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pcm-400 文章 進(jìn)入pcm-400技術(shù)社區
PCM存儲器優(yōu)化智能電表成本和性能
- 新一代智能電表對成本和性能提出了更高的要求。而PCM(相變存儲器)作為新一代存儲器，對智能電表存儲架構進(jìn)行統一整合，優(yōu)化了電表成本和性能。2010年5月7日，美光(Micron)宣布并購恒憶。合并后，兩大存儲器芯片廠(chǎng)商將為客戶(hù)提供業(yè)內最完整、最具創(chuàng )新性的產(chǎn)品組合，其中包括PCM產(chǎn)品。 PCM綜合性能高 PCM是利用特殊材料在加熱和冷卻過(guò)程中，通過(guò)晶態(tài)和非晶態(tài)之間相互轉化所表現出來(lái)的導電性差異來(lái)存儲數據。 據美光亞洲區嵌入式業(yè)務(wù)總經(jīng)理徐宏來(lái)先生介紹，PCM的概念其實(shí)早在上世紀60年代就
- 關(guān)鍵字： PCM 存儲器 智能電表 芯片
三星今年將推"相變內存" 取代手機閃存卡
- 三星計劃于今年晚些時(shí)候推出相變內存卡(PCM)，旨在取代當前手機等電子產(chǎn)品所使用的閃存技術(shù)。 相變內存由相變材料制成，通過(guò)加熱材料形式來(lái)存儲數據。與閃存存儲相比，相變內存存儲數據時(shí)更加省電，預計可延長(cháng)電池續航時(shí)間20%。 在速度方面，相變內存的優(yōu)勢更加明顯，其存取數據的速度比閃存快9倍。三星表示，相變內存模塊預計于今年晚些時(shí)候下線(xiàn)，最初的容量為512MB。三星預計，對于多種電子產(chǎn)品，相變內存最終取代當前的閃存技術(shù)。 值得一提的是，相變內存存儲數據時(shí)所需溫度在150至600攝氏度之間，
- 關(guān)鍵字： 三星 PCM
恒憶推出新系列相變存儲器
- 恒憶(Numonyx)作為相變存儲技術(shù)(PCM)的創(chuàng )新者，今天宣布正式推出全新系列相變存儲器。該系列產(chǎn)品采用被稱(chēng)為相變存儲(PCM)的新一代存儲技術(shù)，具有更高的寫(xiě)入性能、耐寫(xiě)次數和設計簡(jiǎn)易性，適用于固線(xiàn)和無(wú)線(xiàn)通信設備、消費電子、PC和其他嵌入式應用設備。目前該產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)，并向市場(chǎng)供貨。 這種新的嵌入式存儲器融閃存、RAM和EEPROM三大存儲器的優(yōu)點(diǎn)于一身，一顆存儲器芯片即可實(shí)現很多新功能。今天，新產(chǎn)品發(fā)布采用了新品牌Numonyx® Omneo™ PCM，其寫(xiě)入速度有
- 關(guān)鍵字： NUMONYX PCM 相變存儲器
恒憶躍居世界最大NOR閃存供應商
- 盡管IC產(chǎn)業(yè)在步入2009年的時(shí)候還是前景迷茫，但在歲末之際，曾深受經(jīng)濟危機影響的存儲產(chǎn)業(yè)終于看到了復蘇的曙光。面對市場(chǎng)可預期的需求增長(cháng)，恒憶 (Numonyx) 通過(guò)兩方面的舉措響應市場(chǎng)需求，擴充產(chǎn)能。一是通過(guò)從高節點(diǎn)技術(shù)向低節點(diǎn)技術(shù)的制程升級，進(jìn)一步擴大位級產(chǎn)能;二是充分發(fā)揮“靈活資產(chǎn)(Asset Smart)”策略的優(yōu)勢，與合資晶圓廠(chǎng)、代工伙伴一起增加產(chǎn)能。 展望2010年的市場(chǎng)前景，主管恒憶亞洲區嵌入式業(yè)務(wù)及渠道的銷(xiāo)售副總裁龔翊表示：“作為全球存儲器解
- 關(guān)鍵字： Numonyx NAND NOR閃存 PCM
數字無(wú)線(xiàn)技術(shù)在實(shí)時(shí)無(wú)損檢測系統中應用
- 在當今無(wú)線(xiàn)測控工作站的檢測信號與控制信號傳輸過(guò)程中，一種是傳統的模擬式傳輸，以FM-FM為代表;一種是數字...
- 關(guān)鍵字： 數字無(wú)線(xiàn)技術(shù) PCM FM-FM
Numonyx與Intel在相變存儲研究中取得關(guān)鍵性突破
- 相變存儲 (PCM) 是一項結合了現今多種存儲產(chǎn)品類(lèi)型的不同優(yōu)點(diǎn)的非易失性?xún)却婕夹g(shù)，恒憶 (Numonyx) 與英特爾 (Intel) 今天宣布雙方在該領(lǐng)域得研究中取得關(guān)鍵性突破。研究人員得以首次演示能夠在單一芯片堆棧多層 PCM 陣列的 64Mb 測試芯片，對于隨機存取非易失性存儲器及存儲應用而言，這些發(fā)現有助于推出容量更大、功耗更低且尺寸更小的存儲裝置。 上述發(fā)現是 Numonyx 與 Intel 長(cháng)久以來(lái)共同進(jìn)行的一項研究計劃的成果，該計劃的目的著(zhù)重于研究多層式或堆棧式 PCM 單元陣列。
- 關(guān)鍵字： Numonyx PCM PCMS
英特爾與恒憶公布突破性相變存儲器技術(shù)研究成果
- 英特爾公司與恒憶(Numonyx B.V.)今天公布了一項突破性的相變存儲器(PCM)研究成果，這種新的非易失性存儲器技術(shù)結合了目前各種存儲器的優(yōu)勢。研究人員首次展示了能夠在單個(gè)硅片上堆疊或放置多個(gè)PCM陣列層的64Mb測試芯片。這些研究成果為制造更高容量、更低能耗的存儲器設備鋪平了道路，能夠為隨機存取非易失性存儲器和存儲應用降低所占用的空間。 這項成果由恒憶和英特爾聯(lián)合開(kāi)發(fā)，雙方一直在合作探索多層或堆疊式PCM單元陣列方面的研究。英特爾和恒憶的研究人員現在能夠展示垂直集成的存儲器單元PCMS(
- 關(guān)鍵字： 英特爾 PCM PCMS
三星看好PCM內存潛力 有望取代NAND和NOR閃存
- 三星表示,PCM(相變內存)所具有的體積小及節電優(yōu)勢可能讓這種內存替代現有的移動(dòng)存儲形式. 多年來(lái),半導體廠(chǎng)商一直在致力研究PCM內存,不過(guò),它一直處于試驗階段.PCM內存當中包含有類(lèi)似玻璃的材料,當其中的原子重新排列,它的狀態(tài)就會(huì )發(fā)生改變,晶體的變化對應計算上的0,1狀態(tài),從而可以用于數據存儲. 一直以來(lái),包括英特爾和英飛凌在內的很多公司都在從PCM的研發(fā),他們試圖將這種存儲器的體積減小,增存儲加速度與容量.支持PCM的人士認為,PCM最終可能取代NAND和NOR閃存. 三星半導體
- 關(guān)鍵字： 三星 PCM 34納米 10納米 12納米
加大在華投資 恒憶正式入駐上海外高橋保稅區
- 全球最大NOR閃存芯片供應商之一恒憶(Numonyx)宣布，該公司已于7月12日與上海外高橋保稅區簽署廠(chǎng)房租賃合同，正式投資落戶(hù)上海。今天上午，恒憶總裁兼首席執行官Brian Harrison專(zhuān)程赴滬考察上海研發(fā)中心新址，并拜會(huì )了外高橋保稅區管委會(huì )主任助理、功能區域黨工委副書(shū)記、管委會(huì )副主任簡(jiǎn)大年等領(lǐng)導。雙方代表齊聚一堂，共同見(jiàn)證了這一重要歷史時(shí)刻。 恒憶正式成立于2008年3月，是由英特爾(Intel)和意法半導體(STMicroelectronics)以各自的閃存部門(mén)組成的合資企業(yè)，擁有技術(shù)
- 關(guān)鍵字： Numonyx NOR NAND RAM PCM
恒憶與三星合作的生意經(jīng)
- 2009年6月24日，恒憶(Numonyx)與三星電子(Samsung Electronics Co., Ltd)宣布將共同開(kāi)發(fā)制定相變存儲器(Phase Change Memory，PCM)產(chǎn)品的市場(chǎng)規格，兩大存儲器廠(chǎng)商的攜手再次印證了“商場(chǎng)上沒(méi)有永遠的對手”。 韓國三星電子稱(chēng)霸存儲器行業(yè)已有多時(shí)，其DRAM市場(chǎng)近30%、閃存市場(chǎng)近40%的份額長(cháng)期無(wú)可撼動(dòng)。而恒憶作為存儲器行業(yè)的新寵，其正式成立距今不過(guò)一年左右的時(shí)間。它的主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND及內置RAM，并利
- 關(guān)鍵字： Numonyx PCM DRAM RAM NOR
恒憶與三星電子共同合作開(kāi)發(fā) PCM
- 恒憶 (Numonyx) 與三星電子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布將共同開(kāi)發(fā)制定相變存儲器 (Phase Change Memory，PCM) 產(chǎn)品的市場(chǎng)規格，此新一代存儲技術(shù)可滿(mǎn)足載有大量?jì)热莺蛿祿脚_的性能及功耗要求，從而幫助多功能手機及移動(dòng)應用、嵌入式系統*、高級運算裝置的制造商應對設計挑戰。制定針對PCM 產(chǎn)品的通用軟硬件兼容標準，將有效簡(jiǎn)化設計流程并縮短產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)間，使制造商能在短時(shí)間內采用這兩家公司推出的高性能、低功耗 PCM 存儲產(chǎn)品。 相較于
- 關(guān)鍵字： Numonyx NAND NOR PCM SDRAM
三星電子和Numonyx將聯(lián)合開(kāi)發(fā)下一代記憶體PCM
- 6月24日消息,三星電子和Numonyx表示，雙方將聯(lián)合開(kāi)發(fā)前途光明的下一代記憶體科技--相變化記憶體技術(shù)。 三星電子和Numonyx表示，雙方將合作開(kāi)發(fā)PCM的通用規范，該技術(shù)有望用于高級聽(tīng)筒、移動(dòng)電話(huà)和電腦設備中。英特爾和意法半導體(STM去年合資組建了Numonyx.。三星電子和Numonyx稱(chēng)，PCM讀寫(xiě)速度非?？?，但耗電量卻低于傳統的NOR和NAND快閃記憶體。 三星電子和Numonyx還表示，雙方的通用規范將于今年完成，預計明年將推出兼容設備。
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND NOR PCM 相變化記憶體
pcm-400介紹
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對pcm-400的理解，并與今后在此搜索pcm-400的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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