如今的射頻 (RF) 系統變得越來(lái)越復雜。高度的復 雜性要求所有系統指標（例如嚴格的鏈接和噪聲預算） 達到最佳性能。確保整個(gè)信號鏈的正確設計至關(guān)重要。 而信號鏈中，有一個(gè)部分經(jīng)常會(huì )被忽視，那就是直流電 源。它在系統中占據著(zhù)重要地位，但也會(huì )帶來(lái)負面影 響。RF 系統的一個(gè)重要度量是相位噪聲，根據所選的 電源解決方案，這個(gè)指標可能降低。本文研究電源設計 對 RF 放大器相位噪聲的影響。我們的測試數據證明， 選擇合適的電源模塊可以使相位噪聲改善 10 dB，這是 優(yōu)化 RF 信號鏈性能的關(guān)鍵。
- 關(guān)鍵字： 202207 電源 ADI RF 相位噪聲
意法半導體和格芯將在法國新建12英寸晶圓廠(chǎng)，推進(jìn) FD-SOI 生態(tài)系統建設
- ·????? 隨著(zhù)世界經(jīng)濟向數字化和脫碳轉型，新的高產(chǎn)能聯(lián)營(yíng)晶圓廠(chǎng)將更好滿(mǎn)足歐洲和全球客戶(hù)需求·????? 新工廠(chǎng)將支持各種制造技術(shù)，包括格芯排名前列的 FDX? 技術(shù)和意法半導體針對汽車(chē)、工業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)和通信基礎設施等應用開(kāi)發(fā)的節點(diǎn)低至18納米的全面技術(shù)·????? 預計該項合作投資金額達數十億歐元，其中包括來(lái)自法國政府的大筆財政支持?2022 年
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 12英寸 晶圓廠(chǎng) FD-SOI
rf-soi介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條rf-soi!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對rf-soi的理解，并與今后在此搜索rf-soi的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對rf-soi的理解，并與今后在此搜索rf-soi的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
rf-soi相關(guān)帖子
rf-soi資料下載
rf-soi專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473