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ARM發(fā)布45納米SOI測試結果,最高節能40%

  •   ARM公司近日在于加州福斯特市舉行的IEEE SOI大會(huì )上發(fā)布了一款絕緣硅(silicon-on-insulator,SOI)45納米測試芯片的測試結果。結果表明,相較于采用傳統的體效應工藝(bulk process)進(jìn)行芯片制造,該測試芯片顯示出最高可達40%的功耗節省的可能性。這一測試芯片是基于A(yíng)RM1176™ 處理器,能夠在SOI和體效應微處理器實(shí)施之間進(jìn)行直接的比較。此次發(fā)布的結果證實(shí)了在為高性能消費設備和移動(dòng)應用設計低功耗處理器時(shí),SOI是一項取代傳統體效應工藝的可行技術(shù)。  
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ARM制成45nm SOI測試芯片 功耗降低40%

  •   據ARM的研究人員的報道,公司制成的45nm SOI測試芯片和普通相同尺寸工藝相比,功耗可減少40%。該結果在近期的IEEE SOI Conference上發(fā)表。
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GlobalFoundries 32nm SOI制程良率突破兩位數

  •   在最近召開(kāi)的GSA會(huì )議(GSA Expo conference)上,GlobalFoundries公司宣稱(chēng)其使用32nm SOI制程工藝制作的24Mbit SRAM芯片的良率已經(jīng)達到兩位數水平,預計年底良率有望達到50%左右。GlobalFoundries同時(shí)會(huì )在這個(gè)會(huì )議上展示其最新的制造設備。   據稱(chēng)目前Intel 32nm Bulk制程技術(shù)的良率應已達到70-80%左右的水平,而且已經(jīng)進(jìn)入正式量產(chǎn)階段,在32nm制程方面他們顯然又領(lǐng)先了一大步。不過(guò)按AMD原來(lái)的計劃,32nm SOI制程將在2
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“PAC 2009 China”金秋十月北京登場(chǎng)

  •   由Power.org 主辦的 Power Architecture Conference(PAC2009)盛會(huì )將再次回到中國,大會(huì )將于10月14日在北京·柏悅酒店召開(kāi)。會(huì )議將聚焦多用途的Power架構技術(shù)平臺以及它繁茂而充滿(mǎn)生機的生態(tài)系統。 本次大會(huì )將亮相基于Power 架構的最新產(chǎn)品和解決方案以及來(lái)自Power.org的倡議,會(huì )議組織方還邀請了業(yè)界頂尖的專(zhuān)家做主題演講并展開(kāi)討論和交流。   當今世界日新月異,根據需求不斷創(chuàng )新已經(jīng)成為時(shí)代發(fā)展的必然。Power Architecture
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Soitec第一季度銷(xiāo)售額環(huán)比增長(cháng)22.3%

  •   法國SOI技術(shù)公司Soitec公布2009-2010財年第一季度銷(xiāo)售額為4390萬(wàn)歐元(約合6190萬(wàn)美元),環(huán)比增長(cháng)22.3%,同比減少27.2%。   6月,Soitec在收到了主要客戶(hù)的急單之后,大幅上調了第一財季的預期,預測第一季度銷(xiāo)售額環(huán)比增長(cháng)20%。   第一季度,Soitec稱(chēng)晶圓銷(xiāo)售收入為4110萬(wàn)歐元(約合5790萬(wàn)美元),環(huán)比增長(cháng)30.8%。其中300mm晶圓占了84%的份額,環(huán)比增長(cháng)35%。
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NXP推出N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品

  •   恩智浦半導體(NXP Semiconductors,由飛利浦創(chuàng )立的獨立半導體公司)今日宣布推出全球首款N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品,型號為PSMN1R2-25YL,它擁有最低的導通電阻RDSon以及一流的FOM 參數。該產(chǎn)品是迄今為止采用Power-SO8封裝(無(wú)損耗封裝:LFPAK)中擁有最低導通電阻RDSon的MOSFET,也是恩智浦現有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power-S08 LFPAK封裝與最新Trench 6硅技術(shù)于一體,可在各種嚴苛應用條件下
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Global Foundries挖角為新廠(chǎng)Fab2鋪路

  •   Global Foundries再度展開(kāi)挖角,繼建置布局營(yíng)銷(xiāo)業(yè)務(wù)、設計服務(wù)團隊之后,這次延攬建廠(chǎng)、廠(chǎng)務(wù)人才并將目標鎖定半導體設備商,Global Foundries預計2009年7月破土的Fab 2正在緊鑼密鼓策畫(huà)中,這次延攬的Norm Armour原屬設備龍頭應用材料(Applied Materials)服務(wù)事業(yè)群高層,而Eric Choh則是原超微(AMD)晶圓廠(chǎng)營(yíng)運干部,兩人都熟稔晶圓廠(chǎng)設備系統與IBM技術(shù)平臺。   Global Foundries宣布新一波人事布局,主要是為了積極籌備位于紐
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Global Foundries志在英特爾 臺廠(chǎng)不是主要對手

  •   Global Foundries制造系統與技術(shù)副總裁Tom Sonderman表示,Global Foundries位于紐約Fab 2將于7月破土,專(zhuān)攻28納米制程已以下制程技術(shù),未來(lái)將持續延攬來(lái)自各界半導體好手加入壯大軍容,同時(shí)他也指出,目前45/40納米良率水平成熟并獲利可期,2009年底前Fab 1將全數轉進(jìn)40/45納米制程。Global Foundries表示,在晶圓代工領(lǐng)域臺積電雖是對手之一,但真正的目標(Bench Mark)其實(shí)對準英特爾(Intel)。   競爭對手臺積電45/40
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英飛凌與LS合組新公司,聚焦白家電電源模塊

  •   新聞事件:   韓國LS與英飛凌科技共同成立LS Power Semitech Co., Ltd   事件影響:   將使英飛凌和LSI得以加速進(jìn)入高效能家電、低功率消費與標準工業(yè)應用等前景好的市場(chǎng)   LS預計于2010年1月在天安市的生產(chǎn)基地開(kāi)始量產(chǎn)CIPOS模塊   韓國LS Industrial Systems與英飛凌科技(Infineon)共同成立了一家合資公司──LS Power Semitech Co., Ltd,將聚焦于白色家電壓模電源模塊的研發(fā)、生產(chǎn)與行銷(xiāo)。   合
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新型部分耗盡SOI器件體接觸結構

  • 提出了一種部分耗盡SOI MOSFET體接觸結構,該方法利用局部SIMOX技術(shù)在晶體管的源、漏下方形成薄氧化層,采用源漏淺結擴散,形成體接觸的側面引出,適當加大了Si膜厚度來(lái)減小體引出電阻。利用ISE一TCAD三維器件模擬結果表明,該結構具有較小的體引出電阻和體寄生電容、體引出電阻隨器件寬度的增加而減小、沒(méi)有背柵效應。而且,該結構可以在不增加寄生電容為代價(jià)的前提下,通過(guò)適當的增加si膜厚度的方法減小體引出電阻,從而更有效地抑制了浮體效應。
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新型節能照明電源的控制技術(shù)(07-100)

  •   用于建筑照明方面的電力管理解決辦法,如電感熒光燈,電子熒光燈,緊湊型熒光燈(CFL),鹵素燈控制集成電路以及高壓氣體放電燈(H1D)技術(shù)等, 用于范圍寬廣的居民區、商業(yè)和汽車(chē)中,減少了它們所需要的電力,在節能方面向前邁進(jìn)了巨大的一步。其控制集成電路中的自適應控制技術(shù)和高電壓半導體結隔離技術(shù)是其中的一部分,獲得了廣泛應用。
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Power 推出IC系列新品LNK632DG器件

  •         Power Integrations為L(cháng)inkSwitch-II初級側控制離線(xiàn)式開(kāi)關(guān)IC系列再添新品   用于高能效功率轉換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導者Power Integrations公司宣布推出LNK632DG器件,為其廣受歡迎的LinkSwitch-II產(chǎn)品系列再添新品。新器件針對最高輸出功率3.1 W的電源應用而設計,使制造商能夠滿(mǎn)足包括能源之星&acirc; EPS v2.0在內的全球所有的低功率
  • 關(guān)鍵字: Power  IC  離線(xiàn)式  

ST展示綠色電源理念,太陽(yáng)能LED街燈吸引眼球

  • ST(意法半導體)于2月26至27日亮相深圳IIC-China 2009,集中演示基于“Green Power”理念的系列節能產(chǎn)品及解決方案。三十余款產(chǎn)品的現場(chǎng)演示展示意法半導業(yè)界最領(lǐng)先的電源管理解決方案,體現意法半導體致力于幫助客戶(hù)減少環(huán)境影響的承諾。 照片1 ST展位 其中,太陽(yáng)能發(fā)光二極管(Solar LED)街燈格外引人注目,該產(chǎn)品是是意法半導體大中國區多元市場(chǎng)技術(shù)應用中心研發(fā)的獨特解決方案,據該中心的高級應用工程師史建忠介紹說(shuō),該方案由兩個(gè)模塊構成:一個(gè)85W太陽(yáng)能
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IMEC加入SOI聯(lián)盟

  •         據EE Times網(wǎng)站報道,旨在推進(jìn)SOI晶圓應用的產(chǎn)業(yè)組織SOI聯(lián)盟(SOI Consortium)宣布,比利時(shí)研究機構IMEC已加入協(xié)會(huì )作為學(xué)術(shù)會(huì )員。         IMEC是一家獨立的納電子研究中心,已在SOI技術(shù)領(lǐng)域積極開(kāi)展研究超過(guò)20年。IMEC開(kāi)展的合作性CMOS微縮研究較商用制造水平超前2至3個(gè)節點(diǎn)。IMEC不僅研究SOI相關(guān)的器件原
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Boston-Power與金山電池結成戰略合作伙伴

  •   快速擴展的新一代鋰離子電池供應商 Boston-Power 公司宣布與金山電池國際有限公司 (GP Batteries) 結成戰略合作伙伴關(guān)系。通過(guò)這項合作關(guān)系,可充電鋰離子電池Sonata的批量生產(chǎn)將可以大幅擴展。該協(xié)議的詳情并沒(méi)有對外公布。   金山電池國際有限公司是大中國區領(lǐng)先的消費產(chǎn)品電池制造商,是金山工業(yè)集團 (Gold Peak Industries) 的成員,后者于1964年成立,為香港上市公司 (SEHK:40),在世界各地都設有辦事處。   根據這項五年協(xié)議,金山電池將臺
  • 關(guān)鍵字: Boston-Power  金山電池  可充電鋰離子電池  
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