恒憶與三星合作的生意經(jīng)

　　2009年6月24日，恒憶(Numonyx)與三星電子(Samsung Electronics Co., Ltd)宣布將共同開(kāi)發(fā)制定相變存儲器(Phase Change Memory，PCM)產(chǎn)品的市場(chǎng)規格，兩大存儲器廠(chǎng)商的攜手再次印證了“商場(chǎng)上沒(méi)有永遠的對手”。

　　韓國三星電子稱(chēng)霸存儲器行業(yè)已有多時(shí)，其DRAM市場(chǎng)近30%、閃存市場(chǎng)近40%的份額長(cháng)期無(wú)可撼動(dòng)。而恒憶作為存儲器行業(yè)的新寵，其正式成立距今不過(guò)一年左右的時(shí)間。它的主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND及內置RAM，并利用新型PCM技術(shù)，為存儲器市場(chǎng)開(kāi)發(fā)、提供創(chuàng )新的存儲器解決方案。

　　從存儲器產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的角度來(lái)看，NOR Flash的地盤(pán)正在被NAND閃存蠶食，而NAND Flash本身也正面臨著(zhù)節點(diǎn)縮小、制造技術(shù)亟待進(jìn)步的挑戰。諸如FeRAM(鐵電隨機存儲器)、MRAM(磁阻式隨機存儲器)和PCM(相變存儲器)等熱門(mén)接班者漸漸浮出水面，吸引了人們的眼球，其中尤以PCM的關(guān)注度最高。

　　在PCM中，材料由非晶體狀態(tài)變成晶體，再變回非晶體的過(guò)程中，其非晶體和晶體狀態(tài)呈現不同的反光特性和電阻特性，因此可以利用非晶態(tài)和晶態(tài)分別代表0和1來(lái)存儲數據。只要在上面施加少量的復位電流就能觸發(fā)這兩個(gè)狀態(tài)的切換。PCM具有存儲單元小、非揮發(fā)性、循環(huán)壽命長(cháng)、穩定性好、功耗低和可嵌入功能強等優(yōu)點(diǎn)，業(yè)界認為當Flash遭遇尺寸縮小限制時(shí)，PCM在65nm以后的優(yōu)勢將逐漸凸顯出來(lái)。

　　事實(shí)上，自從經(jīng)濟衰退波及芯片制造業(yè)以來(lái)，存儲器廠(chǎng)商的生存一直處于風(fēng)頭浪尖上。奇夢(mèng)達的破產(chǎn)、Spansion的倒下、TMC的成立，種種新聞無(wú)不彰顯著(zhù)存儲器產(chǎn)業(yè)的焦躁不安。三星作為存儲器制造的領(lǐng)頭羊，自然深諳“做大做強”的道理。除技術(shù)搖搖領(lǐng)先外，也投入了大筆資金進(jìn)行生產(chǎn)擴張，以期擴大市場(chǎng)份額。

　　而恒憶采取的是更為積極靈活的制造模式：通過(guò)代工解決短期的市場(chǎng)需求波動(dòng)，通過(guò)合作獲得RAM/NAND制造規模，而無(wú)需承擔產(chǎn)量責任;當需求有確定時(shí)，進(jìn)行內部產(chǎn)能投資，并通過(guò)提高內部工廠(chǎng)的開(kāi)工率，來(lái)提高內部供貨的成本效益。恒憶從創(chuàng )立伊始即與眾多業(yè)內同行展開(kāi)靈活的合作：與Hynix共同投資成立了位于無(wú)錫的一條8寸DRAM以及12寸NAND閃存生產(chǎn)線(xiàn)，恒憶在該合資公司的持股比例為16.7%;與Elpida簽署了一項協(xié)議，將一部分產(chǎn)品外包給后者。此次與三星在PCM領(lǐng)域的合作再次貫徹了其獨特性。

　　恒憶與三星共同合作制定針對PCM產(chǎn)品的通用軟硬件兼容標準，將有效簡(jiǎn)化設計流程并縮短產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)間，使制造商能在短時(shí)間內采用這兩家公司推出的高性能、低功耗PCM存儲產(chǎn)品。共通規格可有效協(xié)助芯片組廠(chǎng)商及整個(gè)產(chǎn)業(yè)體系中的其他廠(chǎng)商達成產(chǎn)品標準化，并且有助催生新一代的存儲技術(shù)，使手機OEM、嵌入式系統、高級運算裝置廠(chǎng)商和他們的客戶(hù)從中受益。

　　三星希望PCM成為公司存儲產(chǎn)品的新主力，并有助于提升公司其它移動(dòng)存儲解決方案的性能，進(jìn)一步提高三星在業(yè)界的領(lǐng)導地位。恒憶雖然目前仍以NOR和NAND閃存制造為主，但也期望借此番合作在PCM方面有所作為，擴大其盈利能力。

　　一個(gè)要保持鞏固自己的“江湖老大”地位，一個(gè)要以靈活的姿態(tài)玩轉存儲器領(lǐng)域。競爭永存，合作無(wú)限，祝他們好運!