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NAND閃存景氣回升 CAPEX將增40%至310億美元
- 近日，據IC Insights的數據預測，2018年NAND Flash行業(yè)的資本支出(CAPEX)將比預期產(chǎn)量增加40%以上，從2017年的220億美元增至2018年的310億美元，屬于近8年來(lái)的最大增幅。 其中，3D NAND的市場(chǎng)需求，成為驅動(dòng)NAND閃存資本支出激增的主要因素之一。3D NAND閃存技術(shù)采用堆疊的方式處理設備層關(guān)系，可以使得每顆芯片的儲存容量增加，從而實(shí)現更大的結構和單元間隔，利于增加產(chǎn)品的耐用性、降低生產(chǎn)成本。因此深受NAND閃存廠(chǎng)商的追捧，目前已成為NAND閃存廠(chǎng)商的
- 關(guān)鍵字： NAND CAPEX
美光科技就中國福建省專(zhuān)利訴訟案件的聲明
- 美光科技有限公司(納斯達克代碼：MU)宣布，中國福建省福州市中級人民法院于今日通知美光科技的兩家中國子公司，針對聯(lián)華電子股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“聯(lián)電”)與福建省晉華集成電路有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“晉華”)提起專(zhuān)利侵權訴訟的案件，該法院已批準向美光科技兩子公司裁定初步禁令。這次聯(lián)電和晉華提起專(zhuān)利侵權訴訟，實(shí)為報復此前臺灣檢察機關(guān)針對聯(lián)電及其三名員工侵犯美光商業(yè)機密提起的刑事訴訟，以及美光科技就此針對聯(lián)電和晉華向美國加利福尼亞北區聯(lián)邦地區法院提起的民事訴訟?！ ≡摮醪浇罱姑拦饪萍純芍袊庸驹谥袊圃?、銷(xiāo)
- 關(guān)鍵字： 美光科技 DRAM NAND
2018年Q1全球半導體銷(xiāo)售達1158億美元，無(wú)線(xiàn)通訊市場(chǎng)大幅下滑
- 在2018年第一季度，全球半導體產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售額達到了1158億美元。即使該季度半導體產(chǎn)業(yè)總營(yíng)收出現些許下滑，然而NAND市場(chǎng)依然創(chuàng )下了有史以來(lái)第二高的季度收入，其中，來(lái)自企業(yè)和消費性固態(tài)硬盤(pán)(SSD)市場(chǎng)的需求最為強勁?！ ‰S著(zhù)企業(yè)和儲存市場(chǎng)對于相關(guān)零組件需求的增加，在2018年第一季度，儲存類(lèi)別增長(cháng)率為1.7%，達到397億美元。事實(shí)上，對于服務(wù)器用內存(Server DRAM)的強勁需求將持續推動(dòng)該市場(chǎng)。然而，也能看到NAND漲幅在該季度內收入略有下降，IHS Marki內存與儲存市場(chǎng)資深總監Crai
- 關(guān)鍵字： 無(wú)線(xiàn)通訊 NAND
96層3D NAND明年量產(chǎn) 群聯(lián)控制器方案準備就緒
- 為實(shí)現更高儲存密度，NAND Flash的堆棧層數不斷增加，單一晶胞內能儲存的信息也越來(lái)越多。 目前NAND Flash芯片已經(jīng)進(jìn)入64層TLC時(shí)代，展望2019年，三星(Samsung)、東芝(Toshiba)等業(yè)者都將進(jìn)一步推出96層QLC顆粒。 為了因應即將量產(chǎn)的新一代NAND Flash規格特性，控制器業(yè)者群聯(lián)已備妥對應的解決方案?！ ∪郝?lián)電子發(fā)言人于紹庭表示，3D NAND Flash技術(shù)不斷推進(jìn)，目前64層TLC已經(jīng)是相當穩定的產(chǎn)品。 而為了進(jìn)一步提升儲存密度，NAND Flash供貨商正
- 關(guān)鍵字： NAND，芯片
DRAM/NAND存儲器需求持續增溫 南亞科、旺宏業(yè)績(jì)看好
- 隨物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代來(lái)臨，數據中心、高速傳輸的5G受重視，研調單位指出，協(xié)助運算處理的DRAM與資訊儲存的NAND Flash等需求也持續增溫，南亞科(2408)日前表示，今年DRAM市場(chǎng)仍供不應求，帶動(dòng)存儲器族群行情向上，旺宏(2337)在權證市場(chǎng)同受關(guān)注，昨(29)日登上成交金額之首?！ ∧蟻喛谱蛉展蓛r(jià)雖然收小黑，小跌0.4%，收在98.9元(新臺幣，后同)，但獲外資逆勢敲進(jìn)逾2,000張，頗有逢低承接意味?！ ∧蟻喛平衲晔准久抗捎?EPS)達2.39元，隨著(zhù)DRAM市場(chǎng)仍持續供不應求，對今年整體營(yíng)運表
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
美光科技交付業(yè)界首款QLC NAND固態(tài)硬盤(pán)
- 美光科技有限公司推出的業(yè)界首款基于革命性四層單元(QLC)NAND 技術(shù)的固態(tài)硬盤(pán)現已開(kāi)始供貨。美光? 5210 ION 固態(tài)硬盤(pán)在美光 2018年分析師和投資者大會(huì )上首次亮相，面向之前由硬盤(pán)驅動(dòng)器 (HDD) 提供服務(wù)的細分市場(chǎng)，可提供高出三層單元 (TLC) NAND 33%的位密度。新型 QLC固態(tài)硬盤(pán)的推出，奠定了美光在實(shí)現更高容量和更低成本方面的領(lǐng)導者地位，可以滿(mǎn)足人工智能、大數據、商業(yè)智能、內容傳輸和數據庫系統對讀取密集型且性能敏感的云存儲的需求?！ ‰S著(zhù)工作負載的演變以滿(mǎn)足對于實(shí)時(shí)數據的
- 關(guān)鍵字： 美光 NAND
韓國存儲器產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售額將在2020年減少78億美元
- 當前，不論DRAM還是NAND Flash等存儲器，中國市場(chǎng)基本上100%依賴(lài)進(jìn)口，這使得產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求也最為迫切。因此，現階段在政府的支持下，除了紫光集團旗下的長(cháng)江存儲已經(jīng)在武漢建設NAND Flash工廠(chǎng)，預計2018年下半年量產(chǎn)之外，其他包括安徽合肥、福建晉江也有團隊在進(jìn)行DRAM研發(fā)，這使得未來(lái)幾年，中國生產(chǎn)存儲就會(huì )逐漸進(jìn)入市場(chǎng)。 對此，韓國企業(yè)也開(kāi)始關(guān)注中國競爭對手的加入。韓國預測，在2022年時(shí)會(huì )因為中國競爭的影響，韓國企業(yè)將減少78億美元的存儲器的銷(xiāo)售金額。 根據韓國媒體《et
- 關(guān)鍵字： 存儲器 NAND
內存瘋漲將告一段落 NAND/DRAM降價(jià)潮并沒(méi)有來(lái)
- 根據Gartner的報告顯示，在過(guò)去的2017年中，三星已經(jīng)成功取代英特爾，搶下了全球最大芯片制造商的寶座。要知道，英特爾從1992年就一直占據著(zhù)這一寶座，如今被三星超越實(shí)在是無(wú)奈，因為沒(méi)有人能預料到這兩年內存市場(chǎng)會(huì )如此強勁。 也許大家都快忘記了，兩年前8GB的內存條價(jià)格還不到200元，然后8GB內存條的價(jià)格一路上漲到300多、500多、700多，甚至一度要突破千元大關(guān)，用了幾年的二手內存條都還能大賺一筆。內存價(jià)格的飆升也帶動(dòng)了整個(gè)半導體產(chǎn)業(yè)的增長(cháng)，其中三星獲益匪淺，
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM
2017年全球十大半導體廠(chǎng)排名：三星首次登頂
- IHS Markit研究指出，2017年全球半導體市場(chǎng)營(yíng)收達到4291億美元，與2016年相較成長(cháng)了21.7%，年成長(cháng)率創(chuàng )下近14年新高。 而三星也借著(zhù)53.6%的年成長(cháng)率，取代蟬連25年的英特爾成為2017年全球最大半導體廠(chǎng)商。 在前20大半導體廠(chǎng)商中，SK海力士(SK Hynix)的營(yíng)收成長(cháng)幅度最大，較2016年成長(cháng)81.2%;美光科技(Micron)居次，營(yíng)收較2016年成長(cháng)了79.7%。 對此，IHS Markit半導體供應鏈分析師Teevens表示，強勁的需求以及價(jià)格上漲，是企業(yè)營(yíng)收大
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
我國首批32層三維NAND閃存芯片年內將量產(chǎn)
- 位于武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項目芯片生產(chǎn)機臺11日正式進(jìn)場(chǎng)安裝，這標志著(zhù)國家存儲器基地從廠(chǎng)房建設階段進(jìn)入量產(chǎn)準備階段，我國首批擁有完全自主知識產(chǎn)權的32層三維NAND閃存芯片將于年內量產(chǎn)，從而填補我國主流存儲器領(lǐng)域空白。 目前，我國通用存儲器基本全部依賴(lài)進(jìn)口，國家存儲器基地于2017年成功研發(fā)我國首顆32層三維NAND閃存芯片。這顆耗資10億美元、由1000人的團隊歷時(shí)2年自主研發(fā)的芯片，是我國在制造工藝上最接近國際高端水平的主流芯片，有望使我國進(jìn)入全球存儲芯片第
- 關(guān)鍵字： NAND 存儲器
中國電子信息產(chǎn)業(yè)規?？焖僭鲩L(cháng) 加快邁向中高端
- 近年來(lái)，全球信息技術(shù)創(chuàng )新進(jìn)入密集發(fā)生期，呈現多方向、寬前沿、集群式等特征，有望引發(fā)產(chǎn)業(yè)格局重大調整。這有助于我國電子信息產(chǎn)業(yè)打破因核心關(guān)鍵技術(shù)缺失帶來(lái)的低端鎖定，加快邁向全球價(jià)值鏈中高端，迎來(lái)從跟跑到并跑乃至領(lǐng)跑的歷史契機。 工業(yè)和信息化部副部長(cháng)羅文8日在深圳舉行的全國電子信息行業(yè)工作座談會(huì )上透露，2017年我國規模以上電子信息產(chǎn)業(yè)整體規模達18.5萬(wàn)億元，手機、計算機和彩電產(chǎn)量穩居全球第一，在通信設備、互聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域涌現了一批具有全球競爭力的龍頭企業(yè)。 據前瞻產(chǎn)業(yè)研究院《電子信息制造業(yè)發(fā)展
- 關(guān)鍵字： AMOLED NAND
2018年內存芯片收入有望實(shí)現創(chuàng )紀錄增長(cháng)
- 全球半導體行業(yè)在2017年創(chuàng )下了10年以來(lái)的最好成績(jì)，年收入比2016年增長(cháng)了22%，達到4291億美元。 這是根據英國分析公司IHS Markit的新統計數據得出的，HIS認為市場(chǎng)對內存芯片處理能力需求的大幅增加歸因于新興應用如大數據、物聯(lián)網(wǎng)和機器學(xué)習。 這一需求的增長(cháng)使得三星電子作為全球領(lǐng)先芯片制造商占據第一位置，領(lǐng)先于競爭對手英特爾，而英特爾已經(jīng)占據第一的位置有25年之久。2017年，三星的收入增長(cháng)了54%。 IHS表示，動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器芯片的銷(xiāo)售總額增長(cháng)了77%，而閃存芯片
- 關(guān)鍵字： 內存 NAND
nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規格，一是NAND，一是NOR.
簡(jiǎn)單的來(lái)說(shuō)，NAND規格快閃記憶體像硬碟，以?xún)Υ鏀祿橹?，又稱(chēng)為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規格記憶體則類(lèi)似DRAM，以?xún)Υ娉绦虼a為主，又稱(chēng)為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規格與NOR規格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫(xiě)速度也有很 [ 查看詳細 ]
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